The invention provides a manufacturing method, an equipment and a display substrate for polysilicon film and thin film transistor. Including method for fabricating polysilicon thin films: deposition of amorphous silicon thin film on the substrate; the non crystallized amorphous silicon thin film, polycrystalline silicon thin films are converted by the transition of the amorphous silicon thin film; plastic deformation occurred in the transition of the polysilicon thin film, polycrystalline silicon thin film transition deformation energy of polysilicon storage; the transition film deformation energy of laser annealing, the polysilicon film transition in laser annealing process, the deformation can be driven by the recrystallization of polysilicon films for conversion. The scheme of the invention can eliminate the defects existing in the grain and grain boundaries of the polysilicon film, and can reduce the leakage current of the thin film transistor when applied to the active layer of the thin film transistor, so as to ensure the stable driving of the display screen.
【技术实现步骤摘要】
多晶硅薄膜、薄膜晶体管的制作方法、设备、显示基板
本专利技术涉及薄膜晶体管的制作领域,特别是指这一种多晶硅薄膜、薄膜晶体管的制作方法、设备、显示基板。
技术介绍
目前显示器上的薄膜晶体管最大的缺点在于漏电流过大。漏电流也可称为关态电流,通常无法被有效控制。特别是低温多晶硅薄膜晶体管,其漏电流值为非晶硅薄膜晶体管的几十甚至上百倍。经统计发现,约有17%的低温多晶硅薄膜晶体管的良率下降来自于漏电流,而造成低温多晶硅薄膜晶体管漏电流偏大的原因是传统的制作工艺所制作的多晶硅会存在高密度的晶粒缺陷和晶界缺陷。有鉴于此,当前亟需一种多晶硅薄膜的制作工艺,能够改善多晶硅的晶粒缺陷和晶界缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够改善多晶硅的晶粒缺陷和晶界缺陷的技术方案。为实现上述目的,一方面,本专利技术的实施例提供一种多晶硅薄膜的制作方法,包括:在基板上沉积非晶硅薄膜;对所述非晶硅薄膜进行晶化处理,得到由非晶硅薄膜转换成的多晶硅过渡薄膜;使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变,使所述多晶硅过渡薄膜存储形变能;对具有形变能的多晶硅过渡薄膜进行激光退火处理,使所述多晶硅过渡薄膜在激光退火过程中,受形变能驱动以发生再结晶转换为多晶硅薄膜。其中,对所述非晶硅薄膜进行晶化处理的步骤,包括:采用准分子激光照射法,对所述非晶硅薄膜进行晶化处理,晶化温度为1400℃-1500℃。其中,使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变,包括:使用轧辊对所述多晶硅过渡薄膜进行轧制处理,使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变,所述轧辊的轧制压力为120Mpa-170Mpa,轧制温度为600℃-1400℃。其中,对具 ...
【技术保护点】
一种多晶硅薄膜的制作方法,其特征在于,包括:在基板上沉积非晶硅薄膜;对所述非晶硅薄膜进行晶化处理,得到由非晶硅薄膜转换成的多晶硅过渡薄膜;使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变,使所述多晶硅过渡薄膜存储形变能;对具有形变能的多晶硅过渡薄膜进行激光退火处理,使所述多晶硅过渡薄膜在激光退火过程中,受形变能驱动以发生再结晶转换为多晶硅薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜的制作方法,其特征在于,包括:在基板上沉积非晶硅薄膜;对所述非晶硅薄膜进行晶化处理,得到由非晶硅薄膜转换成的多晶硅过渡薄膜;使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变,使所述多晶硅过渡薄膜存储形变能;对具有形变能的多晶硅过渡薄膜进行激光退火处理,使所述多晶硅过渡薄膜在激光退火过程中,受形变能驱动以发生再结晶转换为多晶硅薄膜。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,对所述非晶硅薄膜进行晶化处理的步骤,包括:采用准分子激光照射法,对所述非晶硅薄膜进行晶化处理,晶化温度为1400℃-1500℃。3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变,包括:使用轧辊对所述多晶硅过渡薄膜进行轧制处理,使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变,所述轧辊的轧制压力为120Mpa-170Mpa,轧制温度为600℃-1400℃。4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,对具有形变能的多晶硅过渡薄膜进行激光退火处理的步骤,包括:采用准分子激光照射法,对具有形变能的多晶硅过渡薄膜进行退火处理,退火温度为600℃-1000℃。5.一种多晶硅薄膜的制作设备,其特征在于,包括:沉积模块,用于在基板上沉积非晶硅薄膜;晶化模块,用于对所述非晶硅薄膜进行晶化处理,得到由非晶硅薄膜转换成的多晶硅过渡薄膜;塑性形变模块,用于使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变,以使所述多晶硅过渡薄膜存储形变能;退火模块,用于对具有形变能的所述多晶硅薄膜进行激光退火处理,使所述多晶硅过渡薄膜在激光退火过程中,受形变能驱动以发生再结晶转换为多晶硅薄膜。6.根据权利要求5所述的制作设备,其特征在于,所述晶化模块以及所述退火模块均包括准分子激光照射装置,所述塑性...
【专利技术属性】
技术研发人员:李海旭,曹占锋,姚琪,张锋,党宁,高斐,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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