The invention provides a preparation method of cadmium sulfide thin film optical fiber temperature sensor, which comprises the following steps: the fiber ferrule is fixed on the end surface, the bare fiber polishing; coating: thiourea, cadmium sulfate and ammonia in accordance with the quality volume ratio of 5.694g:0.184g:45mL mixed solvent to form a reaction solution in deionized water; then the exposed end is inserted into the reaction liquid, using chemical bath deposition method at the temperature of 65 DEG C, reaction 9min, coating a cadmium sulfide film; the coating steps to repeat n times, get the bare end deposited n+1 layer of cadmium sulfide thin film, n is a natural number more than 0; the after the repeated fiber coating step obtained by annealing in 200 deg. The cadmium sulfide film is prepared by chemical water bath method, which can make the cadmium sulfide film close to the end of the optical fiber, and the coating thickness can be controlled.
【技术实现步骤摘要】
光纤温度传感器及其硫化镉薄膜的制备方法
本专利技术涉及传感器
,尤其是传感器的温度调解系统。
技术介绍
光纤温度传感器有着其它温度传感器不可比拟的优点,具备抗电磁干扰、耐高温、耐高电压、耐化学腐蚀及低损耗等特点,因此广泛用于高直流电场、强磁场、强的高频场、微波场等恶劣环境中。目前国内外光纤温度传感器的研究内容主要集中在有三个方面:一是对温度敏感材料的研究,更多的半导体材料被应用到光纤温度传感器上;二是系统结构和调制技术的研究;三是产品化实用化的研究,即从实际应用出发,对能满足特定要求、适用于特定场合的温度传感器的研究。但在目前的研究成果中,光纤温度传感器的制作工艺复杂,成本较高,因此在本专利技术中介绍了一种更精确、更稳定,且制作工艺简单的光纤温度传感器。CN201110459236.8一种光纤温度传感器探头装置,其设计了一种光纤温度传感器的探头结构,其特征在于传导光纤一端的纤芯及包层用陶瓷插针固定,传导光纤纤芯端面、包层端面及陶瓷插针端面在同一平面上,可在该平面上镀硅、锗、砷化镓等半导体薄膜。CN201020188165.3一种反射式双层膜光纤温度传感器探头,其设计了一种反射式双层光纤温度传感器,其特征在于,在光纤外粘结陶瓷插针,将光纤和陶瓷插针端头作为传感器探头,并在光纤和陶瓷插针的端面镀双层薄膜。陶瓷插针与光纤紧密粘结,而且两者端面抛光对齐。光纤和陶瓷插针端面镀的第一层薄膜使用半导体锗材料。光纤和陶瓷插针端面镀的第二层薄膜使用低折射率材料,优先使用二氧化硅材料。锗薄膜与光纤和陶瓷插针致密结合构成一种反射式温度传感器。CN201010154666. ...
【技术保护点】
一种光纤温度传感器硫化镉薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将光纤固定于插芯后,将所述光纤的裸露端面打磨;镀膜:将硫脲、硫酸镉与氨水混合溶于去离子水中形成反应液;所述硫脲、硫酸镉的物质的量比为12~110:1;所述氨水体积为40~50mL;然后将所述裸露端面插入所述反应液中,利用化学水浴法在温度为60~70℃,完成一次硫化镉薄膜的镀膜;重复镀膜:重复所述镀膜步骤至n次,获得沉积有n+1层硫化镉薄膜的裸露端面,n为大于0的自然数;将经过所述重复镀膜步骤获得的光纤在180~220℃温度下退火处理。
【技术特征摘要】
1.一种光纤温度传感器硫化镉薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将光纤固定于插芯后,将所述光纤的裸露端面打磨;镀膜:将硫脲、硫酸镉与氨水混合溶于去离子水中形成反应液;所述硫脲、硫酸镉的物质的量比为12~110:1;所述氨水体积为40~50mL;然后将所述裸露端面插入所述反应液中,利用化学水浴法在温度为60~70℃,完成一次硫化镉薄膜的镀膜;重复镀膜:重复所述镀膜步骤至n次,获得沉积有n+1层硫化镉薄膜的裸露端面,n为大于0的自然数;将经过所述重复镀膜步骤获得的光纤在180~220℃温度下退火处理。2.根据权利要求1所述光纤温度传感器硫化镉薄膜的制备方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:董玉明,岳孟果,杨春雷,冯丽丽,焦国华,鲁远甫,罗阿郁,吕建成,
申请(专利权)人:深圳先进技术研究院,
类型:发明
国别省市:广东,44
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