A gate driver circuit 108 is disclosed, which includes a comparator 204 and a gate driver 222. Comparator 204 is configured to detect a short circuit in the first power field effect transistor (FET) 208. The 222 gate driver is configured to drive the first gate power FET 208 through the first signal is generated in the first drive current. In response to the comparator 204 detects the first power FET 208 in the short circuit, the gate driver 222 is further configured to first pulse signal in the first pull-down current. At the end of the pulse after the gate driver 222 is further configured to maintain the current drive in the first gate of the first power FET 208. The first holding current is less than the first pull-down current.
【技术实现步骤摘要】
预驱动器短路保护
技术介绍
在许多应用中,电动机需要大电流(即,大于100A)以进行操作。在许多情况下,利用特殊功率场效应晶体管(FET)驱动这些大电流。利用栅极驱动器电路控制功率FET操作。栅极驱动器电路可以包括多个栅极驱动器,该多个栅极驱动器中的一个可以通过在驱动电流(即,上拉电流)下产生信号来驱动功率FET,以使功率FET接通。类似地,栅极驱动器可以将电流(以下拉电流)下拉以将功率FET断开。以这种方式,栅极驱动器电路可以控制功率FET的操作。有时,在功率FET内或其物理布线中发生短路。在常规系统中,栅极驱动器被配置为一旦检测到功率FET内的短路立即产生用于系统所有功率FET的下拉电流。该下拉电流被一致地提供到功率FET的栅极,直到所有功率FET被断开。如果短路导致功率FET连接到电源且栅极驱动器电路响应于这些故障而继续下拉功率FET的栅极,则驱动器电路将最终由于过大功率而烧毁,从而导致驱动器芯片的失效。
技术实现思路
以上所指出问题在很大程度上由用于保护栅极驱动器电路免于短路的系统和方法解决。在一些实施例中,栅极驱动器电路包括比较器和栅极驱动器。比较器被配置为检测第一功率场效应晶体管(FET)中的短路。栅极驱动器被配置为通过在第一驱动电流下产生第一信号(即,在第一驱动电流下产生“接通”或“断开”信号)来驱动第一功率FET的栅极。响应于比较器检测到在第一功率FET的任何端子之间的短路,栅极驱动器还被配置为在第一下拉电流下对第一功率FET的栅极进行脉冲。在脉冲结束之后,栅极驱动器还被配置为在第一保持电流下驱动第一功率FET的栅极。第一保持电流小于第一下拉 ...
【技术保护点】
一种栅极驱动器电路,其包括:比较器,其被配置为检测第一功率场效应晶体管即FET中的短路;以及栅极驱动器,其被配置为:通过在第一驱动电流下产生第一信号来驱动所述第一功率FET的栅极;以及响应于所述比较器检测到所述第一功率FET中的短路,在第一下拉电流下脉冲所述第一信号,并且在所述脉冲结束之后,在第一保持电流下驱动所述第一功率FET的所述栅极,所述第一保持电流小于所述第一下拉电流。
【技术特征摘要】
2016.04.29 US 15/142,8521.一种栅极驱动器电路,其包括:比较器,其被配置为检测第一功率场效应晶体管即FET中的短路;以及栅极驱动器,其被配置为:通过在第一驱动电流下产生第一信号来驱动所述第一功率FET的栅极;以及响应于所述比较器检测到所述第一功率FET中的短路,在第一下拉电流下脉冲所述第一信号,并且在所述脉冲结束之后,在第一保持电流下驱动所述第一功率FET的所述栅极,所述第一保持电流小于所述第一下拉电流。2.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路,其中:所述比较器还被配置为检测第二功率FET中的短路;以及所述栅极驱动器还被配置为:通过在第二驱动电流下产生第二信号来驱动所述第二功率FET的栅极;以及响应于所述比较器检测到所述第二功率FET中的短路,在第二下拉电流下脉冲所述第二信号,并且在所述脉冲结束之后,在第二保持电流下驱动所述第二功率FET的所述栅极,所述第二保持电流小于所述第二下拉电流。3.根据权利要求2所述的栅极驱动器电路,其中所述栅极驱动器还被配置为响应于所述比较器检测到所述第一功率FET中的所述短路,在所述第二下拉电流下脉冲所述第二信号,并且在所述脉冲结束后,在所述第二保持电流下驱动所述第二功率FET的所述栅极。4.根据权利要求2所述的栅极驱动器电路,其中所述栅极驱动器还被配置为响应于所述比较器检测到所述第二功率FET中的所述短路,在所述第一下拉电流下脉冲所述第一信号,并且在所述脉冲结束后,在所述第一保持电流下驱动所述第一功率FET的所述栅极。5.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路,其中所述比较器被配置为通过确定所述第一功率FET的栅极到源极电压以检测第一功率FET中的所述短路。6.一种控制系统,其包括:微控制器即MCU,其被配置为实现用于所述控制系统的状态改变;第一功率场效应晶体管即FET,其被配置为驱动电动机;以及栅极驱动器电路,其耦合到所述MCU和所述第一功率FET,所述栅极驱动器电路被配置为:通过在驱动电流下产生第一信号来驱动所述第一功率FET的栅极;以及响应于在所述第一功率FET中的短路,在第一下拉电流下脉冲所述第一信号,并且在所述脉冲结束之后,在第一保持电流下驱动所述第一功率FET的所述栅极,所述第一保持电流小于所述第一下拉电流。7.根据权利要求6所述的控制系统,其还包括被配置为驱动所述电动机的第二功率FET,其中所述栅极驱动器电路还被配置为通过在所述驱动电流下产生第二信号来驱动所述第二功率FET的栅极,并且响应于所述第二功率FET中的短路,在第二下拉电流下脉冲所述第二信号,并且在所述脉冲结束之后,在第二保持电流下驱动所...
【专利技术属性】
技术研发人员:T·亚马那卡,S·布拉萨布拉马尼安,T·檀娜卡,M·加格,
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。