波长转换部件以及投光灯制造技术

本申请提供能提高发光效率或调整发光色的波长转换部件。波长转换部件具备基板及具有与该基板接触的第一面和位于与该第一面相反侧的第二面的波长转换层。所述波长转换层包含放射波长比激发光长的荧光的第一荧光体材料和放射波长比所述激发光长的荧光且导热系数比该第一荧光体材料高的第二荧光体材料。另外，所述波长转换层包含具有所述第二面的第二部分和具有所述第一面且比该第二部分更靠近所述基板侧的第一部分。所述第一部分与所述第二部分直接接触。所述第一部分与所述第二部分的厚度相等。所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率比所述第二部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率小。

Wavelength conversion unit and light projector

The present application provides a wavelength conversion unit that can improve the luminous efficiency or adjust the luminous color. The wavelength conversion unit has a substrate and a first side having a contact with the substrate and a wavelength conversion layer located on the second side of the opposite side of the first face. The second phosphor material the wavelength converting layer contains fluorescent radiation wavelengths longer than the first excited phosphor material and radiation wavelength than the excitation wavelength of the fluorescence and thermal conductivity than the first phosphor material high. In addition, the wavelength conversion layer comprises a second part with the second surface and a first part with the first surface and is closer to the substrate side than the second part. The first part is in direct contact with the second part. The first part is equal to the thickness of the second part. The first part of the first phosphor material relative to the volume ratio of the second fluorescent material than the second part of the first phosphor material relative to the second phosphor material volume ratio is small.

【技术实现步骤摘要】
波长转换部件以及投光灯
本申请涉及具备将激发光波长转换为波长更长的光的荧光体的波长转换部件以及投光灯。
技术介绍
以往存在一种车辆用灯具，其是产生光的灯具，其具备：半导体发光器件，该半导体发光器件产生光；荧光体，该荧光体以与半导体发光器件相隔的方式设置而成；第一光学部件，该第一光学部件将半导体发光器件所产生的光聚光到荧光体；第二光学部件，该第二光学部件在设置了荧光体的位置具有光学中心，并且根据被第一光学部件聚光的光将荧光体所产生的光照射到灯具的外部(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-150041号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本申请提供能够提高发光效率或调整发光色的波长转换部件以及投光灯。用于解决问题的手段本申请的一个方案的波长转换部件具备基板和波长转换层，该波长转换层具有与所述基板接触的第一面和位于与所述第一面相反侧的第二面。所述波长转换层包含第一荧光体材料和第二荧光体材料，该第一荧光体材料放射波长比激发光长的荧光，该第二荧光体材料放射波长比所述激发光长的荧光，并且导热系数比所述第一荧光体材料高。在所述波长转换层内，第二荧光体材料的体积比所述第一荧光体材料的体积大。另外，所述波长转换层包含第一部分和第二部分，该第二部分具有所述第二面，该第一部分具有所述第一面，并且位于比所述第二部分更靠所述基板侧。所述第一部分与所述第二部分直接接触。所述第一部分与所述第二部分的厚度相等。所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率比所述第二部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率小。专利技术效果通过本申请，能够提高发光效率或调整发光色。附图说明图1是表示第一实施方式的光源的示意构成的剖视构成图。图2是表示第一实施方式的光源的示意构成的正视构成图。图3是表示第二实施方式的光源的示意构成的剖视构成图。图4是表示第二实施方式的光源的示意构成的正视构成图。图5是表示第三实施方式的光源的示意构成的剖视构成图。图6是表示第三实施方式的光源的示意构成的正视构成图。图7是表示第四实施方式的照明用投光灯的示意构成的构成图。符号说明10、40、70光源11、41、71波长转换部件12、42、72半导体发光器件19、49、79入射光学系统20、50、80波长转换层21、51、81基板30、60、90第一荧光体颗粒31、61第二荧光体颗粒32基体材料63第三荧光体颗粒91烧结性陶瓷荧光体120投光灯121波长截止滤光片122出射光学系统具体实施方式本申请的一个方案的波长转换部件具备基板和波长转换层，该波长转换层具有与所述基板接触的第一面和位于与所述第一面相反侧的第二面。所述波长转换层包含第一荧光体材料和第二荧光体材料，该第一荧光体材料放射波长比激发光长的荧光，该第二荧光体材料放射波长比所述激发光长的荧光，并且导热系数比所述第一荧光体材料高。在所述波长转换层内，第二荧光体材料的体积比所述第一荧光体材料的体积大。另外，所述波长转换层包含第一部分和第二部分，该第二部分具有所述第二面，该第一部分具有所述第一面，并且位于比所述第二部分更靠所述基板侧。所述第一部分与所述第二部分直接接触。所述第一部分与所述第二部分的厚度相等。所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率比所述第二部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率小。所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率可以为0。所述波长转换层的所述第二面可以为来自半导体发光器件的所述激发光射入的面。所述第二面也可以为放射所述第一荧光体材料和所述第二荧光体材料中的至少一者的所述荧光的面。所述第一荧光体材料的发光的峰值波长可以比所述第二荧光体材料的发光的峰值波长短。所述第一荧光体材料可以为(Sr1-xBax)5P3O12Cl:Eu2+[0≤x≤1]荧光体。所述第二荧光体材料可以为(Y1-yGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Ce3+[0≤y<1、0≤z<1]荧光体。所述第二部分可以包含所述第一荧光体材料的至少一部分和所述第二荧光体材料的至少一部分。本申请的一个方案的投光灯具备：半导体发光器件，该半导体发光器件射出峰值波长为380nm以上且420nm以下的所述激发光；以及所述激发光射入的所述波长转换部件。下面，参照附图对本申请的多个实施方式进行说明。此外，附图中所示的各种要素只不过是为了理解本申请而示意性地示出的，尺寸比和外观等可以与实物不同。另外，对于同一或相同的构成，附上同一符号，有时会省略其说明。(第一实施方式)图1和图2示出了本申请的第一实施方式的光源10的示意构成。光源10具备波长转换部件11和半导体发光器件12。半导体发光器件12射出激发光，波长转换部件11接收激发光，并且放射波长比激发光长的荧光。半导体发光器件12例如可以为发光二极管(LED)、超辐射发光二极管(SLD)或激光二极管(LD)等。本实施方式是对半导体发光器件12为激光二极管的情况进行说明。半导体发光器件12可以为一个激光二极管；另外，也可以是将多个激光二极管光耦合而成的。半导体发光器件12例如射出蓝紫光。本申请中，蓝紫光是指峰值波长为380nm以上且420nm以下的光。光源10还可以具备入射光学系统19，入射光学系统19位于半导体发光器件12所射出的激发光的光程上。入射光学系统19例如具备透镜、反射镜、光纤或它们的任意组合。如上所述，波长转换部件11将来自半导体发光器件12的激发光转换为波长更长的荧光。波长转换部件11具备波长转换层20和基板21。基板21支撑波长转换层20。另外，将在波长转换层20所产生的热传递到波长转换部件11的外部，抑制波长转换层20的温度过度上升。基板21例如为金属基板(例如铝、铁等)、晶体基板(例如硅基板、蓝宝石、GaN等)、陶瓷基板(例如氧化铝等)等。为了提高基板21的反射率，也可以在基板21与波长转换层20之间设置金属膜(例如银、铝等)、电介质多层膜或金属薄膜和电介质膜的层叠结构。基板21优选具有比波长转换层20高的导热系数。基板21更优选具有比以下进行说明的波长转换层20所含的第二荧光体材料31的导热系数高的导热系数。波长转换层20具有与基板21接触的第一面20a和位于与第一面20a相反侧的第二面20b。另外，波长转换层20包含第一部分20c和第二部分20d。第一部分20c和第二部分20d分别具有层形状。第一部分20c具有第一面20a，并且位于比第二面20b更靠基板21侧。第二部分20d包含第二面20b，并且与第一部分20c直接接触。第一部分20c的厚度和第二部分20d的厚度相等。第一部分20c和第二部分20d可以为在制作波长转换层20时以不同的工序制得的两个层。另外，第一部分20c和第二部分20d也可以一体地形成。此外，波长转换层20也可以通过层叠两个以上的层来形成，所层叠的两个以上的层的边界的位置可以与第一部分20c和第二部分20d的边界的位置不一致。即，第一部分20c和第二部分20d只要厚度相等就行，可以被虚拟的边界所区别。波长转换层20至少包含第一荧光体材料30和第二荧光体材料31。波长转换层20还可以包含基体材料32，该基体材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种波长转换部件，其具备基板和波长转换层，该波长转换层具有与所述基板接触的第一面和位于与所述第一面相反侧的第二面，其中，所述波长转换层包含第一荧光体材料和第二荧光体材料，该第一荧光体材料放射波长比激发光长的荧光，该第二荧光体材料放射波长比所述激发光长的荧光，并且导热系数比所述第一荧光体材料高，在所述波长转换层内，所述第二荧光体材料的体积比所述第一荧光体材料的体积大，所述波长转换层包含第一部分和第二部分，该第二部分具有所述第二面，该第一部分具有所述第一面，并且位于比所述第二部分更靠所述基板侧，所述第一部分与所述第二部分直接接触，所述第一部分与所述第二部分的厚度相等，所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率比所述第二部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率小。

【技术特征摘要】
2016.04.22 JP 2016-0861131.一种波长转换部件，其具备基板和波长转换层，该波长转换层具有与所述基板接触的第一面和位于与所述第一面相反侧的第二面，其中，所述波长转换层包含第一荧光体材料和第二荧光体材料，该第一荧光体材料放射波长比激发光长的荧光，该第二荧光体材料放射波长比所述激发光长的荧光，并且导热系数比所述第一荧光体材料高，在所述波长转换层内，所述第二荧光体材料的体积比所述第一荧光体材料的体积大，所述波长转换层包含第一部分和第二部分，该第二部分具有所述第二面，该第一部分具有所述第一面，并且位于比所述第二部分更靠所述基板侧，所述第一部分与所述第二部分直接接触，所述第一部分与所述第二部分的厚度相等，所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率比所述第二部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率小。2.根据权利要求1所述的波长转换部件，其中，所述第一部分中的所述第一荧光体材料相对于所述第二荧光体材料的体积比率为0。3.根据权利要求1或2所述的波长转换部件，其中，所述波长转换层的所述第二面为来自半导体发光器件的所述激发光射入的面。4.根据权利要求1～3中任一项所述的波长转换部件，其中，所述第二面为放射所述第一荧...

【专利技术属性】
技术研发人员：长崎纯久，大林孝志，奥山浩二郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP