含钼金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种含钼金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法，所述含钼金属膜的蚀刻液组合物以一定含量包含过氧化氢、氟化合物、唑系化合物、羟胺衍生物、和水。

Etching liquid composition containing molybdenum metal film and manufacturing method of array substrate for display device using the same

The present invention provides an etchant composition of a molybdenum metal film and the manufacturing method of a display device array substrate, an etchant composition of the molybdenum containing metal film with certain content containing hydrogen peroxide, fluorine compounds, azole compounds, hydroxylamine derivatives, and water.

【技术实现步骤摘要】
含钼金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法
本专利技术涉及含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法。
技术介绍
随着真正步入信息化时代，处理及显示大量信息的显示器领域实现了快速发展，得益于此，各种各样的平板显示器得到开发并受到关注。作为这样的平板显示装置的例子，可举出液晶显示装置(LiquidCrystalDisplaydevice：LCD)、等离子体显示装置(PlasmaDisplayPaneldevice：PDP)、场发射显示装置(FieldEmissionDisplaydevice：FED)、有机发光元件(OrganicLightEmittingDiodes：OLED)等。作为一例，液晶显示装置因如下特性而受到关注：提供由卓越的分辨率形成的鲜明的影像，耗电少，可较薄地制造显示器画面。TFT-LCD等显示装置的像素电极中使用钼合金膜及金属氧化物膜的单层膜、或钼合金膜与金属氧化物膜的多层膜等。上述像素电极经由如下一系列光刻(lithography)工序而完成：一般通过溅射等方法层叠于基板上，并在其上均匀地涂布光致抗蚀剂。之后，通过刻有图案的掩模照射光，通过显影形成期望的图案的光致抗蚀剂。接着，通过干式或湿式蚀刻将图案转印到位于光致抗蚀剂下部的金属膜，然后通过剥离工序将没有必要的光致抗蚀剂去除。在用相同的蚀刻液对上述钼合金膜和金属氧化物膜实施蚀刻时，能够简化制造工序，但一般而言钼合金膜存在因耐化学性优异而不易进行湿式蚀刻的问题。此外，根据处理张数的蚀刻性能差异大，因此存在使用寿命短、工艺费用提高、成本上升的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：韩国公开专利第10-2014-0042121号
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术是为了解决上述以往技术问题而提出的，其目的在于提供蚀刻钼或钼合金的单层膜、或者包含上述单层膜和金属氧化物膜的多层膜时，随处理张数的侧蚀(sideetch)变化量小，使用寿命优异的蚀刻液组合物。此外，本专利技术的目的在于提供使用上述蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。解决课题的方法本专利技术提供一种含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含(A)过氧化氢5～30重量％、(B)氟化合物0.1～2重量％、(C)唑系化合物0.1～1重量％、(D)羟胺衍生物0.1～5重量％、和(E)余量的水。此外，本专利技术提供显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：a)在基板上形成栅极配线的步骤；b)在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；c)在上述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤；d)在上述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及e)形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤，上述e)步骤包括在基板上形成含钼(Mo)金属膜，并且用本专利技术的含钼金属膜的蚀刻液组合物进行蚀刻而形成像素电极的步骤。专利技术效果本专利技术的含钼金属膜的蚀刻液组合物以一定含量含有过氧化氢、氟化合物、唑系化合物、羟胺衍生物和水，从而能够提供蚀刻含钼金属膜时随处理张数的侧蚀(sideetch)变化量小，使用寿命优异的特性。此外，本专利技术通过使用上述蚀刻液组合物而能够提供制造显示装置用阵列基板的方法。具体实施方式本专利技术人等为了提供蚀刻含钼金属膜时具有随处理张数的侧蚀变化量小的特性的蚀刻液组合物而进行了深入研究，结果利用以一定含量包含过氧化氢、氟化合物、唑系化合物、羟胺衍生物和水的蚀刻液组合物完成了本专利技术。本专利技术涉及一种含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含：(A)过氧化氢5～30重量％、(B)氟化合物0.1～2重量％、(C)唑系化合物0.1～1重量％、(D)羟胺衍生物0.1～5重量％、和(E)余量的水。上述含钼金属膜是膜的构成成分中包含钼的金属膜，是包含单层膜以及两层膜以上的多层膜的概念。上述含钼(Mo)金属膜可举出钼(Mo)或钼合金(Moalloy)的单层膜，或者由上述单层膜和金属氧化物膜形成的多层膜等，但不限于此。以下，对构成本专利技术的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物的各成分进行说明。(A)过氧化氢本专利技术的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物所包含的过氧化氢(H2O2)是用作主氧化剂的成分，会给含钼金属膜的蚀刻速度带来影响。上述过氧化氢(H2O2)相对于含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物总重量包含5～30重量％，优选包含10～25重量％。当所包含的上述过氧化氢小于5重量％时，会引起含钼金属膜的蚀刻速度降低，因此可能无法实现充分的蚀刻。另一方面，在所包含的上述过氧化氢超过30重量％的情况下，会因过氧化氢(H2O2)的浓度变得过高而使钼膜、钼合金膜或金属氧化物膜等发生过蚀刻现象，并且蚀刻液的稳定性可能降低。这里，过蚀刻现象的意义可理解为：由于蚀刻速度(etchrate)过快，蚀刻时金属膜或金属氧化物膜流失的现象。(B)氟化合物本专利技术的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物所包含的氟化合物的意思是，在水等中解离而能够提供氟离子(F-)的化合物。上述氟化合物是给含钼金属膜的蚀刻速度带来影响的解离剂，发挥调节含钼金属膜的蚀刻速度的作用。上述氟化合物只要是本领域中所使用的氟化合物就没有特别限制，作为具体例子，可使用选自氟化氢(HF)、氟化钠(NaF)、氟化铵(NH4F)、氟硼酸铵(NH4BF4)、氟化氢铵(NH4FHF)、氟化钾(KF)、氟化氢钾(KHF2)、氟化铝(AlF3)和四氟硼酸(HBF4)中的一种以上。可更优选使用氟化氢铵(NH4FHF)。上述氟化合物相对于本专利技术的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物总重量包含0.1～2重量％，优选包含0.5～1.5重量％。在上述氟化合物的含量小于0.1重量％的情况下，含钼金属膜的蚀刻速度降低，当超过2重量％时，虽然对含钼金属膜的蚀刻性能会被提高，但对Si系下部膜的损伤(damage)较为明显，因此不宜。(C)唑系化合物本专利技术的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物所包含的唑系化合物发挥调节与含钼金属膜以及金属氧化物膜接触的铜等数据配线的蚀刻速度的作用。上述唑系化合物只要是本领域中所使用的唑系化合物就没有特别限制。作为具体例子，可举出吡咯(pyrrole)系、吡唑(pyrazol)系、咪唑(imidazole)系、三唑(triazole)系、四唑(tetrazole)系、五唑(pentazole)系、唑(oxazole)系、异唑(isoxazole)系、噻唑(thiazole)系和异噻唑(isothiazole)系化合物等，它们可单独使用一种或将两种以上一同使用。其中，优选为三唑(triazole)系化合物，作为三唑系化合物的具体例子，可更优选为苯并三唑(benzotriazole)。上述唑系化合物相对于本专利技术的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物总重量包含0.1～1重量％，优选包含0.2～0.8重量％。在所包含的唑系化合物小于0.1重量％的情况下，对铜等配线的蚀刻速度增大而使侵蚀(attack)防止效果降低。另一方面，在所包含的唑系化合物超过1重量％的情况下，对含钼(Mo)金属膜、金属氧化物膜的蚀刻速度降低而出现工序时间变长等损失。(D)羟胺衍生物本专利技术的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物所包含的羟胺衍生物起到金属螯合剂的作用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含：(A)过氧化氢5～30重量％、(B)氟化合物0.1～2重量％、(C)唑系化合物0.1～1重量％、(D)羟胺衍生物0.1～5重量％、和(E)余量的水。

【技术特征摘要】
2016.03.30 KR 10-2016-00382311.一种含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含：(A)过氧化氢5～30重量％、(B)氟化合物0.1～2重量％、(C)唑系化合物0.1～1重量％、(D)羟胺衍生物0.1～5重量％、和(E)余量的水。2.根据权利要求1所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，含钼金属膜的蚀刻液组合物能够蚀刻由钼或钼合金构成的单层膜，或者由上述单层膜和金属氧化物膜构成的多层膜。3.根据权利要求2所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属氧化物膜是选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌和氧化铟镓锌中的一种以上。4.根据权利要求2所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述由单层膜和金属氧化物膜构成的多层膜是氧化铟膜/钼、氧化铟膜/钼合金、氧化铟膜/钼/氧化铟膜、或氧化铟膜/钼合金/氧化铟膜。5.根据权利要求2所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述钼合金包含钼以及选自钕、钽、铟、铜、钯、铌、镍、铬、镁、钨、镤和钛中的一种以上...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇成，金炼卓，梁圭亨，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR