存储器设备的读取/验证操作和控制方法技术

存储器设备的数据读取操作方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态，将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线，并将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备的读取/验证操作和控制方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年3月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0036110号的权益，通过引用将其公开全部包括于此。
本专利技术构思的示例实施例涉及存储器设备、存储器系统和/或存储器设备的读取/验证操作方法。例如，至少一些示例实施例涉及用于减小施加到选择的单元的字线的字线电压的建立时间的存储器设备，包括该存储器设备的存储器系统和/或该存储器设备的读取/验证操作方法。
技术介绍
存储器设备用于存储数据且被分类为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。作为非易失性存储器设备的示例的闪存存储器设备可以用于移动电话、数码相机、个人数字助理(PDA)、便携式计算机设备、固定计算机设备等中。
技术实现思路
本专利技术构思的至少一些示例实施例提供用于减小施加到选择的单元的字线的字线电压的建立时间以例如改进读取/验证操作速度的存储器设备。本专利技术构思的示例实施例提供包括该存储器设备的存储器系统。本专利技术构思的示例实施例还提供该存储器设备的读取/验证操作方法。根据本专利技术构思的示例实施例，提供了存储器设备的数据读取操作方法，该方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态；将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线；以及将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。根据本专利技术构思的示例实施例，提供了存储器设备的编程验证操作方法，该方法包括：将编程电压施加到存储器设备的选择的单元的字线并将编程通过电压施加到存储器设备的未选择的单元的字线；将具有第一准备电平和第一目标电平的验证电压施加到选择的单元的字线以验证选择的单元的编程状态；将具有第二准备电平和第二目标电平的第一验证通过电压施加到未选择的单元当中的不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线；以及将具有第三目标电平的第二验证通过电压施加到未选择的单元当中的与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。根据本专利技术构思的示例实施例，控制存储器设备的方法可以包括接收读取与存储器设备的选择的单元关联的编程状态的请求；将读取电压施加到选择的单元的字线以使得读取电压顺序地具有第一准备电平和目标电平；以及基于未选择的单元是否与选择的单元相邻将至少两个读取通过电压施加到存储器设备的不同的未选择的单元。附图说明从以下结合附图的详细说明可以更清楚地理解本专利技术构思的示例实施例，在附图中：图1是根据示例实施例的存储器系统的示意性框图；图2是图1中图示的存储器设备的框图；图3A到图3C是图示依据根据示例实施例的存储器设备的存储单元的阈值电压的分布的曲线图；图4是根据示例实施例的用于描述施加到每个字线的电压的图2的第一块的等效电路的电路图；图5是用于描述根据示例实施例的控制每个字线的电压电平的方法的时序图；图6A和图6B是用于描述根据示例实施例的施加到选择的字线的读取电压的建立时间减小的效果的曲线图；图7是用于描述根据另一示例实施例的控制每个字线的电压电平的方法的时序图；图8是用于描述根据另一示例实施例的控制每个字线的电压电平的方法的时序图；图9是用于描述根据另一示例实施例的控制每个字线的电压电平的方法的时序图；图10是图示当在存储单元中写入2位数据时的编程和验证操作的图；图11是用于描述根据示例实施例的基于选择的单元的位置控制施加到连接到第一未选择的单元的字线的读取通过电压的方法的图；图12是用于描述根据另一示例实施例的基于选择的单元的位置控制施加到连接到第一未选择的单元的字线的读取通过电压的方法的图；图13是根据示例实施例的控制读取电压和读取通过电压的方法的流程图；图14是根据另一示例实施例的控制读取电压和读取通过电压的方法的流程图；图15是根据另一示例实施例的控制读取电压和读取通过电压的方法的流程图；图16是根据示例实施例的存储卡系统的框图；和图17是根据示例实施例的固态盘(SSD)系统的框图。具体实施方式图1是根据示例实施例的存储器系统10的示意性框图。参考图1，存储器系统10可以包括存储器设备100和存储器控制器200。存储器设备100可以包括存储单元阵列MCA和电压控制器VC。存储单元阵列MCA可以包括多个存储单元。例如，多个存储单元可以是闪存存储单元。在下文中，描述多个存储单元是NAND闪存存储单元的示例。但是，本专利技术构思的示例实施例不限于此。例如，在其他实施例中，多个存储单元可以是诸如电阻性随机存取存储器(RRAM)的电阻性存储单元、相变随机存取存储器(PRAM)或者磁性随机存取存储器(MRAM)。在示例实施例中，存储单元阵列MCA可以是三维(3D)存储器阵列。3D存储器阵列是在至少一个物理级中形成存储单元阵列的单片存储器阵列，该存储单元阵列具有布置在硅衬底上的有源区和与存储单元的操作有关且在硅衬底上或者硅衬底中形成的电路。术语“单片”指示阵列的每个层级(level)的层直接堆叠在阵列的每个较低层级的层上。在示例实施例中，3D存储器阵列包括以至少一个存储单元在另一存储单元之上的方式垂直地布置的NAND串。至少一个存储单元可以包括电荷俘获层。美国专利第7,679,133号、美国专利第8,553,466号、美国专利第8,654,587号、美国专利第8,559,235号和美国专利申请公开第2011-0233648号公开了在多个层级中形成3D存储器阵列并在层级之间共享字线和/或位线的结构，其通过引用包括于此。另外，美国专利申请公开第2014-0334232号和美国专利第8,488,381号通过引用包括于此。存储器控制器200可以控制存储器设备100以响应于从主机HOST发送的读取/写入请求，读取存储在存储器设备100中的数据和/或写入数据到存储器设备100。详细地，存储器控制器200可以通过向存储器设备100提供地址ADDR、命令CMD和/或控制信号CTRL，来控制用于存储器设备100的编程(或者写入)操作、读取操作和/或擦除操作。另外，用于编程操作的数据DATA和读取数据DATA可以在存储器控制器200和存储器设备100之间发送和接收。虽然未示出，但是存储器控制器200可以包括存储器、处理器、主接口和存储器接口。存储器可以用作处理单元的操作存储器。存储器可以包括非暂时性计算机可读介质。非暂时性计算机可读介质的示例包括磁介质，诸如硬盘、软盘和磁带；光学介质，诸如CDROM盘和DVD；磁光介质，诸如光盘；和特别配置为存储和执行程序指令的硬件设备，诸如只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、闪存存储器等。非暂时性计算机可读介质还可以是分布式网络，以使得以分布式方式存储和执行程序指令。处理器可以控制存储器控制器200的操作。处理器可以是运算逻辑单元、数字信号处理器、微计算机、现场可编程阵列、可编程逻辑单元、微处理器或者能够以所定义的方式响应于指令和执行指令的任何其他设备。存储器可以包括计算机可读代码，当由处理器执行该计算机可读代码时将处理器配置为专用计算机。主机接口可以包括用于在主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对存储器设备执行数据读取操作的方法，所述方法包括：将读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取所述选择的单元的编程状态，以使得所述读取电压在达到第一目标电平之前设置为第一准备电平；将第一读取通过电压施加到第一未选择的单元的至少一个字线，以使得所述第一读取通过电压在达到第二目标电平之前设置为第二准备电平，所述第一未选择的单元是不与所述选择的单元相邻且在与所述选择的单元相同的串中的单元；以及将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与所述选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。

【技术特征摘要】
2016.03.25 KR 10-2016-00361101.一种对存储器设备执行数据读取操作的方法，所述方法包括：将读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取所述选择的单元的编程状态，以使得所述读取电压在达到第一目标电平之前设置为第一准备电平；将第一读取通过电压施加到第一未选择的单元的至少一个字线，以使得所述第一读取通过电压在达到第二目标电平之前设置为第二准备电平，所述第一未选择的单元是不与所述选择的单元相邻且在与所述选择的单元相同的串中的单元；以及将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与所述选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述施加读取电压施加所述读取电压以使得所述第一目标电平大于所述第一准备电平，并且所述施加第一读取通过电压施加所述第一读取通过电压以使得所述第二目标电平大于所述第二准备电平。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述施加第一读取通过电压包括：基于所述选择的单元的字线的位置将具有所述第二目标电平的第三读取通过电压选择性地施加到所述第一未选择的单元的至少一个字线。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述施加第一读取通过电压包括：在第一时段中将所述第一读取通过电压从启动电平调整到所述第二准备电平；以及在第二时段中将所述第一读取通过电压从所述第二准备电平调整到所述第二目标电平。5.如权利要求4所述的方法，其中，所述施加读取电压包括：在所述第一时段中将所述读取电压从启动电平调整到所述第一准备电平；以及在所述第二时段中将所述读取电压从所述第一准备电平调整到所述第一目标电平。6.如权利要求5所述的方法，其中，所述施加第二读取通过电压包括：在第三时段期间将所述第二读取通过电压从启动电平调整到所述第三目标电平，所述第三时段是等于所述第一时段和第二时段之和的时间段。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述施加第一读取通过电压和所述施加第二读取通过电压施加电压，以使得所述第二目标电平和第三目标电平大于所述选择的单元的阈值电压分布的最大阈值电压电平。8.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二目标电平的大小等于或者不同于所述第三目标电平的大小。9.如权利要求1所述的方法，其中，所述施加读取电压设置所述读取电压且所述施加第一读取通过电压设置所述第一读取通过电压，以使得与所述第一准备电平和第二准备电平中的至少一个关联的电压根据用于所述数据读取操作的读取电压的第一目标电平而变化。10.如权利要求9所述的方法，其中，所述施加读取电压将所述读取电压设置为所述第一准备电平，且所述施加第一读取通过电压将所述第一读取通过电压设置为所述第二准备电平，以使得与所述第一准备电平和第二准备电平关联的电压随着所述第一目标电平的大小增加而增加。11.如权利要求1所述的方法，其中，所述第三目标电平的大小大于或者小于所述第二目标电平的大小。12.一种对存储器设备执行编程验证操作的方法，所述方法包括：将编程电压施加到所述存储器设...

【专利技术属性】
技术研发人员：李耀翰，金志锡，俞昌渊，千镇泳，张实完，高准英，郑盛旭，金志秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，延世大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国,KR