A semiconductor device has a lead frame, the lead frame comprises a slender lead pad (110) surrounded by (101), the lead (110) through the gap (113) and the pad and extends to the frame pad and the wire has a first thickness and has a first surface and opposite the first surface and parallel the second part has a first surface; the first wire thickness close to the gap (112) and close to the first frame thickness of second parts (111), and region second reduced thickness between the first part and the second part of the first second; second surface and the second part of the line section (111a) coplanar. A semiconductor chip with a terminal attached to the pad. A metal wire connected from a terminal to an adjacent lead includes a pin type bond attached to the first surface of the lead.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例总体涉及半导体器件和工艺领域,并且更具体地涉及引线框架的结构以及通过自支撑引线和临时柔顺的接口进行键合和成型操作的方法。
技术介绍
在半导体器件制造中频繁实践的技术中,半导体芯片被附连到引线框架的焊盘,然后通过使用由铜、金或铝制成的直径为大约25μm的导线的导线键合技术将芯片端子连接到相应的引线。在使用自动键合器的导线键合工艺中,导线被捆扎穿过具有适用于引导金属导线的细孔的陶瓷毛细管。在从毛细管尖端突出的导线末端处,通过使用火焰或火花技术融化导线末端来产生无空气球。该球具有大约1.5倍导线直径的典型直径。将毛细管朝向芯片端子移动,通过压力且通常结合发射超声能量时该球相对于焊盘的超声运动来抵靠焊盘的金属化层按压该柔性球。该键合工艺导致金属钉头或压扁的球通过金属间化合物(金属间键合)被附连到芯片焊盘。在球附连之后,带有导线的毛细管被提起以跨过从球到引线框架的引线之间的拱形。引线框架已经通过从金属板冲压或蚀刻提前制造;长引线通常已经用半蚀刻技术生产。当导线接触引线表面时,抵靠导线按压毛细管尖端以便抵靠引线将其压平,因此形成至引线的针脚式(或楔形)键合。该附连工艺形成金属相互扩散或焊接点(扩散键合)。基于毛细管尖端的几何形状,毛细管在被附连的导线的压扁部分中留下印记。毛细管再次上升到足够的高度以显示导线的长度具有足够的金属以形成下一个球。然后,启用撕裂方法以便在接近针脚式键合的端头处折断导线并且留下裸露的导线长度悬挂于毛细管尖端以准备下一个球成形融化步骤。近期应用需要半导体器件在顶部引线框架表面和底部引线框架表面上提供不同的导电迹线图案。产生这 ...
【技术保护点】
一种引线框架,其包含:由细长金属引线包围的金属焊盘,其中所述引线通过间隙与所述焊盘隔开并且延伸到框架;由基底金属板制成的所述焊盘和所述引线具有第一厚度并且具有第一表面和与所述第一表面相对且平行的第二表面;所述引线具有接近所述间隙的第一厚度的第一部分和接近所述框架的第一厚度的第二部分,以及在所述第一部分与所述第二部分之间的减小的第二厚度的区域;其中所述第一引线部分具有带有可键合冶金的第一表面以及与所述第二部分的所述第二表面共面的第二表面。
【技术特征摘要】
2016.03.23 US 15/078,0711.一种引线框架,其包含:由细长金属引线包围的金属焊盘,其中所述引线通过间隙与所述焊盘隔开并且延伸到框架;由基底金属板制成的所述焊盘和所述引线具有第一厚度并且具有第一表面和与所述第一表面相对且平行的第二表面;所述引线具有接近所述间隙的第一厚度的第一部分和接近所述框架的第一厚度的第二部分,以及在所述第一部分与所述第二部分之间的减小的第二厚度的区域;其中所述第一引线部分具有带有可键合冶金的第一表面以及与所述第二部分的所述第二表面共面的第二表面。2.根据权利要求1所述的引线框架,其中所述基底金属选自包括铜、铜合金、铝、铝合金、铁镍合金和科伐合金的群组。3.根据权利要求2所述的器件,其中所述可键合冶金包括镀覆在所述基底金属上的一层镍和镀覆在所述镍层上的一层钯,以及可选地镀覆在所述钯层上的一层金。4.一种半导体器件,其包含:引线框架,其包含由细长引线包围的焊盘,所述引线通过间隙与所述焊盘隔开并且延伸到框架,由基底金属板制成的所述焊盘和所述引线具有第一厚度并且具有第一表面和与所述第一表面相对且平行的第二表面,所述引线具有接近所述间隙的第一厚度的第一部分和接近所述框架的第一厚度的第二部分以及在所述第一部分与所述第二部分之间的减小的第二厚度的区域,所述第一引线部分的所述第二表面与所述第二部分的所述第二表面共面;附连到所述焊盘的所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·B·麦洛,M·G·R·皮恩拉克,B·J·L·维拉卡洛斯,J·G·卡亚拜,J·C·A·里曼多,
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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