The invention discloses a preparation method of tear film HIT solar cell conductive gate line, and comprises the following steps: silicon wafer in the upper surface and the lower surface with a layer of photosensitive film, a protective film of photographic film; photographic film and silicon contact part of the exposure area in the exposure area extending outward a a buffer, the remaining non buffer; and the wafer will correspond to the size of the exposure area of photographic film area and non buffer exposure; cutting off outside the scope of the buffer region; tore off the protective film on the surface of the photosensitive film. The invention of photographic film toughness after exposure decreases, the adhesion between the photosensitive film and protective film and after exposure is also smaller, is conducive to the tear film, protective film is easy to tear, buffer unexposed area of the photosensitive film toughness is good, not easy to be torn, the exposure of the photosensitive film of the knife edge cutting more easily tear film and not because of the serrated cutting crack and extends to the surface of a silicon wafer, will not affect the exposure pattern.
【技术实现步骤摘要】
一种制备HIT太阳能电池导电栅线的撕膜方法
本专利技术涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种制备HIT太阳能电池导电栅线的撕膜方法。
技术介绍
HIT太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池,相对传统单/多晶硅电池,有更高的发电效率,更好的稳定性和更低的成本。HIT太阳能电池的高电导栅线制备工艺包括:贴膜、曝光显影、金属成栅等工序,其中贴膜时硅片感光膜表面有一层保护膜,在曝光后显影前需要撕掉。如图1所示,传统的硅片贴膜方法是在硅片201的上表面和下表面通过贴膜机贴上表面有一层保护膜202的感光膜203。撕膜工艺按照如图2所示的硅片201尺寸K1、K2相对应的区域的感光膜203按照工艺要求进行曝光,K1、K2以外部分不曝光,然后用裁切机构裁切掉K3、K4以外的区域,再经过撕膜机构撕掉感光膜203表面的保护膜202。上述撕膜方法由于裁切机构刀口裁切处为未曝光的感光膜,未曝光的感光膜203与保护膜202粘附力较大,不易把保护膜202从感光膜203表面撕掉,容易将未曝光的感光膜203裁切成如图3的锯齿状,在撕保护膜202时,感光膜203容易因裁切口的锯齿状204产生裂缝并延伸至硅片表面,从而影响硅片表面曝光图形,影响太阳能电池片的生产良率和制备质量。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供了一种制备HIT太阳能电池导电栅线的撕膜方法,解决了未曝光的感光膜由于裁切成锯齿状,撕保护膜时,感光膜容易因裁切口的锯齿状产生裂缝并延伸至硅片表面,从而影响硅片表面曝光图形,影响太阳能电池片的生产良率和制备质量。为解决上述技术问题,本专利技术所采用的技术方案是: ...
【技术保护点】
一种制备HIT太阳能电池导电栅线的撕膜方法,其特征在于:所述撕膜方法包括如下步骤:在硅片的上表面和下表面贴上一层感光膜,感光膜上设有保护膜;感光膜上与硅片接触的部分为曝光区,在曝光区向外延伸设一段缓冲区,其余为非缓冲区;将与硅片尺寸相对应区域的感光膜的曝光区和非缓冲区进行曝光;裁切掉缓冲区范围之外的一段区域;撕掉感光膜表面上的保护膜。
【技术特征摘要】
1.一种制备HIT太阳能电池导电栅线的撕膜方法,其特征在于:所述撕膜方法包括如下步骤:在硅片的上表面和下表面贴上一层感光膜,感光膜上设有保护膜;感光膜上与硅片接触的部分为曝光区,在曝光区向外延伸设一段缓冲区,其余为非缓冲区;将与硅片尺寸相对应区域的感光膜的曝光区和非缓冲区进行曝光;裁切掉缓冲区范围之外的一段区域;撕掉感光膜表面上的保护膜。2.根据权利要求1所述一种制备HIT太阳能电池导电栅线的撕膜方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:倪鹏玉,王树林,游文诚,李德辉,张明全,
申请(专利权)人:钧石中国能源有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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