电容器阵列及制造方法技术

本发明专利技术实施例提供的电容器阵列及制造方法。电容器阵列包括：第一组电容器和第二组电容器，第一组电容器包括第一电容器和第二电容器，第二组电容器包括第三电容器和第四电容器，第一电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器均为具有镜像对称平面极板的电容器，且包含上层极板和下层极板，第一电容器和第二电容器的同层平面极板以第一对称轴为轴成镜像对称分布，第三电容器和第四电容器的同层平面极板以第二对称轴为轴成镜像对称分布，第一对称轴与第二对称轴之间具有预设角度。所以从一组电容耦合到另一组电容的信号大小完全相等，构成共模信号，该共模信号可以被差分信号检测端口过滤，从而改善了不同电容通道之间的干扰问题。

Capacitor array and manufacturing method

Capacitor array and manufacturing method provided by embodiment of the invention. The capacitor array includes a first capacitor and second capacitor group, the first group of capacitor includes a first capacitor and second capacitor, the second capacitor group including third and fourth capacitors, all capacitors with mirror symmetry plane plate as a first capacitor, a second capacitor, a third capacitor and fourth the capacitor, and comprises the upper polar plate and the lower plate, the first and second capacitors with the plane plate to the first axis of symmetry axis into mirror symmetry distribution, third and fourth capacitors of the same layer of flat plates with second axis symmetrical mirror image symmetrical distribution with preset angle between the first axis of symmetry and the second axis of symmetry. So from one group to another group of capacitive coupling capacitance signal exactly the same, a common mode signal, the common mode signal can be differential signal detection port filter, so as to improve the interference between different channel capacitance.

【技术实现步骤摘要】
电容器阵列及制造方法
本专利技术涉及电气元件领域，具体而言，涉及一种电容器阵列及制造方法。
技术介绍
使用电容在具有高电压差的芯片或模块之间传输信号，在通讯模块和数据总线中具有广泛的应用。随着系统集成度的提高，分立电容器件逐渐被芯片上的集成电容取代。集成电容多采取平面结构，包含上下两层平面金属极板，通过极板间的介质层实现电容极板之间的高压隔离和电场耦合。随着系统体积的缩小以及传输信号的脉冲宽度的缩短，集成电容的极板面积相应的缩小，并且相邻电容的间距也不断缩小。这导致了不同电容的极板之间耦合增强，属于不同信号通道的电容之间会产生更强的干扰信号。传统的差分信号检测方法虽然可以有效过滤共模干扰信号，但无法消除由于集成电容内在的通道间耦合产生的非共模干扰信号，特别是在使用电容进行双向信号传输的时，通道间的耦合情况更加复杂和显著。因此，如何解决电容集成技术中不同电容通道的干扰问题是本领域亟需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种电容器阵列及制造方法，以改善现有的电容集成技术中不同电容通道的干扰问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种电容器阵列，包括第一组电容器和第二组电容器，所述第一组电容器包括第一电容器和第二电容器，所述第二组电容器包括第三电容器和第四电容器，所述第一电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器均为具有镜像对称平面极板的电容器，包含上层极板和下层极板，所述第一电容器和第二电容器的同层极板以第一对称轴为轴成镜像对称分布，所述第三电容器和第四电容器的同层极板以第二对称轴为轴成镜像对称分布，所述第一对称轴与第二对称轴之间具有预设角度。一种电容器阵列的制造方法，用于制造上述的电容器阵列，所述方法包括：在衬底沉积第一介质层；使用金属材料在所述第一介质层形成电容器的第一极板；在所述第一极板的表面以及第一介质层的表面形成第二介质层；使用金属材料在所述第二介质层形成电容器的第二极板；在所述第二极板的表面以及第二介质层的表面形成第三介质层。本专利技术实施例提供的电容器阵列及制造方法的有益效果为：本专利技术实施例提供的电容器阵列及制造方法包括第一组电容器和第二组电容器，其中第一组电容器包括第一电容器和第二电容器，第二组电容器包括第三电容器和第四电容器，第一电容器、第二电容器、第三电容器以及第四电容器均为具有镜像对称平面极板的电容器，包含上层极板和下层极板，并且第一电容器和第二电容器的同层极板以第一对称轴为轴成镜像对称分布，第三电容器和第四电容器的同层极板以第二对称轴为轴成镜像对称分布，并且第一对称轴与第二对称轴具有预设角度。第一电容器、第二电容器各自的平面极板关于第二对称轴成镜像对称，第三电容器以及第四电容器各自的平面极板关于第一对称轴成镜像对称，因此第一电容器上(下)层极板与第三电容器、第四电容器上层极板或下层极板之间的寄生电容是对称(相等)的，第二电容器上(下)层极板与第三电容器、第四电容器上层极板或下层极板之间的寄生电容是对称(相等)的，第三电容器上(下)层极板与第一电容器、第二电容器上层极板或下层极板之间的寄生电容是对称(相等)的，第四电容器上(下)层极板与第一电容器、第二电容器上层极板或下层极板之间的寄生电容是对称(相等)的。所以一组电容耦合到另一组电容的信号大小完全相等，构成共模信号，该共模信号可以被差分信号检测端口过滤，从而改善了不同电容通道的干扰问题。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术第一实施例提供的电容器阵列的部分结构的俯视示意图；图2是本专利技术第一实施例提供的电容器阵列的一种具体实施方式的单层极板俯视示意图；图3a是本专利技术第一实施例提供的电容器阵列的上极板的俯视示意图；图3b是本专利技术第一实施例提供的电容器阵列的下极板的俯视示意图；图4a是本专利技术第二实施例提供的电容器阵列的结构示意图；图4b是图4a示出的电容器阵列的上极板的俯视示意图；图4c是图4a示出的电容器阵列的下极板的俯视示意图；图5是本专利技术实施例示出的电容器阵列的制作方法的分步示意图；图6是本专利技术实施例示出的电容器阵列的制作方法的流程示意图。图标：10-电容器阵列；110-第一组电容器；111-第一电容器；112-第二电容器；120-第二组电容器；121-第三电容器；122-第四电容器；130-第一对称轴；140-第二对称轴；150-导体结构；161-第一走线；162-第二走线；163-第三走线；164-第四走线；171-第一焊盘；172-第二焊盘；173-第三焊盘；174-第四焊盘；180-寄生电容；191-上层极板；192-下层极板；193-子极板；201-第一开口；202-第二开口；210-衬底；220-第一介质层；230-第一极板；240-第二介质层；250-第二极板；260-第三介质层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。详情请参见图1，图1示出了本专利技术第一实施例提供的电容器阵列10的俯视示意图。该电容器阵列10包括第一组电容器110和第二组电容器120。其中，第一组电容器110包括第一电容器111和第二电容器112，第二组电容器120包括第三电容器121和第四电容器122。上述电容器均包含上层极板191和下层极板192。上述电容器的下层极板192由同一工艺步骤制作，大致位于一个平面内；上述电容器的上层极板191也由同一工艺步骤制作，也大致位于一个平面内；所以电容器的上层极板191和下层极板192均为平面极板。上述电容器的上下层极板的位置和形状在垂直方向上相互对应，因此在俯视示意图中电容器的上层极板与下层极板重合，图1所示的俯视示意图既代表上层极板191俯视示意图又代表下层极板192俯视示意图。本专利技术中的镜像对称是指把图形沿着对称轴折叠，对称轴两旁的部分能够互相重合。本专利技术中的平面极板等三维结构镜像对称是指该三维结构的俯视图形镜像对称。第一电容器111为具有镜像对称平面极板的电容器，具体表现为第一电容器111的上下两层平面极板俯视图形均为镜像对称图形。类似的，第二电容器112为具有镜像对称平面极板的电容器，具体表现为第二电容器112的上下两层平面极板俯视图形均为镜像对称图形。第一电容器111与第二电容器112的同层极板俯视图以第一对称轴130为轴成镜像对称分布。第三电容器121为具有镜像对称平面极板的电容器，具体表现为第三电容器121的上下两层平面极板俯视图形均为镜像对称图形。类似的，第四电容器122为具有镜像对称平面极板的电容器，具体表现为第四电容器122的上下两层平面极板俯视图形均为镜像对称图形。第三电容器121的极板的形状可以与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器阵列，其特征在于，所述电容器阵列包括：第一组电容器和第二组电容器，所述第一组电容器包括第一电容器和第二电容器，所述第二组电容器包括第三电容器和第四电容器，所述第一电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器均为具有镜像对称平面极板的电容器，且包含上层极板和下层极板，所述第一电容器和第二电容器的同层平面极板以第一对称轴为轴成镜像对称分布，所述第三电容器和第四电容器的同层平面极板以第二对称轴为轴成镜像对称分布，所述第一对称轴与第二对称轴之间具有预设角度。

【技术特征摘要】
1.一种电容器阵列，其特征在于，所述电容器阵列包括：第一组电容器和第二组电容器，所述第一组电容器包括第一电容器和第二电容器，所述第二组电容器包括第三电容器和第四电容器，所述第一电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器均为具有镜像对称平面极板的电容器，且包含上层极板和下层极板，所述第一电容器和第二电容器的同层平面极板以第一对称轴为轴成镜像对称分布，所述第三电容器和第四电容器的同层平面极板以第二对称轴为轴成镜像对称分布，所述第一对称轴与第二对称轴之间具有预设角度。2.根据权利要求1所述的电容器阵列，其特征在于：所述第一电容器的平面极板关于所述第二对称轴成镜像对称；所述第二电容器的平面极板关于所述第二对称轴成镜像对称；所述第三电容器的平面极板关于所述第一对称轴成镜像对称；所述第四电容器的平面极板关于所述第一对称轴成镜像对称。3.根据权利要求1所述的电容器阵列，其特征在于：所述第一对称轴与第二对称轴之间的预设角度的角度范围为80°至100°。4.根据权利要求1所述的电容器阵列，其特征在于：所述第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器的极板均包括至少一个子极板。5.根据权利要求4所述的电容器阵列，其特征在于：还包括导体结构，所述第一电容器的极板和第二电容器的极板均包括多个子极板，所述第一电容器的极板的多个子极板通过所述导体结构连接，所述第二电容器的极板的多个子极板通过所述导体结构连接。6.根据权利要求1所述的电容器阵列，其特征在于：还包括导体结构，所述导体结构分别设置于所述第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器极板的边缘位置，上下层极板的导体结构形状可独立设置，并且：设置于第一电容器的极板的边缘位置的导体结构的面积小于第一电容器的极板的面积；设置于第二电容器的极板的边缘位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：方向明，伍荣翔，
申请(专利权)人：成都线易科技有限责任公司，电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51