The utility model relates to a IBC battery and a component and a system thereof. The back surface of N type crystal silicon substrate IBC battery of the utility model. From the inside to the outside are arranged alternately back surface and the back surface area of n+ doped p+ doped region, back surface passivation layer and a back surface electrode; electrode surface including n+ electrode and p+ electrode; the back surface passivation layer is arranged on the n+ hole array and p+ hole array, n+ electrode through the n+ hole array and the back surface of n+ doped region ohmic contact, p+ electrode through the p+ hole array and the back surface of p+ doped region ohmic contact. The beneficial effect is: in the process of metallization, with line contact instead of point contact, reduces the metal electrode and the composite doped silicon interface; forming aluminum electrode using low temperature process, not to damage a doped silicon surface; excellent metal semiconductor contact between aluminum and silicon doped aluminum electrodes p+ and n+; the aluminum electrode through the disposable mask deposition, simplifies the production process; the battery has open circuit voltage and the fill factor and conversion efficiency is higher.
【技术实现步骤摘要】
一种IBC电池和组件、系统
本技术涉及太阳能电池
,具体涉及一种IBC电池和组件、系统。
技术介绍
太阳能电池是一种将光能转化为电能的半导体器件,较低的生产成本和较高的能量转化效率一直是太阳能电池工业追求的目标。对于目前常规太阳能电池,其p+掺杂区域接触电极和n+掺杂区域接触电极分别位于电池片的正反两面。电池的正面为受光面,正面金属接触电极的覆盖必将导致一部分入射的太阳光被金属电极所遮挡反射,造成一部分光学损失。普通晶硅太阳能电池的正面金属电极的覆盖面积在7%左右,减少金属电极的正面覆盖可以直接提高电池的能量转化效率。IBC电池,是一种将p+掺杂区域和n+掺杂区域均放置在电池背面(非受光面)的电池,该电池的受光面无任何金属电极遮挡,从而有效增加了电池片的短路电流,使电池片的能量转化效率得到提高。其背表面的金属化一般采用丝网印刷法印刷线条状的掺铝银浆和银浆,这些浆料经高温烧结后烧穿背表面钝化层与p+和n+掺杂区域形成欧姆接触。这种金属化方法存在如下不足:金属浆料和硅表面接触区域为线条状,在接触区域有严重的复合,接触面积越大,复合越大;在高温烧结过程中金属浆料会对硅表面形成一定程度的破坏。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种IBC电池和组件、系统。本技术采用低温工艺形成点状接触的铝电极,同时p+铝电极和n+铝电极透过掩膜一次性沉积完成,简化了制作工艺,克服了现有IBC电池的金属化方法的不足。本技术化提供了一种IBC电池,N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为n+掺杂前表面场和前表面钝化减反膜;N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背 ...
【技术保护点】
一种IBC电池,包括N型晶体硅基体,其特征在于:N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为n+掺杂前表面场和前表面钝化减反膜;N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域、背表面钝化层和背表面电极;所述背表面电极包括n+电极和p+电极;所述背表面钝化层上设置有n+孔状阵列和p+孔状阵列,所述n+电极穿过所述n+孔状阵列与背表面n+掺杂区域欧姆接触,所述p+电极穿过所述p+孔状阵列与背表面p+掺杂区域欧姆接触;所述n+孔状阵列的孔直径与所述p+孔状阵列的孔直径之比为0.1‑1。
【技术特征摘要】
1.一种IBC电池,包括N型晶体硅基体,其特征在于:N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为n+掺杂前表面场和前表面钝化减反膜;N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域、背表面钝化层和背表面电极;所述背表面电极包括n+电极和p+电极;所述背表面钝化层上设置有n+孔状阵列和p+孔状阵列,所述n+电极穿过所述n+孔状阵列与背表面n+掺杂区域欧姆接触,所述p+电极穿过所述p+孔状阵列与背表面p+掺杂区域欧姆接触;所述n+孔状阵列的孔直径与所述p+孔状阵列的孔直径之比为0.1-1。2.根据权利要求1所述的一种IBC电池,其特征在于:所述n+电极是n+铝电极,所述p+电极是p+铝电极;所述n+孔状阵列的孔直径小于所述p+孔状阵列的孔直径;所述n+掺杂区域的...
【专利技术属性】
技术研发人员:林建伟,刘志锋,季根华,刘勇,
申请(专利权)人:泰州中来光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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