用于测量电子设备的性能的方法和装置制造方法及图纸

技术编号:16287170 阅读:40 留言:0更新日期:2017-09-25 11:01
提供了用于测量电子设备的性能的方法和装置。所述装置包括:电磁波测量设备,用于测量电子设备的电磁波的实际电平;以及分析控制器,用于向电磁波的实际电平应用先前存储的电平改变值来计算电磁波的测量电平。在不使用根据国际标准建议的设备的情况下,用于测量电子设备的性能的方法和装置可以容易地测量电子设备的电磁波电平。

Method and apparatus for measuring performance of electronic equipment

Methods and apparatus for measuring the performance of an electronic device are provided. The device comprises a measurement device for measuring the electromagnetic wave, the electromagnetic wave of electronic equipment and the actual level of analysis; controller, electromagnetic wave to the actual level of application of the previously stored level change value to calculate the measured level of electromagnetic wave. A method and apparatus for measuring the performance of an electronic device without the use of a device recommended in accordance with international standards can easily measure the electromagnetic wave level of an electronic device.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于测量电子设备的性能的方法和装置。更具体地,本专利技术涉及用于测量电子设备的电磁兼容性(EMC)的装置及其方法。
技术介绍
电子设备执行各种功能,诸如呼叫功能、消息发送/接收功能、无线因特网功能、和导航功能。为此,使用各种电子组件来构造电子设备。电子设备向各种电子组件的一个或多个供电来执行期望的功能。当电子设备向各种电子组件的一个或者多个供电时,可能出现来自电子组件的辐射(RE)。RE可能作为(actas)电磁干扰(EMI),这可能对人体健康造成不利影响。电子设备可以根据各种电子组件实现的电磁敏感度(EMS)来抵抗RE。因此,为了为电子设备抑制RE,已经对指示相对于电子设备导致的EMI的性能的EMC以及电子设备实现的EMS进行控制。即,电子设备的EMC应该满足国际标准。然而,用于测量电子设备的EMC的设备占据很大的装置空间,并具有高昂的设备维护费。此外,上述设备花费长时间来测量电子设备的EMC。因此,存在对于减少用于测量电子设备的EMC的设备的装置空间、设备维护费、以及测量电子设备的EMC所花费的时间量的测量电子设备的性能的方法及其装置的需要。
技术实现思路
技术问题用于测量电子设备的EMC的设备占据很大的装置空间,并具有高昂的设备维护费。此外,上述设备花费长时间来测量电子设备的EMC。因此,存在对于减少用于测量电子设备的EMC的设备的装置空间、设备维护费、以及测量电子设备的EMC所花费的时间量的测量电子设备的性能的方法及其装置的需要。解决方案本专利技术的各方面用于解决至少上述问题和/或缺点,以及提供至少下述优点。因此,本专利技术的一方面用于提供减少用于测量电子设备的电磁兼容性(EMC)的设备的安装空间和设备维护费的用于测量电子设备的性能的方法,及其装置。本专利技术的另一方面用于提供减少了测量电子设备的EMC所花费的时间量的用于测量电子设备的性能的方法及其装置。有益效果根据本专利技术的一方面,提供了测量电子设备的性能的方法。该方法包括:获得由第一测量设备测量的电磁电平与通过第二测量设备测量的电磁电平之间的关系等式,通过第二测量设备测量测量目标电子设备的电磁波电平,以及基于测量的电磁波电平和关系等式获得要通过第一测量设备测量的测量目标电子设备的电磁波电平。根据本专利技术的另一方面,提供了通过测量设备测量电子设备的性能的方法。该方法包括:测量从电子设备辐射的第一电磁波电平,以及基于关系等式获得由另一测量设备测量的电子设备的电磁波电平,该关系等式基于第一测量电磁波电平和由测量设备和其他测量设备先前测量的电磁波电平来获得。根据本专利技术的又另一方面,提供了测量电子设备的性能的装置。该装置包括:a测量单元,测量从电子设备辐射的第一电磁波电平;以及控制器,其基于关系等式获得由另一测量设备测量的电子设备的电磁波电平,该关系等式基于第一测量电磁波电平和由测量设备和其他测量设备先前测量的电磁波电平来获得。从以下结合附图公开本专利技术的示范性实施例的详细描述中,本专利技术的其他方面、优点和显著特征将对本领域技术人员变得明显。附图说明从以下结合附图的描述中,本专利技术的某些示范性实施例的以上和其他方面、特征和优点将变得更加明显,附图中:图1是示出根据本专利技术的示范性实施例的用于测量电子设备的性能的装置的示图;图2是示出图1中所示的电磁波测量设备的示图;图3是示出根据本专利技术的示范性实施例的计算电平变化值的方法的流程图;图4A和4B是用于图解图3的曲线图;图5是示出根据本专利技术的示范性实施例的测量电子设备的性能的方法的流程图;图6A、6B和7是用于图解图5的曲线图;以及图8是示出根据本专利技术的示范性实施例的测量电子设备的性能的方法的流程图。在整个附图中,相似的参考数字将被理解为指代相似的部分、组件和结构。具体实施方式提供参照附图的以下描述来帮助对如权利要求及其等同内容所限定的本专利技术的示范性实施例的全面理解。包括各种特定的细节来帮助理解,但是这些细节应被认为仅是示范性的。因此,本领域普通技术人员将认识到,在不脱离本专利技术的范围和精神的情况下,可以对在此描述的实施例进行各种改变和修改。此外,为了清楚和简明,可以省略公知功能和结构的描述。在下面的描述和权利要求中使用的术语和词汇不限于词典意义,而是仅由专利技术人用来使对本专利技术的理解能够清楚和一致。因此,对本领域技术人员来说应该显而易见的是,提供本专利技术的示范性实施例的以下描述仅用于说明性目的,而不是为了限制如所附权利要求及其等同内容所限定的专利技术的目的。应该理解,除非上下文清楚地指示其他,否则单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数指代。因而,例如,提及“一个组件表面”包括提及一个或多个这样的表面。如在此使用的,术语“电磁波的参考电平”指代以国际标准建议的方式测量的电子设备的电磁波电平。例如,电磁波的参考电平通过用于确定相对于国际标准的电子设备的电磁兼容性(EMC)的设备来测量。例如,国际标准被确定为通过暗室(chamber)的测量结果。因此,电磁参考电平通过暗室测量,并且可以将所测量的电磁参考电平与国际标准比较。通过暗室测量电磁波参考电平大约花费1小时。在此情况中,暗室具有如下的结构,在其中接收天线和旋转台设置在六面体内部。这里,接收天线被设置在旋转台上,在垂直方向上与地面间隔开,并且在水平方向上与电子设备间隔开。此外,当接收天线接收电子设备的电磁波时,根据旋转台的旋转而旋转接收天线,以分别接收来自电子设备的电磁波的垂直分量和水平分量。通过这样,测量电子设备的电磁波的参考电平,即,分别测量垂直参考电平和水平参考电平。根据本专利技术的示范性实施例,可以基于从EMC暗室测量的电子设备的辐射水平来确定电磁波的参考电平。根据本专利技术的示范性实施例,EMC暗室可以是指参考测量设备。电磁波的参考电平可以是指参考电磁波分布。如在此使用的,术语“电磁波的比较电平”指代用于与电磁波电平比较的电子设备的电磁电平。在此情况中,通过具有相同的电磁电平的电子设备来确定电磁波的比较电平。此外,可以通过与电磁参考电平相同的设备或不同的设备来测量电磁波的比较电平。例如,可以通过横电磁波(TEM)单元或射频(RF)屏蔽盒来测量电磁波的比较电平。在TEM单元和RF屏蔽盒中,安装在屏蔽空间中的电子设备接收电磁波。通过TEM单元或RF屏蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量电子设备的性能的方法,该方法包括:获得通过第一测量设备测量的电磁电平与通过第二测量设备测量的电磁电平之间的关系等式;通过第二测量设备测量测量目标电子设备的电磁波电平;以及基于测量的电磁波电平和关系等式获得要通过第一测量设备测量的测量目标电子设备的电磁波电平。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.04 KR 10-2011-01008011.一种测量电子设备的性能的方法,该方法包括:
获得通过第一测量设备测量的电磁电平与通过第二测量设备测量的电
磁电平之间的关系等式;
通过第二测量设备测量测量目标电子设备的电磁波电平;以及
基于测量的电磁波电平和关系等式获得要通过第一测量设备测量的测
量目标电子设备的电磁波电平。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述关系等式的获得包括通过第
一测量设备和第二测量设备测量背景噪声。
3.如权利要求2所述的方法,其中,所述关系等式的获得包括:
通过第一测量设备和第二测量设备测量从参考信号发生器辐射的电磁
波电平;以及
比较通过第二测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平与通过第一
测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平。
4.如权利要求3所述的方法,其中,所述电磁电平的比较包括分别比
较通过第二测量设备测量的参考信号发生器的水平和垂直电磁电平与通过
第一测量设备测量的参考信号发生器的水平和垂直电磁电平。
5.如权利要求3所述的方法,其中,所述电磁电平的比较包括按频带
比较通过第二测量设备测量的参考信号发生器的电磁电平与通过第一测量
设备测量的参考信号发生器的电磁电平,从而基于按频带的比较结果获得按
频率的权重函数。
6.如权利要求1所述的方法,其中,所述关系等式的获得包括接收先
前通过第一测量设备测量的电磁电平和先前通过第二测量设备测量的电磁
电平。
7.一种通过测量设备测量电子设备的性能的方法,该方法包括:
测量从电子设备辐射的第一电磁波电平;以及
基于关系等式获得通过另一测量设备测量的电子设备的电磁波电平,所
述关系等式基于先前通过所述测量设备和其他测量设备测量的电磁波电平
和第一测量电磁波电平来获得。
8.如权利要求7所述的方法,其中,基于通过第一测量设备和第二测

\t量设备测量的背景噪声来获得所述关系等式。
9.如权利要求8所述的方法,其中,基于通过所述测量设备和其他测
量设备来测量从参考信号发生器辐射的电磁波电平,并且比较通过其他测量
设备测量的参考信号发生器的电磁电平与通过所述测量设备测量的参考信
号发生器的电磁电平来获得所...

【专利技术属性】
技术研发人员:金廷珉徐建荣梁光模姜秉焕朴凤熙
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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