陶瓷封装片式自加热低功耗恒温晶体振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种陶瓷封装片式自加热低功耗恒温晶体振荡器，包括基座，封闭基座的外壳，所述的基座内设有晶片固定台，晶片的两端与晶片固定台连接，晶片的表面设有晶体电极和加热电阻膜；晶片的下方设有温度传感器，温度传感器的下方设置OCXO控温和振荡集成电路。本发明专利技术消除了传统控温电路温度传感器和晶体之间温度梯度，减小控温电路相应时间，从而实现了精准快速控温；晶体和电路封装到陶瓷腔体内，实现了产品小型化。

Ceramic packaged chip self heating low power constant temperature crystal oscillator

The invention discloses a ceramic package type self heating low power thermostatic crystal oscillator, which comprises a base, the base closed shell, the base is arranged in the platen, and both ends of the wafer platen connected with the crystal electrode and the heating resistor film surface of the wafer; wafer is provided with a temperature sensor, the temperature below the sensor set OCXO temperature control and oscillation integrated circuit. The invention eliminates the traditional temperature control circuit of temperature sensor and temperature gradient, reduce the temperature control circuit of the corresponding time, so as to realize the accurate temperature control; crystal and circuit package to the ceramic cavity, realizes the miniaturization of products.

【技术实现步骤摘要】
陶瓷封装片式自加热低功耗恒温晶体振荡器
本专利技术涉及压电石英晶体，具体是一种陶瓷封装片式自加热低功耗恒温晶体振荡器。
技术介绍
现有的恒温晶体振荡器产品都是通过控制晶体外围的环境温度来实现晶体温度恒定的，恒温晶振控温电路的温度控制传感器、加热体和晶体的晶片间必然存在热梯度和能量损耗，这直接导致了传统恒温晶振的功耗和体积较大，稳定时间较长。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种陶瓷封装片式自加热低功耗恒温晶体振荡器，其可以消除传统控温电路温度传感器和晶体之间温度梯度，减小控温电路相应时间，从而实现精准快速控温；晶体和电路封装到陶瓷腔体内，实现了产品小型化。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：一种陶瓷封装片式自加热低功耗恒温晶体振荡器，包括基座，封闭基座的外壳，所述的基座内设有晶片固定台，晶片的两端与晶片固定台连接，晶片的表面设有晶体电极和加热电阻膜；晶片的下方设有温度传感器，温度传感器的下方设置OCXO控温和振荡集成电路。基座是本专利技术的主要载体，采用陶瓷材料，将晶片和电路部分良好分离。晶片主要由基片和设置在基片表面的晶体电极、加热电阻膜组成；晶体电极用于晶体振荡，加热电阻膜通电后实现给晶片加热功能。外壳用于配合基座来封闭整个腔体，本专利技术中采用高真空封焊，确保产品腔体内真空和洁净。温度传感器内置于晶体内部，位于晶片下端，可以直接感知晶体内部温度变化，结合控温电路实现产品稳定精密控制。采用上述技术方案的本专利技术，与现有技术相比，其突出的特点是：晶片本身作为恒温晶振的加热器，热量直接加热到晶片上，避免了温度传导延时和热量损耗，极大的降低了产品的功耗；控温电路用温度传感器内置于晶体腔体内，消除了传统控温电路温度传感器和晶体之间温度梯度，减小控温电路相应时间，从而实现了精准快速控温；晶体和电路封装到陶瓷腔体内，实现了产品小型化。进一步的优选技术方案如下：所述的基座设有上安装区和下安装区，上安装区安装固定晶片及温度传感器，下安装区安装固定OCXO控温和振荡集成电路板。通过设置上安装区，下安装区，便于分离开晶片和电路。所述的基座的中部设有安装座板，安装座板上方为上安装区，安装座板下方为下安装区。基座的结构为上下两层，其中上层主要用于放置晶片和温度传感器；下层用于布置产品电路，将晶片和电路部分良好分离。所述OCXO控温和振荡集成电路中的控温电路为直接放大式控温电路，包括温度传感器Rt、加热电阻膜Rh；振荡电路为经典考比斯振荡电路。附图说明图1是本专利技术实施例的剖视图；图2是基座与晶片的俯视图；图3是OCXO控温和振荡集成电路中的控温电路示意图；图4是OCXO控温和振荡集成电路中的振荡电路示意图；附图标记说明：1-基座；2-晶片；3-外壳；4-温度传感器；5-OCXO控温和振荡集成电路；6-晶体晶体电极；7-加热电阻膜。具体实施方式下面结合实施例，进一步说明本专利技术。参见图1、图2，一种陶瓷封装片式自加热低功耗恒温晶体振荡器，由基座1，封闭基座1的外壳3组成，基座1内设有晶片固定台，晶片2的两端与晶片固定台连接，晶片2的表面设有晶体电极6和加热电阻膜7；晶体电极6在上表面的接线端为c；晶体电极6在下表面的接线端为d；热电阻膜7的两个接线端为a、b；晶片2的下方设有温度传感器4，温度传感器4的下方设置OCXO控温和振荡集成电路5。基座1设有上安装区，下安装区，上安装区安装固定晶片2及温度传感器4，下安装区安装固定OCXO控温和振荡集成电路5的电路板。通过设置上安装区，下安装区，便于分离开晶片2和电路。基座1的中部设有安装座板，安装座板上方为上安装区，安装座板下方为下安装区。基座1的结构为上下两层，其中上层主要用于放置晶片2和温度传感器4；下层用于布置产品电路，将晶片2和电路部分良好分离。基座1是本专利技术的主要载体，采用陶瓷材料，将晶片2和电路部分良好分离。晶片2主要由基片和设置在基片表面的晶体电极6、加热电阻膜7组成；晶体电极6用于晶体振荡，加热电阻膜7在引出端a、b通电后实现给晶片2加热功能。外壳3用于配合基座1来封闭整个腔体，本专利技术中采用高真空封焊，确保产品腔体内真空和洁净。温度传感器4内置于晶体内部，位于晶片2下端，可以直接感知晶体内部温度变化，结合控温电路实现产品稳定精密控制。OCXO控温和振荡集成电路5实现产品振荡和控温。参见图3，控温电路采用了直接放大式控温电路，其中Rt为温度传感器4，Rh为加热电阻膜7,a、b、为电阻膜的两个节点；参见图4，振荡电路采用经典考比斯振荡电路，c、d、为晶体电极的两个连接点。本实施例的优点在于：晶片2本身作为恒温晶振的加热器，热量直接加热到晶片2上，避免了温度传导延时和热量损耗，极大的降低了产品的功耗；控温电路用温度传感器4内置于晶体腔体内，消除了传统控温电路温度传感器4和晶体之间温度梯度，减小控温电路相应时间，从而实现了精准快速控温；晶体和电路封装到陶瓷腔体内，实现了产品小型化。以上所述仅为本专利技术的具体实施例，本专利技术的保护不限于此，任何本
的技术人员所能想到的与本技术方案技术特征等同的变化或替代，都涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷封装片式自加热低功耗恒温晶体振荡器，包括基座，封闭基座的外壳，其特征在于：所述的基座内设有晶片固定台，晶片的两端与晶片固定台连接，晶片的表面设有晶体电极和加热电阻膜；晶片的下方设有温度传感器，温度传感器的下方设置OCXO控温和振荡集成电路。

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷封装片式自加热低功耗恒温晶体振荡器，包括基座，封闭基座的外壳，其特征在于：所述的基座内设有晶片固定台，晶片的两端与晶片固定台连接，晶片的表面设有晶体电极和加热电阻膜；晶片的下方设有温度传感器，温度传感器的下方设置OCXO控温和振荡集成电路。2.根据权利要求1所述的陶瓷封装片式自加热低功耗恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的基座设有上安装区和下安装区，上安装区安装固定晶片及温度传感器，下安...

【专利技术属性】
技术研发人员：阎立群，张立强，王一民，崔立志，毕志国，
申请(专利权)人：唐山国芯晶源电子有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13