以薄镍层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种以薄Ni层作为阻挡层的微凸点结构及其制备方法，该微凸点结构通过包括以下步骤的方法制备：在有种子层上的硅片上喷涂光刻胶，经过图形曝光、显影，种子层上方形成小尺寸直径微孔结构样品；在铜电镀溶液中电镀形成一层导电铜柱，洗净吹干；在镍电镀溶液中快速电镀，在铜柱上方形成一层薄的镍金属层，洗净吹干；在锡电镀溶液中电镀，在镍层上方形成一层锡层，洗净吹干；用丙酮浸泡，洗去图形化后的光刻胶，即可。本发明专利技术的微凸点结构形成了稳定的铜镍锡三元合金相，能够减少凸点时效过程中金属间化合物和孔洞的生长，效果良好，可广泛用于各种高端电子制造领域。

Copper nickel tin micro convex structure with thin nickel layer as barrier layer and preparation method thereof

The invention discloses a thin Ni layer as a micro bump structure and preparation method of barrier layer, the micro bump structure through the preparation method comprises the following steps: coating photoresist on a silicon wafer on the seed layer on the graph after exposure and development, the seed layer formed above the small size pore diameter the structure of samples; in copper plating solution for electroplating a layer of conductive copper, washed and dried; rapid electroplating in nickel plating solution, forming a thin layer of nickel metal layer in the above dry cleaning in electroplating copper; tin plating solution, forming a layer of tin layer, washed and dried in the nickel layer; soaked in acetone the photoresist, wash away the graphic after, you can. The micro bump structure of the invention forms a stable three yuan copper nickel tin alloy phase, can reduce the bump in the aging process of intermetallic compounds and void growth, good effect, can be widely used in a variety of high-end electronics manufacturing industry.

【技术实现步骤摘要】
以薄镍层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体器件的制造，具体涉及一种微凸点结构，特别涉及一种以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构。
技术介绍
作为新型芯片层间互连技术，铜柱凸点具有更好的导电导热性，易实现超细节距互连，从而满足高密度三维封装的要求。根据国际半导体技术发展路线组织的预测，与20/14纳米技术节点相匹配的三维封装互连结构尺寸须减小到现有尺寸的十分之一，微凸点将由40-50微米缩小到5微米。在这一尺度上，微凸点的高精度制备、金属间化合物(IMC)异常生长、柯肯达尔孔洞等互连可靠性问题亟待解决。
技术实现思路
本专利技术提供一种以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构及其制备方法，本专利技术有效制备了小尺寸的微凸点结构，实现了5微米尺度上的微凸点的高精度制备；本专利技术的铜镍锡微凸点结构在铜和焊料界面加上一层500纳米尺度的镍阻挡层，从而在界面处形成一层铜镍锡三元合金，随着时效过程的进行，此厚度的镍层很好的阻挡了铜的扩散反应，从而降低了金属间化合物的生长，有效的提高了微凸点的可靠性，延长了器件的使用寿命。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构，包括具有种子层的硅片以及依次设置在所述硅片上的导电铜柱、镍金属阻挡层、锡柱层。所述导电铜柱的高度大概为2-2.5微米。所述镍金属阻挡层的厚度为400-600纳米。所述锡柱层的厚度为1.9-2.2微米。一种以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构的制备方法，包括以下步骤：步骤(1)：在有种子层的硅片上喷涂光刻胶，并经过图形曝光及显影，形成小尺寸直径的微孔结构样品，微孔的直径为5-6微米，间距为19.5-20.5微米；步骤(2)：将具有微孔结构的样品放置在铜电镀溶液中，电流密度设置为0.8-1.2A/dm2，11-13分钟后在微孔中形成一层导电铜柱，高度为2-2.5微米，洗净吹干；步骤(3)：将步骤(2)清洗过后的样品，放置在镍电镀溶液中，电流密度设置为3.8-4.2A/dm2，28-32秒后在铜柱上方形成一层薄的镍金属阻挡层，厚度为400-600纳米，洗净吹干；步骤(4)：将步骤(3)清洗过后的样品，放置在锡电镀溶液中，电流密度设置为1.0-1.3A/dm2，18-22分钟后在镍金属阻挡层上方形成一层锡柱层，厚度为1.9-2.2微米，洗净吹干；步骤(5)：将步骤(4)处理完的样品用清洗剂浸泡，洗去图形化后的光刻胶。清洗剂例如可以为丙酮。优选地，所述种子层为300-600nm的铜铬合金层。优选的，所述用于形成导电铜柱的铜电镀溶液包含浓度为48-52g/L的硫酸铜、加速剂和整平剂。更优选的，所述加速剂为聚二硫二丙烷磺酸钠或3-巯基丙烷磺酸，所述整平剂选自聚亚烷基亚胺、烷基咪唑啉、金胺或贾纳斯绿B。优选的，所述用于形成镍金属阻挡层的镍电镀溶液包含295-305g/L的六水合硫酸镍、48-52g/L的六水合氯化镍、38-42g/L的硼酸、0.08-0.12g/L的十二烷基硫酸钠，PH值控制在4.0-4.6。优选的，所述用于形成锡柱层的锡电镀溶液包含168-172g/L的氯化锡、148-152g/L的硫酸镍、38-42g/L的硫酸。优选的，所述的金属铜、镍和锡柱电镀方法中，所述阳电极金属分别为纯铜、镍和锡，微孔样品放置在阴极，阴极和阳极用直流电源相连，然后施加一定电流。优选的，本专利技术通过将步骤(5)制备好的样品在预定温度下优选为150摄氏度下进行恒温时效反应，测量生长出来的金属间化合物厚度，来评估凸点的可靠性。所述的恒温时效反应为铜、镍和锡金属在恒温环境下发生扩散反应，生成金属间化合物的过程。所述的金属间化合物为金属之间复合，并合并成一种化合物。所述的金属间化合物测量方法为将样品横截面在显微镜下观察并测量。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：本专利技术的方法制备了5微米直径尺度的封装凸点，并且在铜和焊料界面加入了一层薄镍层作为阻挡层；本专利技术通过在晶圆上依次沉积钝化层、种子层，以及经过图形曝光的光刻胶层，形成了5微米尺度上的微孔结构；然后分别在三种电镀溶液中依次电镀铜、镍和锡层，制备出以500纳米厚尺度的薄镍层作为阻挡层的凸点结构；在测试阶段的时效过程中，相对于未加薄镍层的凸点而言，本专利技术的添加了薄镍层的凸点结构的金属间化合物生长更慢，孔洞生长更少，实现了更长时间的可靠性；本专利技术实施效果好，可广泛用于三维叠层芯片互连以及高密度封装凸点等高端电子制造领域。当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为不含镍层的5微米Cu/Sn凸点和含有500纳米镍阻挡层的Cu/Ni/Sn凸点的金属间化合物随时间的增长而发生变化的示意图。具体实施方式镍层可以用来阻挡铜和焊料的快速反应，这是因为Ni与Sn之间的反应相对于Cu与Sn之间的反应来说较慢，数据表明Cu6Sn5生长速率约是Ni3Sn4的5倍，这样就限制了相同时间内生长的IMC的厚度。在尺寸较大的凸点结构中，焊料体积较大，因此为了获得足够的阻挡性能，镍层厚度通常在1微米以上。然而，当凸点的直径减少到5微米时，如果采取同样厚度的镍层，Ni会和焊料反应全部转化为Ni3Sn4，不能达到减少金属间化合物的目的。而且凸点加上1微米高的镍层，会导致凸点高度过高，回流过程中很容易发生坍塌的失效，影响整个凸点的可靠性。因此，对于凸点尺寸不断的减小的情况，选择一定厚度的镍阻挡层仍存在一些问题。本专利技术提供一种以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构，包括具有种子层的硅片以及依次设置在所述硅片上的导电铜柱、镍金属阻挡层、锡柱层。所述导电铜柱的高度大概为2-2.5微米。所述镍金属阻挡层的厚度为400-600纳米。所述锡柱层的厚度为1.9-2.2微米。上述以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构可以采用以下的制备方法制备，该制备方法包括以下步骤：步骤(1)：在有种子层的硅片上喷涂光刻胶，并经过图形曝光及显影，形成小尺寸直径的微孔结构样品，微孔的直径为5-6微米，间距为19.5-20.5微米；步骤(2)：将具有微孔结构的样品放置在铜电镀溶液中，电流密度设置为0.8-1.2A/dm2，11-13分钟后在微孔中形成一层导电铜柱，高度为2-2.5微米，洗净吹干；步骤(3)：将步骤(2)清洗过后的样品，放置在镍电镀溶液中，电流密度设置为3.8-4.2A/dm2，28-32秒后在铜柱上方形成一层薄的镍金属阻挡层，厚度为400-600纳米，洗净吹干；步骤(4)：将步骤(3)清洗过后的样品，放置在锡电镀溶液中，电流密度设置为1.1-1.3A/dm2，18-22分钟后在镍金属阻挡层上方形成一层锡柱层，厚度为1.9-2.2微米，洗净吹干；步骤(5)：将步骤(4)处理完的样品用清洗剂浸泡，洗去图形化后的光刻胶。清洗剂例如可以为丙酮。在本文中，由「一数值至另一数值」表示的范围，是一种避免在说明书中一一列举该范围中的所有数值的概要性表示方式。因此，某一特定数值范围的记载，涵盖该数值范围内的任意数值以及由该数值范围内的任意数值界定出的较小数值范围，如同在说明书中明文写出该任意数值和该较小数值范围一样。下面结合具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构，其特征在于，包括具有种子层的硅片以及依次设置在所述硅片上的导电铜柱、镍金属阻挡层、锡柱层。

【技术特征摘要】
1.一种以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构，其特征在于，包括具有种子层的硅片以及依次设置在所述硅片上的导电铜柱、镍金属阻挡层、锡柱层。2.如权利要求1所述的以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构，其特征在于，所述导电铜柱的高度为2-2.5微米，所述镍金属阻挡层的厚度为400-600纳米，所述锡柱层的厚度为1.9-2.2微米。3.一种以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(1)：在有种子层的硅片上喷涂光刻胶，并经过图形曝光及显影，形成小尺寸直径的微孔结构样品，微孔的直径为5-6微米，间距为19.5-20.5微米；步骤(2)：将具有微孔结构的样品放置在铜电镀溶液中，电流密度设置为0.8-1.2A/dm2，11-13分钟后在微孔中形成一层导电铜柱，高度为2-2.5微米，洗净吹干；步骤(3)：将步骤(2)清洗过后的样品，放置在镍电镀溶液中，电流密度设置为3.8-4.2A/dm2，28-32秒后在铜柱上方形成一层薄的镍金属阻挡层，厚度为400-600纳米，洗净吹干；步骤(4)：将步骤(3)清洗过后的样品，放置在锡电镀溶液中，电流密度设置为1.0-1.3A/dm2，18-22分钟后在镍金属阻挡层上方形成一层锡柱层，厚度为1.9-2.2微米，洗净吹干；步骤(5)：将步骤(4)处理完的样品用清洗剂浸泡，洗去图形化后的光刻胶。4.根据权利要求3所述的以薄Ni层作为阻挡层的铜镍锡微凸点结构的制备方法，其特征在于，所述种子层的结构为300-600nm的铜铬合金。5.根据权利要求3所述的以薄Ni层作为阻挡层的铜镍...

【专利技术属性】
技术研发人员：凌惠琴，王冬凡，胡安民，李明，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海,31