一种低热阻大功率整流桥制造技术

技术编号:16237432 阅读:87 留言:0更新日期:2017-09-19 17:07
本实用新型专利技术涉及半导体器件,特别是一种低热阻大功率整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,其特征在于:所述引脚为平脚,从所述塑封体下部侧面水平伸出,其厚度不超过所述塑封体厚度。本实用新型专利技术通过采用贴片式设计,引脚从水平侧面伸出的方式使得整流桥整体厚度降低,其在PCB板上的安装高度降低,可使用SMT自动上板。同时,本实用新型专利技术提供的整流桥具有散热好、低热阻的优点。对于同样的器件大小,本实用新型专利技术提供的整流桥可承受更大功率。

Low heat resistance high power rectifier bridge

The utility model relates to a semiconductor device, in particular to a low thermal resistance of high power rectifier bridge, including 4 of the GPP chip, the GPP chip is connected on the frame under the framework of the extreme, extreme negative connection, the GPP chip of the upper frame and lower frame, which is coated on the plastic body, anode, cathode DC DC positive and negative, AC AC 4 pin extends out of the plastic body, which is characterized in that the pin is flat feet, extending from the lower part of the side surface of the plastic body, the thickness of not more than the plastic body thickness. By adopting the patch type design, the pin extends from the horizontal side, so that the overall thickness of the rectifier bridge is lowered, and the mounting height of the rectifier board is reduced, and the upper plate can be automatically used by SMT. At the same time, the rectifier bridge provided by the utility model has the advantages of good heat dissipation and low thermal resistance. For the same device size, the rectifier bridge provided by the utility model can bear more power.

【技术实现步骤摘要】
一种低热阻大功率整流桥
本技术涉及半导体器件,特别是一种低热阻大功率整流桥。
技术介绍
现有整流桥产品采用插件设计,难以使用SMT设备自动上板,需人工插件,厂家使用人工成本高;同时插件设计安装高度高,无法用在如新型超薄超小手机充电器等领域。
技术实现思路
本技术的目的在于:针对现有技术存在的问题,提供一种采用贴片设计、无需人工插件的低热阻大功率整流桥。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为:一种低热阻大功率贴片整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,所述引脚为平脚,从所述塑封体下部侧面水平伸出,其厚度不超过所述塑封体厚度。所述引脚的水平伸出方式,以及厚度限定使得整流桥安装空间降低。所述整流桥可以使用SMT自动安装于PCB板表面,通过回流焊焊接上板,无需插孔焊接。进一步地,所述下框架全部外露于所述塑封体底部。下框架完全外露于所述塑封体底部,增大散热面积,有助于提高散热效果。所述上框架边缘部分外露于所述塑封体底部。进一步地,所述上框架、下框架为内折弯结构。框架由外折弯改为内折弯,折弯部位包封在所述塑封体内。具体地,框架制作时进行预折弯,然后再工场进行芯片组装。所述整流桥测试前,只需要进行切断而不需要再进行弯角整形,对产品性能影响小。作为具体的实施方式,所述整流桥厚度介于1.20mm~1.40mm。所述引脚厚度介于0.15mm~0.25mm。所述整流桥平面形态呈矩形,边长介于11.00mm~13.00mm。进一步地,所述低热阻大功率贴片整流桥底部采用大面积焊盘设计。进一步地,所述塑封体选用压塑环氧树脂,其成分主要为环氧树脂和二氧化硅,对比传统浇灌工艺,具有更好的散热性。压塑环氧树脂结合底部大面积焊盘设计进一步改进散热,获得更低的热阻,可承受更大功率。本技术的有益效果是:本技术通过采用贴片式设计,采用平脚从水平侧面伸出的方式使得整流桥整体厚度降低,进而实现在PCB板上的安装高度降低,使用SMT自动上板,替代人工插件,减少人工成本。同时,减低产品安装高度,满足相关产品超薄、超小化的发展趋势要求。此外,所述整流桥具有散热好、低热阻的优点,对于同样的器件大小,本技术提供的整流桥可承受更大功率。附图说明图1是本技术实施例1贴片整流桥剖视图;图2是本技术实施例1贴片整流桥主视图;图3是本技术实施例1贴片整流桥侧视图;图4是本技术实施例1贴片整流桥俯视图;图5是本技术实施例1贴片整流桥上框架结构图;图6是本技术实施例1贴片整流桥下框架结构图;图7是本技术实施例1贴片整流桥仰视图;图中标记:101-上框架,102-下框架,2-GPP芯片,3-塑封体,4-焊料,5-引脚电镀层。具体实施方式下面结合附图,对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。实施例1实施例1提供一种低热阻大功率贴片整流桥,如图1所示,包括上框架101、下框架102、GPP芯片2、塑封体3、焊料4和引脚电镀层5。所述GPP芯片(84~100mil)的P结、N结分别通过焊料4连接上框架101和下框架102。所述GPP芯片2、焊料4、上框架101以及下框架102连接在一起,且包覆于所述塑封体3内,连接体另一侧从所述塑封体3下部侧面水平伸出,并电镀上引脚电镀层5,所述引脚为平脚。所述上框架101、下框架102为内折弯结构。框架由外折弯改为内折弯,折弯部位包封在所述塑封体内。如图2-4所示,所述贴片整流桥整体厚度1.30mm,其中,所述引脚厚度为0.25mm。所述贴片整流桥平面形态呈近似正方形,长12.00mm,宽11.40mm。如图5所示,为所述贴片整流桥上框架101结构平面图,如图6所示为所述贴片整流桥下框架103结构平面图。结合图5-7所示,所述下框架102全部外露于所述塑封体3,所述上框架101边缘部分外露于所述塑封体3。图7中,线条填充区域为框架外露于所述塑封体3,空白区为塑封体3。所述塑封体3为压塑环氧树脂。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种低热阻大功率整流桥

【技术保护点】
一种低热阻大功率整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,其特征在于:所述引脚为平脚,从所述塑封体下部侧面水平伸出,其厚度不超过所述塑封体厚度。

【技术特征摘要】
1.一种低热阻大功率整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,其特征在于:所述引脚为平脚,从所述塑封体下部侧面水平伸出,其厚度不超过所述塑封体厚度。2.根据权利要求1所述的低热阻大功率整流桥,其特征在于:下框架全部外露于所述塑封体底部。3.根据权利要求1所述的低热阻大功率整流桥,其特征在于:所述上框架、下框架为内折弯结构。4.根据权利要求1-3任一项所述的低热阻大功率整流桥,其特征在于:所述低热阻大功率整流桥的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭志伟周杰邱志述梁鲁川
申请(专利权)人:乐山无线电股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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