The utility model relates to a semiconductor device, in particular to a low thermal resistance of high power rectifier bridge, including 4 of the GPP chip, the GPP chip is connected on the frame under the framework of the extreme, extreme negative connection, the GPP chip of the upper frame and lower frame, which is coated on the plastic body, anode, cathode DC DC positive and negative, AC AC 4 pin extends out of the plastic body, which is characterized in that the pin is flat feet, extending from the lower part of the side surface of the plastic body, the thickness of not more than the plastic body thickness. By adopting the patch type design, the pin extends from the horizontal side, so that the overall thickness of the rectifier bridge is lowered, and the mounting height of the rectifier board is reduced, and the upper plate can be automatically used by SMT. At the same time, the rectifier bridge provided by the utility model has the advantages of good heat dissipation and low thermal resistance. For the same device size, the rectifier bridge provided by the utility model can bear more power.
【技术实现步骤摘要】
一种低热阻大功率整流桥
本技术涉及半导体器件,特别是一种低热阻大功率整流桥。
技术介绍
现有整流桥产品采用插件设计,难以使用SMT设备自动上板,需人工插件,厂家使用人工成本高;同时插件设计安装高度高,无法用在如新型超薄超小手机充电器等领域。
技术实现思路
本技术的目的在于:针对现有技术存在的问题,提供一种采用贴片设计、无需人工插件的低热阻大功率整流桥。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为:一种低热阻大功率贴片整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,所述引脚为平脚,从所述塑封体下部侧面水平伸出,其厚度不超过所述塑封体厚度。所述引脚的水平伸出方式,以及厚度限定使得整流桥安装空间降低。所述整流桥可以使用SMT自动安装于PCB板表面,通过回流焊焊接上板,无需插孔焊接。进一步地,所述下框架全部外露于所述塑封体底部。下框架完全外露于所述塑封体底部,增大散热面积,有助于提高散热效果。所述上框架边缘部分外露于所述塑封体底部。进一步地,所述上框架、下框架为内折弯结构。框架由外折弯改为内折弯,折弯部位包封在所述塑封体内。具体地,框架制作时进行预折弯,然后再工场进行芯片组装。所述整流桥测试前,只需要进行切断而不需要再进行弯角整形,对产品性能影响小。作为具体的实施方式,所述整流桥厚度介于1.20mm~1.40mm。所述引脚厚度介于0.15mm~0.25mm。所述整流桥平面形态呈矩形,边长介于11.00mm~13.00mm。进一步 ...
【技术保护点】
一种低热阻大功率整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,其特征在于:所述引脚为平脚,从所述塑封体下部侧面水平伸出,其厚度不超过所述塑封体厚度。
【技术特征摘要】
1.一种低热阻大功率整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,其特征在于:所述引脚为平脚,从所述塑封体下部侧面水平伸出,其厚度不超过所述塑封体厚度。2.根据权利要求1所述的低热阻大功率整流桥,其特征在于:下框架全部外露于所述塑封体底部。3.根据权利要求1所述的低热阻大功率整流桥,其特征在于:所述上框架、下框架为内折弯结构。4.根据权利要求1-3任一项所述的低热阻大功率整流桥,其特征在于:所述低热阻大功率整流桥的厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员:谭志伟,周杰,邱志述,梁鲁川,
申请(专利权)人:乐山无线电股份有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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