The invention discloses an improved phase shifted full bridge converter circuit, comprising first to fourth MOSFET, first and second transformers, first to third capacitors, first to fourth diodes, resistors, inductors, and inductors. The improved phase shifted full bridge converter circuit can be applied to all kinds of phase shifted full bridge converter, the increase of switch to achieve soft switching range at the same time, keep the primary power in the switching period passed to the two side, significantly inhibited rectifier parasitic oscillation, reduce the output voltage ripple, realize to enhance the efficiency of the converter.
【技术实现步骤摘要】
一种改进型移相全桥变换器电路
本专利技术专利公开了一种改进型移相全桥变换器电路,涉及电力电子
技术介绍
随着电力电子技术的发展,开关电源的性能也在不断提高。为了实现电源的高频化、小型化、数字化的发展趋势,软开关技术已广泛地应用在开关电源领域,成为了电力电子领域的一个非常重要的研究方向。传统的移相全桥软开关变换器具有结构简单、损耗小、控制方便、性能稳定等优点,这使得移相全桥变换器非常适合中高功率应用场合。然而,传统的移相全桥软开关变换器依然存在着一些问题,一是在轻载工作情况下,变换器无法实现系统的ZVS特性,从而导致系统效率降低,电磁干扰变高。二是变换器整流过程中的寄生振荡增加了器件的电压应力和输出电压纹波。三是在变换器的续流期间,导通损耗也显著增加。因此,无论从研究还是应用的角度,开发性能更优秀的移相全桥变换器,都具有重要的意义。
技术实现思路
本专利技术专利所要解决的技术问题是:为克服现有技术中存在的不足,提供一种改进型移相全桥变换器电路,可以实现所有开关管的零电压开关,增加了变换器实现软开关技术的工作范围,同时抑制整流桥寄生振荡,显著降低了输出电压纹波,实现变换器的效率提升。本专利技术专利为解决上述技术问题采用以下技术方案:一种改进型移相全桥变换器电路,包括第一至第四MOSFET,第一、第二变压器,第一至第三电容,第一至第四二极管,电阻,电感,其中,所述第一MOSFET的漏极分别与输入端正极、第二MOSFET的漏极相连接,第一MOSFET的源极分别与第三MOSFET的漏极、第一电容的一端相连接,第三MOSFET的源极分别与输入端负极、第一变压器的 ...
【技术保护点】
一种改进型的移相全桥变换器电路,其特征在于:包括第一至第四MOSFET,第一、第二变压器,第一至第三电容,第一至第四二极管,电阻,电感,其中,所述第一MOSFET的漏极分别与输入端正极、第二MOSFET的漏极相连接,第一MOSFET的源极分别与第三MOSFET的漏极、第一电容的一端相连接,第三MOSFET的源极分别与输入端负极、第一变压器的初级绕组的一端、第四MOSFET的源极相连接,第二MOSFET的源极分别与第四MOSFET的漏极、第二电容的一端相连接,第一电容的另一端与第二变压器的第一次级绕组的一端相连接,第二变压器的第一次级绕组的另一端与第二变压器的第二次级绕组的一端、第二变压器的初级绕组的一端相连接,第二变压器的初级绕组的另一端与第一变压器的初级绕组的另一端相连接,第二电容的另一端与第二变压器的第二次级绕组的另一端相连接,所述第一二极管的阴极与第二二极管的阴极、电感的一端相连接,第一二极管的阳极与第一变压器次级绕组的一端、第三二极管的阴极相连接,第二二极管的阳极与第一变压器次级绕组的另一端、第四二极管的阴极相连接,第三二极管的阳极与第四二极管的阳极、第三电容的一端、电阻的一端 ...
【技术特征摘要】
1.一种改进型的移相全桥变换器电路,其特征在于:包括第一至第四MOSFET,第一、第二变压器,第一至第三电容,第一至第四二极管,电阻,电感,其中,所述第一MOSFET的漏极分别与输入端正极、第二MOSFET的漏极相连接,第一MOSFET的源极分别与第三MOSFET的漏极、第一电容的一端相连接,第三MOSFET的源极分别与输入端负极、第一变压器的初级绕组的一端、第四MOSFET的源极相连接,第二MOSFET的源极分别与第四MOSFET的漏极、第二电容的一端相连接,第一电容的另一端与第二变压器的第一次级绕组的一端相连接,第二变压器的第一次级绕组的另一端与第二变压器的第二次级绕组的一端、第二变压器的初级绕组的一端相连接,第二变压...
【专利技术属性】
技术研发人员:李浩昱,赵雷,许传宇,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江,23
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