Embodiments of the present invention provide a semiconductor device capable of high voltage operation and a method for forming the same. The semiconductor device includes a semiconductor substrate having a first conductivity type; a first well region is formed on the semiconductor substrate and having a second conductivity type, the second conductive type opposite to the first conductive type; second well area, formed in the first well region and has the first conductivity type; a first gate structure. Formed in the second well region and the first well area; the first doping area is formed on the second well area and has the second conductivity type; the second doped region is formed on the first well region and has the second conductivity type; and a second gate structure, a part is formed on the first gate structure of a the first part and wells.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及IC(IntegratedCircuits,集成电路),尤其涉及一种能够高电压操作的半导体器件及其形成方法。
技术介绍
近年来,随着对高电压器件(诸如功率半导体器件)的需求增加,业界对应用于高电压器件中的HVMOSFET(High-VoltageMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistors,高电压金属氧化物半导体场效应晶体管)的研究已越来越有兴趣。在各种类型的HVMOSFET中,一般经常使用诸如LDMOS(LateralDoubleDiffusedMetal-Oxide-Semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)等半导体器件。但是,随着半导体制造的发展,需要进一步增加用于高电压器件的HVMOSFET的崩溃电压(breakdownvoltage)。如此,由于持续对高电压器件的半导体制造的需要,因此需要可靠的具有增强的崩溃电压的高压MOSFET(用于高电压器件)来满足设备性能要求。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供了一种半导体器件及其形成方法,可以进行高压操作。本专利技术提供了一种半导体器件,包括:半导体基底,具有第一导电类型;第一井区,形成于该半导体基底中并且具有第二导电类型,该第二导电类型相反于该第一导电类型;第二井区,形成于该第一井区中并且具有该第一导电类型;第一栅极结构,形成于该第二井区和该第一井区上;第一掺杂区,形成于该第二井区中并且具有该第二导电类型;第二掺杂区,形成于该第一井区中并且具有该第二导电类型;以及第二栅极结构,形成于该第一栅极结构 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,其特征在于,包括:半导体基底,具有第一导电类型;第一井区,形成于该半导体基底中并且具有第二导电类型,该第二导电类型相反于该第一导电类型;第二井区,形成于该第一井区中并且具有该第一导电类型;第一栅极结构,形成于该第二井区和该第一井区上;第一掺杂区,形成于该第二井区中并且具有该第二导电类型;第二掺杂区,形成于该第一井区中并且具有该第二导电类型;以及第二栅极结构,形成于该第一栅极结构的一部分和第一井区的一部分上。
【技术特征摘要】
2016.03.11 US 62/306,661;2017.01.20 US 15/411,0991.一种半导体器件,其特征在于,包括:半导体基底,具有第一导电类型;第一井区,形成于该半导体基底中并且具有第二导电类型,该第二导电类型相反于该第一导电类型;第二井区,形成于该第一井区中并且具有该第一导电类型;第一栅极结构,形成于该第二井区和该第一井区上;第一掺杂区,形成于该第二井区中并且具有该第二导电类型;第二掺杂区,形成于该第一井区中并且具有该第二导电类型;以及第二栅极结构,形成于该第一栅极结构的一部分和第一井区的一部分上。2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,该第二栅极结构还形成于该第二掺杂区的一部分上。3.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,该第一栅极结构包括:第一介电层及形成于该第一介电层上的第一导电层;以及该第二栅极结构包括:第二介电层及形成于该第二介电层上的第二导电层。4.如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括:隔离元件,设置在该半导体基底中;第三导电层,形成于该隔离元件上;第三介电层,形成于该第三导电层上;以及第四导电层,形成于该第三介电层上。5.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,该第三导电层、该第三介电层以及该第四导电层形成电容。6.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,该第一导电类型为P型,该第二导电类型为N型。7.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,该第一介电层的厚度介于之间,该第二及第三介电层的厚度介于之间。8.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,该第二栅极结构覆盖该第一栅极结构的20%~80%的顶面。9.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,该第一栅极结构与该第二栅极结构连接至相等的电位。10.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体结构,该半导体结构包括:半导体基底,具有第一导电类型;第一井区,形成于该半导体基底的位于第一区域中的部分中并且...
【专利技术属性】
技术研发人员:林振华,季彦良,熊志文,
申请(专利权)人:联发科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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