The invention relates to a power semiconductor device with metal molded body package wherein the first and second main surfaces from the metal mold casting, respectively, forming the first and second in the first and second power semiconductor devices are respectively arranged in the first and second in the depression, the first contact surface of the first power semiconductor element is connected to the the substrate in an electrically conductive manner; the first contact surface of the second power semiconductor element connected to the base by conducting mode. A layer of insulating material is arranged in the respective two main surfaces, filled and fully covering at least their depression, wherein the first and second insulating layer are respectively provided with a first and second conductive pathways, the first conductive pathway to the way the second contact surfaces of the first power semiconductor element is connected to the first conductive surface is disposed on the first insulating layer. The second pathway to the way the second conductive contact surface second of the power semiconductor element is connected to an insulating layer on the conductive surface of second in second.
【技术实现步骤摘要】
具有金属模铸体的封装的功率半导体装置
本专利技术描述封装的功率半导体装置,其被构建为例如作为整流器电路或逆变器电路。
技术介绍
现有技术中已知,封装的功率半导体装置具有金属本体和两个功率半导体元件,例如在EP2881985A1中公开的,其中功率半导体元件在金属模铸体上以堆叠方式设置。由绝缘材料封装功率半导体元件,其中绝缘材料还围绕功率半导体元件的连接线。利用上述这些因素的知识,本专利技术是基于提供封装的功率半导体装置的目的,其特别是在支持有效冷却和均匀排布方面改进现有技术。根据本专利技术,利用金属模铸体构造封装的功率半导体装置,金属模铸体形成第一连接导体。从金属模铸体的第一主表面开始,形成具有第一基底的第一凹陷,第一功率半导体元件设置在第一凹陷中,其中第一功率半导体元件面向第一基底的第一接触表面以导电方式连接到该基底。从金属模铸体的第二主表面开始,形成具有第二基底的第二凹陷,第二功率半导体元件设置在第二凹陷中,其中第二功率半导体元件的与第二基底相关的第一接触表面以导电方式连接到该基底。在两个主表面上设置各自的绝缘材料层,填充并完全覆盖至少各自的凹陷,其中第一绝缘层具有导电的第一通路,其以导电方式将第一功率半导体元件的第二接触表面连接到设置在第一绝缘层上的第一导电表面,且其中第二绝缘层具有导电的第二通路,其以导电方式将第二功率半导体元件的第二接触表面连接到设置在第二绝缘层上的第二导电表面。第一连接导体优选形成AC电压连接,同时第一和第二导电表面形成补充(further)连接导体,补充连接导体形成DC电压连接。优选地,如果功率半导体元件的至少一个是与相关联的冷 ...
【技术保护点】
一种具有形成第一连接导体的金属模铸体(2)的封装的功率半导体装置(1),其中,从所述金属模铸体(2)的第一主表面(20)开始,形成具有第一基底(220)的第一凹陷(22),第一功率半导体元件(30)被设置在所述第一凹陷(22)中,其中所述第一功率半导体元件(30)面向所述第一基底(220)的第一接触表面(300)以导电方式连接到所述基底(220),其中,从所述金属模铸体(2)的第二主表面(24)开始,形成具有第二基底(260)的第二凹陷(26),第二功率半导体元件(32)被设置在所述第二凹陷(26)中,其中所述第二功率半导体元件(32)与所述第二基底(260)相关的第一接触表面(320)以导电方式连接到所述基底(260),其中,在两个主表面(20,24)上设置各自的绝缘材料层(40,42),填充并完全覆盖至少各自的凹陷(22,26),其中,所述第一绝缘层(40)具有导电的第一通路(50),其以导电方式将所述第一功率半导体元件(30)的第二接触表面(302)连接到设置在所述第一绝缘层(40)上的第一导电表面(60),且其中所述第二绝缘层(42)具有导电的第二通路(52),其以导电方式将所 ...
【技术特征摘要】
2016.03.09 DE 102016104284.61.一种具有形成第一连接导体的金属模铸体(2)的封装的功率半导体装置(1),其中,从所述金属模铸体(2)的第一主表面(20)开始,形成具有第一基底(220)的第一凹陷(22),第一功率半导体元件(30)被设置在所述第一凹陷(22)中,其中所述第一功率半导体元件(30)面向所述第一基底(220)的第一接触表面(300)以导电方式连接到所述基底(220),其中,从所述金属模铸体(2)的第二主表面(24)开始,形成具有第二基底(260)的第二凹陷(26),第二功率半导体元件(32)被设置在所述第二凹陷(26)中,其中所述第二功率半导体元件(32)与所述第二基底(260)相关的第一接触表面(320)以导电方式连接到所述基底(260),其中,在两个主表面(20,24)上设置各自的绝缘材料层(40,42),填充并完全覆盖至少各自的凹陷(22,26),其中,所述第一绝缘层(40)具有导电的第一通路(50),其以导电方式将所述第一功率半导体元件(30)的第二接触表面(302)连接到设置在所述第一绝缘层(40)上的第一导电表面(60),且其中所述第二绝缘层(42)具有导电的第二通路(52),其以导电方式将所述第二功率半导体元件的第二接触表面连接到设置在所述第二绝缘层上的第二导电表面。2.如权利要求1所述的功率半导体装置,其中所述第一连接导体形成AC电压连接,且其中所述第一和第二导电表面(60,62)形成补充连接导体,所述补充连接导体形成DC电压连接。3.如前述任意一个权利要求所述的功率半导体装置,其中,至少一个导电表面(60,62)与相关联的冷却装置(80,82)热接触,所述冷却装置被设置在远离所述金属模铸体(2)的所述导电表面(60,62)的一侧上,且优选通过电绝缘夹层(70,72)与所述冷却装置绝缘。4.如权利要求3所述的功率半导体装置,其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:迈克尔·施莱歇,
申请(专利权)人:赛米控电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。