The present invention relates to a housing (2) of the power semiconductor module, which is made of elastic body elastic deformation element (30), and is arranged in the shell (2) power semiconductor components in (T1, T2), the power semiconductor components (T1, T2) to connect to the conductive type foil composite material (5), wherein the foil composite material (5) includes a first conductive foil structured or unstructured (6) and conducting structured or unstructured second foil (7) and arranged in the first and second foil (6, 7) between the third conductive foil (8) among them, the housing (2) having an opening (33), foil composite material (5) part is guided through the opening (33), to which the power semiconductor module (1) is connected with the electric device (17, 17') conductive contact.
【技术实现步骤摘要】
具有壳体的功率半导体模块
本专利技术涉及一种具有壳体的功率半导体模块。
技术介绍
从DE102012218868B3的图6和所附的说明,已知一种功率半导体模块,其包括功率半导体部件、基材、箔复合材料以及第一和第二负载电流连接元件(为了功率半导体模块与电连接元件装置导电接触),其中所述箔复合材料包括第一金属箔层和结构化的第二金属箔层以及布置于所述第一和第二金属箔层之间的电绝缘箔层,其中所述功率半导体部件以导电方式连接到所述箔复合材料和所述基材,其中所述第二负载电流连接元件与所述第一金属箔层形成单件,其中所述电绝缘箔层的一部分布置在所述第一负载电流连接元件的第一部分和第二负载电流连接元件之间。负载电流连接元件通过螺钉连接与连接元件装置进行导电接触,该螺钉连接延伸穿过形成在负载连接元件中的连续孔。功率半导体部件和电连接元件装置之间的电连接具有杂散电感,其可能在功率半导体模块的运行期间导致功率半导体部件上的电压浪涌。为了最小化该电压浪涌,需要功率半导体模块的特别低的电感设计和功率半导体模块与电连接元件装置的可靠的低电感电接触。从DE102012218868B3已知的功率半导体模块具有下述缺点,即第一负载电流连接元件以及第一负载电流连接元件与连接元件装置之间的电连接具有相对高的杂散电感。此外,当负载电流连接元件连接到连接元件装置时,可能在第二负载电流连接元件(即第一金属箔层)上施加大的力,这可能导致第一金属箔层的损坏或破坏。此外,由于负载电流连接元件和连接元件装置的不同的热膨胀系数,在各元件的机械冲击负荷和振动负荷的情况下,可能存在负载电流连接元件与连接元件装置的导 ...
【技术保护点】
一种具有壳体(2)的功率半导体模块,其具有由弹性体制成的弹性变形元件(30),并且具有布置于所述壳体(2)中的功率半导体部件(T1、T2),所述功率半导体部件(T1、T2)以导电方式连接到箔复合材料(5),其中所述箔复合材料(5)包括导电的结构化或非结构化的第一箔(6)和导电的结构化或非结构化的第二箔(7)以及布置于所述第一箔和所述第二箔(6、7)之间的不导电的第三箔(8),其中所述壳体(2)具有开口(33),所述箔复合材料(5)的一部分被引导通过所述开口(33),其中用于导电接触的所述箔复合材料(5)包括可从壳体(2)外接近的导电的第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b),所述导电接触是所述功率半导体模块(1)与所述电连接元件装置(17、17')的导电接触,所述接触表面(5a、5b)中的每一个都是所述箔复合材料(5)的表面区域的形式,其中所述变形元件(30)布置于所述壳体(2)的外侧(3)与所述第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)之间。
【技术特征摘要】
2016.03.09 DE 102016104283.81.一种具有壳体(2)的功率半导体模块,其具有由弹性体制成的弹性变形元件(30),并且具有布置于所述壳体(2)中的功率半导体部件(T1、T2),所述功率半导体部件(T1、T2)以导电方式连接到箔复合材料(5),其中所述箔复合材料(5)包括导电的结构化或非结构化的第一箔(6)和导电的结构化或非结构化的第二箔(7)以及布置于所述第一箔和所述第二箔(6、7)之间的不导电的第三箔(8),其中所述壳体(2)具有开口(33),所述箔复合材料(5)的一部分被引导通过所述开口(33),其中用于导电接触的所述箔复合材料(5)包括可从壳体(2)外接近的导电的第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b),所述导电接触是所述功率半导体模块(1)与所述电连接元件装置(17、17')的导电接触,所述接触表面(5a、5b)中的每一个都是所述箔复合材料(5)的表面区域的形式,其中所述变形元件(30)布置于所述壳体(2)的外侧(3)与所述第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)之间。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于所述弹性体被形成为硅树脂,特别是被形成为交联的液体硅橡胶或被形成为交联的固体硅橡胶。3.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于变形元件(30)通过粘结连接而被结合到所述壳体(2)的所述外侧(3)。4.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于所述变形元件(30)具有凸起结构,所述凸起结构有至少两个高度(H1、H2)。5.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于所述功率半导体模块(1)具有箔复合材料保持装置(9a、9b),所述箔复合材料保持装置(9a、9b)被设计成保持所述箔复合材料(5),使得所述第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)被布置成使得它们被固定并且抵靠所述变形元件(30)。6.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于所述壳体(2)的所述外侧(3)通过其几何形状而在所述壳体(3)中形成凹部(10),其中所述变形元件(30)布置在所述凹部(10)的底表面(11)上。7.根据权利要求6所述的功率半导体模块,其特征在于至少在一种状态下,所述变形元件(30)在所述凹部(10)的所述底表面(11)的法向方向(N)上具有高度,使得所述第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)被布置于所述凹部(10)外,在所述一种状态中所述功率半导体模块(1)不与外部电连接元件装置(28)导电接触。8.根据权利要求6所述的功率半导体模块,其特征在于所述壳体(3)的所述开口(33)通到所述凹部(10)中。9.根据权利要求6所述的功率半导体模块,其特征在于所述凹部(10)形成安装装置(34),所述安装装置(34)用于安装所述箔复合材料(5)的端部部分。10.根据权利要求9所述的功率半导体模块,其特征在于所述功率半导体模块(1)具有箔复合材料保持装置(9a、9b),所述箔复合材料保持装置(9a、9b)被设计成保持所述箔复合材料(5),使得所述第一和第二箔复合材料接触表面(5a、5b)被布置成使得它们被固定并且抵靠所述变形元件(30),其中所述箔复合材料保持装置(9a、9b)具有第一保持元件(9a),所述第一保持元件(9a...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·阿蒙,H·科博拉,
申请(专利权)人:赛米控电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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