光掩模布图以及形成精细图案的方法技术

本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供，该方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，该目标层在基板上；在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板，孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。

Photomask layout and method of forming fine patterns

The present disclosure provides a photomask layout and a method of forming a fine pattern. A method of forming a fine pattern can be provided, the method includes forming a plurality of first sacrificial patterns in the target layer, the target layer on a substrate; forming a first spacer respective side wall in the first sacrificial pattern; removing the first sacrificial patterns; forming a plurality of sacrifice second pattern, pattern and the first second sacrificial spacer cross, each second sacrifice pattern includes line part and a protrusion part, protruding part with line width ratio; forming second spacers in the respective side walls of the second sacrifice pattern; second sacrificial pattern removal; and through hole area of the etch target layer to expose the substrate, hole area defined by the first spacer and the second spacer.

【技术实现步骤摘要】
光掩模布图以及形成精细图案的方法
示例实施方式涉及光掩模布图(photomasklayout)、形成精细图案(finepattern)的方法和/或制造半导体器件的方法。更具体地，示例实施方式涉及用于形成精细孔的光掩模布图、使用该光掩模布图形成精细图案的方法和/或使用该光掩模布图制造半导体器件的方法。
技术介绍
光刻工艺可以用于限定诸如布线、插塞和/或接触的元件，用于实现半导体器件的电路等。在光刻工艺中，可以制造其中电路图案被预先地设计的光掩模布图。光致抗蚀剂膜可以使用该光掩模布图而图案化以形成光致抗蚀剂图案。导电层可以使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化以形成电路图案。随着半导体器件变得高度地集成，目标图案的临界尺寸会减小。因此，会需要改善的曝光设备或精细蚀刻工艺诸如双图案化工艺。双图案化工艺指的是通过提供牺牲结构、在牺牲结构的侧壁上形成间隔物以及去除间隔物之间的牺牲结构来限定图案的图案化。
技术实现思路
一些示例实施方式提供能够形成具有更高的分辨率的图案的光掩模布图。一些示例实施方式提供形成具有更高的分辨率和更高的可靠性的精细图案的方法。一些示例实施方式提供制造具有更高的分辨率和更高的可靠性的半导体器件的方法。根据示例实施方式，一种形成精细图案的方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，该目标层在基板上；在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分(lineportion)和突出部部分(tabportion)，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除该多个第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板，该孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。根据示例实施方式，一种形成精细图案的方法包括：在基板上形成目标层，基板具有单元区和虚设区；通过第一双图案化工艺在目标层上形成第一间隔物，第一间隔物在第一方向上延伸；通过第二双图案化工艺形成在第二方向上延伸的第二间隔物，第一方向关于第二方向倾斜，第二间隔物与第一间隔物交叉，并且第二间隔物之间的间隙在虚设区中在垂直于第二方向的第三方向上交替地增大和减小；以及通过由第一间隔物和第二间隔物限定的空间来蚀刻目标层以形成接触孔。根据示例实施方式，一种形成精细图案的方法包括：在基板上形成隔离层以限定有源图案；在有源图案和隔离层上形成栅结构；在有源图案上形成源/漏区，源/漏区邻近栅结构；在有源图案和隔离层上形成绝缘夹层以覆盖栅结构和源/漏区；在绝缘夹层上形成多个第一牺牲图案；在该多个第一牺牲图案的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的侧壁上形成第二间隔物；去除该多个第二牺牲图案；以及通过孔区域部分地去除绝缘夹层以形成暴露源/漏区的接触孔，该孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。根据示例实施方式，一种光掩模布图包括：在第一方向上延伸的多个第一图案区域；以及与第一图案区域交叉的多个第二图案区域，第二图案区域在第二方向上延伸，第一方向关于第二方向倾斜，每个第二图案区域包括线区域以及与线区域的一端连接的突出部区域，并且突出部区域具有比线区域大的宽度。根据示例实施方式，一种形成精细图案的方法包括：在基板上形成目标层，基板具有单元区和虚设区；通过第一双图案化工艺在目标层上形成第一间隔物，第一间隔物在第一方向上延伸；通过第二双图案化工艺形成在第二方向上延伸的第二间隔物，第一方向关于第二方向倾斜，第二间隔物与第一间隔物交叉，并且第二间隔物之间的间隙在虚设区中在垂直于第二方向的第三方向上交替地增大和减小；以及通过由第一间隔物和第二间隔物限定的空间蚀刻目标层以形成接触孔。附图说明从以下结合附图的详细描述，示例实施方式将被更清楚地理解。图1至图37描绘了如这里描述的非限制的示例实施方式。图1A和图1B是示出根据一些示例实施方式的光掩模布图的俯视图；图2至图21是示出根据示例实施方式的形成精细图案的方法的俯视图和剖视图；图22至图24是示出根据示例实施方式的形成精细图案的方法的俯视图；图25和图26是示出根据一些比较示例的形成精细图案的方法的俯视图；以及图27至图37是示出根据示例实施方式的制造半导体器件的方法的俯视图和剖视图。具体实施方式在下文，将参照附图详细说明一些示例实施方式。图1A和图1B是示出根据一些示例实施方式的光掩模布图的俯视图。在图1A和图1B中，第一方向和第二方向可以定义基本上彼此垂直的两个方向。第三方向可以定义相对于第一方向或第二方向的倾斜方向。参照图1A，光掩模布图可以包括空白区域100、第一图案区域110和第二图案区域120。空白区域100可以对应于可对其进行曝光工艺的层、掩模层或牺牲层。第一图案区域110可以在倾斜方向上延伸。例如，第一图案区域110可以在第三方向上延伸。多个第一图案区域110可以布置在基本上垂直于第三方向的方向上。第一空间115可以限定在第一图案区域110之间。因此，第一空间115可以在第三方向上延伸。在一些示例实施方式中，每个第一空间115可以在基本上垂直于第三方向的所述方向上具有一宽度。在一些示例实施方式中，第一图案区域110可以对应于用于第一双图案化工艺的第一双图案化技术(DPT)图案。第二图案区域120可以在笔直的方向上延伸。例如，第二图案区域120可以在第二方向上延伸。第二图案区域120可以位于第一图案区域110之上。第二图案区域120可以与第一图案区域110交叉。此外，多个第二图案区域120可以布置在第一方向上。第二空间130可以限定在第二图案区域120之间。因此，第二空间130可以在第二方向上延伸。在一些示例实施方式中，每个第二空间130可以在第一方向上具有一宽度。在一些示例实施方式中，第二图案区域120可以包括线区域123和突出部区域125。突出部区域125可以连接到线区域123的一端。突出部区域125可以在第一方向上具有比线区域123在第一方向上的宽度大的宽度。相邻的突出部区域125之间的第二空间130可以具有比相邻的线区域123之间的第二空间130的宽度小的宽度。因此，空白区域100的通过相邻的突出部区域125的部分暴露的区域可以小于空白区域100的通过相邻的线区域123的部分暴露的区域。在一些示例实施方式中，在图1A中，突出部区域125可以连接到线区域123的一端。在一些示例实施方式中，两个突出部区域125可以分别连接到线区域123的两端。参照图1B，第二图案区域120之间的间隙可以彼此不同。例如，中央的第二图案区域和边缘的第二图案区域之间的间隙可以比中央的第二图案区域之间的间隙宽。例如，第二图案区域120可以包括单元图案区域120a(例如中央的第二图案区域)和虚设图案区域120b(例如边缘的第二图案区域)。单元图案区域120a可以布置在与半导体器件的单元区或单元块对应的区域中。虚设图案区域120b可以布置在单元区或单元块的边界区域或外围区域中。两个虚设图案区域120b可以分别布置在单元图案区域120a的两侧。在一些示例实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成精细图案的方法，所述方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，所述目标层在基板上；在所述多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除所述多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，所述第二牺牲图案与所述第一间隔物交叉，每个所述第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，并且所述突出部部分具有比所述线部分宽的宽度；在所述多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除所述多个第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻所述目标层以暴露所述基板，所述孔区域由所述第一间隔物和所述第二间隔物限定。

【技术特征摘要】
2016.03.03 KR 10-2016-00255281.一种形成精细图案的方法，所述方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，所述目标层在基板上；在所述多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除所述多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，所述第二牺牲图案与所述第一间隔物交叉，每个所述第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，并且所述突出部部分具有比所述线部分宽的宽度；在所述多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除所述多个第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻所述目标层以暴露所述基板，所述孔区域由所述第一间隔物和所述第二间隔物限定。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二牺牲图案在第二方向上延伸，所述第二牺牲图案布置在垂直于所述第二方向的第一方向上，所述第一牺牲图案在关于所述第一方向和所述第二方向两者倾斜的第三方向上延伸，所述第一间隔物在所述第三方向上延伸，并且所述第二间隔物在所述第二方向上延伸。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述突出部部分连接到所述线部分的沿所述第二方向的一端。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述孔区域包括：第一孔区域，由所述线部分的侧壁上的所述第二间隔物和所述第一间隔物限定；以及第二孔区域，在所述第二牺牲图案的所述突出部部分被去除的空间处由所述突出部部分的侧壁上的所述第二间隔物和所述第一间隔物限定，其中每个所述第二孔区域具有比每个所述第一孔区域的尺寸大的尺寸。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二牺牲图案包括：单元牺牲图案；和虚设牺牲图案，与所述单元牺牲图案中的一个在所述第一方向上相邻地定位。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述虚设牺牲图案和所述单元牺牲图案中的与所述虚设牺牲图案相邻的所述一个之间的间隙比所述单元牺牲图案之间的间隙宽。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述孔区域还包括形成在所述虚设牺牲图案和与所述虚设牺牲图案相邻的所述单元牺牲图案之间的空间中的第三孔区域，每个所述第三孔区域具有比所述第一孔区域大的尺寸。8.根据权利要求4所述的方法，其中所述孔区域还包括形成在所述突出部部分之间的空间中的第四孔区域，所述第四孔区域具有比所述第二孔区域小的尺寸。9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二牺牲图案的所述侧壁上形成所述第二间隔物包括：在所述第二牺牲图案的表面上形成第二间隔物层使得所述突出部部分之间的空间被所述第二间隔物填充；以及部分地去除所述第二间隔物层以在所述第二牺牲图案的所述侧壁上形成所述第二间隔物。10.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成第一牺牲图案之前，在所述目标层上形成掩模层；以及将所述孔区域转录到所述掩模层中以形成掩模图案。11.一种形成精细图案的方法，所述方法包括：在基板上形成目标层，所述基板具有单元区和虚设区；通过第一双图案化工艺在所述目标层上形成第一间隔物，所述第一间隔物在第一方向上延伸；通过第二双图案化工艺形成在第二方向上延伸的第二间隔物，所述第一方向关于所述第二方向倾斜，所述第二间隔物与所述第一间隔物交叉，并且所述第二间隔物之间的间隙在所述虚设区中在所述垂直于所述第二方向的第三方向上交替地增大和减小；以及通过由所述第一间隔物和所述第二间隔物限定的空间蚀刻所述目标层以形成接触孔，其中所述第一双图案化工艺包括：在所述目标层上形成多个第一牺牲图案，所述第一牺牲图案在所述第一方向上延伸；在所述第一牺牲图案的侧壁上形成所述第一间隔物；以及去除所述第一牺牲图案，其中所述第二双图案化工艺包括：形成多个第二牺牲图案，所述第二牺牲图案与所述第一间隔物交叉，每个所述第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，并且所述突出部部分具有比所述线部分宽的宽度；在所述第二牺牲图案的侧壁上形成所述第二间隔物；以及去除所述第二牺牲图案。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述空间中的由在所述单元区上的所述第一间隔物和所述第二间隔物限定的第一组形成单元孔区域，所述空间中的由在所述虚设区上的所述第一间隔物和所述第二间隔物限定的第二组形成虚设孔区域，并且每个所述虚设孔区域具有比每个所述单元孔区域大的尺寸。13.根据权利要求12所述的方法，其中寄生孔区域由相邻的所述突出部部分之间的空间...

【专利技术属性】
技术研发人员：林静范，全钟律，金恩娥，李钟旼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR