具有非对称源极/漏极的半导体器件制造技术

一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。

【技术实现步骤摘要】
具有非对称源极/漏极的半导体器件本申请是基于2016年4月23日提交的、申请号为201610262462.X、专利技术创造名称为“具有非对称源极/漏极的半导体器件”的中国专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求于2015年4月23日提交的韩国专利申请第10-2015-0057193号的优先权，其公开内容以引用方式全部合并于此。
本申请涉及一种半导体器件。
技术介绍
最近，安装在移动产品中的半导体芯片趋向于小型化和高度集成，并且半导体器件相应地变小。随着集成在半导体芯片中的半导体器件的尺寸缩小，晶体生长源极/漏极的接触面积减小，并且半导体器件的导通电流特性下降。已经提出了各种不同的解决这种问题的方法。
技术实现思路
本专利技术构思的各实施例提供一种半导体器件，在其中通过生长具有非对称形状的源极/漏极而进一步获得源极/漏极的接触面积。本专利技术构思的其他实施例提供形成有利于高度集成并且具有优良的电特性的半导体器件的方法。本专利技术构思的技术目的不限于上述公开；基于下面的描述，其他目的对于本领域普通技术人员而言会变得显而易见。根据本专利技术构思的一个方面，一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，所述第二晶体生长部分与所述第一晶体生长部分共享一个平面，并且所述第二晶体生长部分的下表面布置在比所述第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。所述第一晶体生长部分可以与所述有源鳍的上表面接触，并且所述第二晶体生长部分可以与所述有源鳍的侧表面接触。所述第二晶体生长部分可以与所述第一晶体生长部分共享一个平面，并且具有矩形形状。根据本专利技术构思的另一个方面，一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍、填充在各有源鳍之间的器件隔离层以及形成在有源鳍上的非对称源极/漏极。邻近于有源鳍的一些侧表面的器件隔离层的上表面布置在相对低的水平高度上，并且邻近于与所述一些侧表面平行的其他侧表面的器件隔离层的上表面布置在相对高的水平高度上。所述多个源极/漏极包括：第一晶体生长部分，其与有源鳍的上表面和布置在相对高的水平高度上的器件隔离层的上表面接触；以及第二晶体生长部分，其与第一晶体生长部分共享平面，并且与各有源鳍的侧表面和布置在相对低的水平高度上的器件隔离层的上表面接触。邻近于相邻有源鳍的相对的侧表面的器件隔离层的上表面可以布置在相同的水平高度上。所述半导体器件还可以包括与有源鳍交叉的栅极叠层。栅极叠层中的每一个可以包括栅极介电层和栅电极。栅极介电层可以包括：下表面，其接触器件隔离层的上表面和有源鳍的上表面；以及与所述下表面垂直的侧表面。栅电极可以与栅极介电层的下表面和侧表面接触。所述半导体器件还可以包括：第一沟槽，其由多个有源鳍共享，并且具有第一宽度；以及第二沟槽，其具有大于第一宽度的第二宽度。第一沟槽的侧表面和第二沟槽的侧表面可以是有源鳍的侧表面。器件隔离层可以填充第一沟槽和第二沟槽，并且邻近于第一沟槽的侧表面的器件隔离层的上表面可以布置在比邻近于第二沟槽的侧表面的器件隔离层的上表面更高的水平高度上。根据本专利技术构思的另一个方面，一种半导体器件包括：衬底；有源鳍，其从所述衬底突出并且包括第一鳍区和凹进的第二鳍区；与第一鳍区交叉的栅极叠层；位于栅极叠层的侧表面上的间隔件；覆盖有源鳍的下部的器件隔离层；以及位于第二鳍区上的非对称源极/漏极。每个源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。所述半导体器件还可以包括：第一残余物，其位于第一晶体生长部分与器件隔离层之间；第二残余物，其位于第二晶体生长部分与器件隔离层之间。第一残余物和第二残余物可以包括与间隔件相同的材料。第一残余物的上表面可以布置在与有源鳍的上表面相同的水平高度上，或者布置在比有源鳍的上表面更高的水平高度上，并且第二残余物的上表面可以布置在比第一残余物的上表面更低的水平高度上。与第一残余物接触的器件隔离层的上表面和与第二残余物接触的器件隔离层的上表面可以布置在相同的水平高度上。每个凹进的第二鳍区可以包括凹进上表面，以及与凹进上表面垂直的凹进侧表面。每个源极/漏极的第一晶体生长部分可以与每个凹进的第二鳍区的凹进上表面和凹进侧表面接触。所述半导体器件还可以包括与源极/漏极接触的源极/漏极接触件。所述半导体器件还可以包括布置在源极/漏极与源极/漏极接触件之间的硅化物层。根据本专利技术构思的另一个方面，一种半导体器件包括：衬底；从所述衬底突出的有源鳍；以及源极/漏极，其同时接触各个有源鳍，并且具有融合的形状。所述源极/漏极包括：第一晶体生长部分，其接触有源鳍的上表面；第二晶体生长部分，其与第一晶体生长部分共享平面，并且接触有源鳍的侧表面；以及第三晶体生长部分，其以使得第一晶体生长部分的相邻边缘融合的方式形成。本专利技术构思的一些实施例指向一种半导体器件，其包括：衬底；从所述衬底突出的有源鳍；以及菱形源极/漏极，其布置在有源鳍的上表面上。所述菱形源极/漏极可以包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分。所述第二晶体生长部分的下表面可以布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。在一些实施例中，所述半导体器件可以包括：与有源鳍相邻的器件隔离区；第一残余物，其布置在有源鳍的第一晶体生长部分与器件隔离层之间；以及第二残余物，其布置在有源鳍的第二晶体生长部分与器件隔离层之间。第一残余物的上表面可以布置在与有源鳍的上表面相同的水平高度上，或者布置在比有源鳍的上表面更高的水平高度上。第二残余物的上表面可以布置在比第一残余物的上表面和/或有源鳍的上表面更低的水平高度上。在一些实施例中，所述有源鳍可以是第一有源鳍，并且所述菱形源极/漏极可以是第一菱形源极/漏极。所述半导体器件还可以包括：第二有源鳍，其从所述衬底突出，并且通过器件隔离层与第一有源鳍间隔开；第二菱形源极/漏极，其布置在第二有源鳍的上表面上，第二菱形源极/漏极包括第三晶体生长部分和第四晶体生长部分。第四晶体生长部分的下表面可以布置在比第三晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。融合晶体生长部分可以连接第一菱形源极/漏极的第一晶体生长部分和第二菱形源极/漏极的第三晶体生长部分。在一些实施例中，融合晶体生长部分可以远离第一菱形源极/漏极的第二晶体生长部分，并且融合晶体生长部分可以远离第二菱形源极/漏极的第四晶体生长部分。第一菱形源极/漏极的掺杂浓度可以朝向第一菱形源极/漏极的上端逐渐增加。在一些实施例中，所述半导体器件可以包括：栅极叠层，其包括栅极介电层和栅电极；间隔件，其将栅极叠层与第一菱形源极/漏极和第二菱形源极/漏极电隔离；以及邻近于间隔件的接触电极。所述接触电极可以与第一菱形源极/漏极、第二菱形源极/漏极以及融合晶体生长部分直接接触。要注意到，尽管没有对其进行具体的描述，但是本公开关于一个实施例描述的各方面可并入到不同的实施例中。也就是说，所有实施例和/或任何实施例的所有特征可以以任何方式组合和/或合并。本专利技术的这些和其他对象和/或方面在下面阐述的说明书中进行详细的说明。其他实施例的各个细节包括在详细描述和附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；从所述半导体衬底竖直地延伸的有源鳍；以及位于所述有源鳍的上表面上的不对称源极/漏极，其中，所述不对称源极/漏极包括第一晶体生长部分和从所述第一晶体生长部分的一部分延伸的第二晶体生长部分，其中，所述第二晶体生长部分的下表面位于比所述第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。

【技术特征摘要】
2015.04.23 KR 10-2015-00571931.一种半导体器件，包括：半导体衬底；从所述半导体衬底竖直地延伸的有源鳍；以及位于所述有源鳍的上表面上的不对称源极/漏极，其中，所述不对称源极/漏极包括第一晶体生长部分和从所述第一晶体生长部分的一部分延伸的第二晶体生长部分，其中，所述第二晶体生长部分的下表面位于比所述第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体生长部分接触所述有源鳍的上表面，并且所述第二晶体生长部分接触所述有源鳍的侧表面。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二晶体生长部分包括矩形形状。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二晶体生长部分相对于所述有源鳍的延伸方向倾斜。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述有源鳍包括第一侧表面和与所述第一侧表面相对的第二侧表面，其中，所述第二晶体生长部分接触所述第二侧表面的一部分并且不接触所述第一侧表面。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中,所述有源鳍包括第一侧表面和与所述第一侧表面相对的第二侧表面，其中,所述第二晶体生长部分接触所述第二侧表面的一部分并且不接触所述第一侧表面。7.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括与所述有源鳍交叉的栅极叠层。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述栅极叠层包括栅极介电层和栅电极。9.一种半导体器件，包括：半导体衬底；从所述半导体衬底突出的有源鳍；填充在所述有源鳍之间的器件隔离层，其中，所述器件隔离层的与所述有源鳍的侧表面相邻的上表面位于低水平高度处，并且所述器件隔离层的与平行于所述侧表面的其它侧表面相邻的上表面位于高水平高度处，所述高水平高度距所述半导体衬底的距离比所述低水平高度距所述半导体衬底的距离更大；以及位于所述有源鳍上的不对称源极/漏极，其中，所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，所述第一晶体生长部分接触所述有源鳍的上表面，所述第二晶体生长部分与所述第一晶体生长部分共享一个平面，并且所述第二晶体生长部分接触所述有源鳍的侧表面，其中，所述第二晶体生长部分的下表面位于比所述第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述器件隔离层的与相邻有源鳍的相对侧表面相邻的上表面设置在相同的水平高度处。11.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括与所述有源鳍交叉的栅极叠层，其中，所述栅极叠层中的每一个包括栅极介电层和栅电极，其中，所述栅极介电层包括与所述器件隔离层的上表面和所述有源鳍...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑钟基，姜明一，金伦楷，李宽钦，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR