基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够缩短基板的冷却时间的基板处理装置。具备保持基板的基板保持体、位于基板保持体的下方的隔热部、向基板保持体移载基板的移载室、向移载室内供给气体的气体供给机构，气体供给机构具有向移载室内的基板保持体所在的上部区域供给气体且相对于基板形成水平方向的气体流动的第一气体供给机构、和向移载室内的隔热部所在的下部区域供给气体且相对于隔热部形成沿垂直方向向下的气体流动的第二气体供给机构，第一气体供给机构及第二气体供给机构设置于移载室的一侧面，且第二气体供给机构设置于第一气体供给机构的下方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置
本专利技术涉及基板处理装置。
技术介绍
通常，半导体器件的制造工序中使用的立式基板处理装置中，在配设于处理晶片的处理室的下方侧的移载室内，进行对向处理室内搬入的基板保持体(舟皿)装填(晶片装载)未处理晶片、及从自处理室内搬出的基板保持体卸下(晶片卸载)已处理晶片。然后，在移载室内，为了将从处理室内搬出的高温的已处理晶片冷却至规定温度，形成基于清洁空气的气流。该气流是通过沿着移载室的一侧的侧壁设置内置有过滤器和鼓风机的清洁单元，并从该清洁单元向移载室内吹出清洁空气而形成的(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002－175999号公报
技术实现思路
然而，上述的现有技术的移载室内的气流，有时在移载室内因来自基板保持体下部的隔热区域的热量而产生上升气流，热量向移载室上部扩散，导致基板的冷却耗费时间。本专利技术的目的在于，提供一种能够缩短基板的冷却时间的技术。根据本专利技术的一方面，基板处理装置具备：基板保持体，其保持基板；隔热部，其位于所述基板保持体的下方；移载室，其向所述基板保持体移载所述基板；以及气体供给机构，其向所述移载室内供给气体，所述气体供给机构具有：第一气体供给机构，其向所述移载室内的所述基板保持体所在的上部区域供给气体，相对于所述基板形成水平方向的气体流动；以及第二气体供给机构，其向所述移载室内的所述隔热部所在的下部区域供给气体，相对于所述隔热部形成沿垂直方向向下的气体流动，所述第一气体供给机构及所述第二气体供给机构设置于所述移载室的一侧面，且所述第二气体供给机构设置于所述第一气体供给机构的下方。专利技术效果根据本专利技术，能够缩短基板的冷却时间。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式中优选使用的基板处理装置的概略结构例的立体透视图。图2是表示本专利技术一实施方式的基板处理装置中使用的处理炉的结构例的纵向剖视图。图3是表示本专利技术的第一实施方式中优选使用的基板处理装置的移载室的结构例和气体流动的纵向剖视图。图4是表示本专利技术的第一实施方式中优选使用的基板处理装置的移载室的下部空间的结构例的俯视图。图5的(a)是表示本专利技术的第一实施方式中优选使用的基板处理装置的移载室的气体供给机构的结构例的俯视图，(b)是表示气体供给机构的结构例的侧视图。图6是表示本专利技术的第二实施方式中优选使用的基板处理装置的移载室的结构例和气体流动的纵向概略剖视图。图7是表示本专利技术的第二实施方式中优选使用的基板处理装置的挡板收纳部的结构例和气体流动的俯视图。图8是表示通常的移载室内的气体流动的概略图。图9是表示本专利技术的第三实施方式中优选使用的基板处理装置的移载室的结构例和气体流动的纵向概略剖视图。图10是表示本专利技术的第三实施方式中优选使用的基板处理装置的移载室的结构例的俯视图。具体实施方式＜本专利技术的一实施方式＞以下，主要使用图1～图5说明本专利技术的一实施方式。(1)基板处理装置的结构如图1所示，基板处理装置10具备内部配置有处理炉40等主要部分的壳体12。在壳体12的正面侧配置有盒载台18。在盒载台18上搬运并载置收纳晶片(基板)14的作为基板收纳件的前部开口片盒(盒)16。盒16在其内部收纳例如25个晶片14。在壳体12内的正面侧且与盒载台18相对的位置配置有盒搬运装置20。在盒搬运装置20的附近分别配置有盒架22、盒开启器24。盒搬运装置20构成为在盒载台18、盒架22以及盒开启器24之间搬运盒16。盒架22具有多层架板，构成为以载置了多个盒16的状态保持。盒开启器24构成为对盒16的盖进行开闭。在与盒开启器24相比靠壳体12内的背面侧形成有在该壳体12内作为一个腔室而划分出的移载室50。在后面，详细说明该移载室50。在移载室50内配置有作为基板保持件的舟皿30。在移载室50和盒开启器24之间设置基板移载机28。基板移载机28具有能够取出例如5片晶片14的臂(镊钳)32。利用未图示的驱动单元使臂32上下旋转动作，由此，基板移载机28能够在载置于盒开启器24的盒16和舟皿30之间搬运晶片14。舟皿30构成为以水平姿势沿纵向多层保持多个(例如25个～150个左右)晶片14。保持着晶片14的舟皿30构成为能够通过作为升降机构的舟皿升降机34可升降。在舟皿30的下方设置有具有隔热效果的隔热部。隔热部例如构成为将由石英或SiC等耐热性材料构成的隔热板74呈水平姿势多层地支承。在移载室50内，将舟皿30的位置作为上部区域60，将隔热部的位置作为下部区域61。此外，在下部区域61，未设置隔热板74，也可以设置由石英或SiC等耐热性材料构成的筒状的部件即隔热筒作为隔热部。另外，也可以将舟皿30作为在上方保持基板14、在下方保持隔热板74的结构。该情况下，舟皿30由保持基板14的上部区域60、和保持隔热板74的下部区域61构成。在移载室50的上方侧配置有处理炉40。在处理炉40内，从下方搬入装填有多个晶片14的舟皿30。(处理炉)接着，简单说明上述的处理炉40。如图2所示，处理炉40具备反应管41。反应管41例如由石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等具有耐热性的非金属材料构成，成为上端封闭、下端开放的圆筒形状。在反应管41的筒内形成有在内部收容舟皿30进行处理的处理室42。舟皿30构成为通过利用旋转机构43进行旋转，而能够保持处理室42内的气密性地在搭载有多个晶片14的状态下旋转。在反应管41的下方，与该反应管41同心圆状地配设有歧管45。歧管45例如由不锈钢等金属材料构成，形成上端部及下端部开放的圆筒形状。利用该歧管45，从下端部侧朝向纵向地支承反应管41。歧管45的下端部构成为，在舟皿升降机34上升时，通过密封盖46气密地被密封。在歧管45的下端部和密封盖46之间设置有气密地密封处理室42内的O型环等密封部件46a。另外，在歧管45上分别连接有用于向处理室42内导入原料气体或吹扫气体等的气体导入管47、和用于排出处理室42内的气体的排气管48。在气体导入管47上，从上游方向依次设置有控制原料气体或吹扫气体等各种气体的流量的流量控制器(流量控制部)即质量流量控制器(MFC)及开闭阀即阀。在气体导入管47的前端连接喷嘴，各种气体构成为经由MFC、阀、喷嘴向处理室42内供给各种气体。在排气管48上，经由检测处理室42内的压力的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器及作为压力调整器(压力调整部)的APC(AutoPressureController：自动压力控制器)阀连接有作为真空排气装置的真空泵。在反应管41的外周，与反应管41呈同心圆状地配置有作为加热单元(加热机构)的加热器单元49。加热器单元49构成为进行相对于处理室42内的加热，以使处理室42内整体成为均匀或规定的温度分布。在反应管41内设置有作为温度检测器的温度传感器。通过基于由温度传感器检测到的温度信息调整对加热器49的通电程度，处理室42内的温度成为所希望的温度分布。在MFC、阀、压力传感器、APC阀、真空泵、加热器49、温度传感器、旋转机构43、舟皿升降机34、后述的风扇56a、56b等上连接有控制它们的控制器121。控制器121例如构成为由具备CPU的微处理器(计算机)构成，控制基板处理装置10的动作。在控制器121上连接有例如作为触摸面板等构成的输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板保持体，其保持基板；隔热部，其位于所述基板保持体的下方；移载室，其向所述基板保持体移载所述基板；以及气体供给机构，其向所述移载室内供给气体，所述气体供给机构具有：第一气体供给机构，其向所述移载室内的所述基板保持体所在的上部区域供给气体，相对于所述基板形成水平方向的气体流动；以及第二气体供给机构，其向所述移载室内的所述隔热部所在的下部区域供给气体，相对于所述隔热部形成沿垂直方向向下的气体流动，所述第一气体供给机构及所述第二气体供给机构设置于所述移载室的一侧面，且所述第二气体供给机构设置于所述第一气体供给机构的下方。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.21 JP 2015-0093941.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板保持体，其保持基板；隔热部，其位于所述基板保持体的下方；移载室，其向所述基板保持体移载所述基板；以及气体供给机构，其向所述移载室内供给气体，所述气体供给机构具有：第一气体供给机构，其向所述移载室内的所述基板保持体所在的上部区域供给气体，相对于所述基板形成水平方向的气体流动；以及第二气体供给机构，其向所述移载室内的所述隔热部所在的下部区域供给气体，相对于所述隔热部形成沿垂直方向向下的气体流动，所述第一气体供给机构及所述第二气体供给机构设置于所述移载室的一侧面，且所述第二气体供给机构设置于所述第一气体供给机构的下方。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在隔着所述基板保持体与设置有所述第一气体供给机构的一侧面相对面的侧面具有将由所述第一气体供给机构供给的所述气体排出的第一排气部。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，在所述移载室的底部具有将由所述第二气体供给机构供给的所述气体排出的第二排气部。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二排气部相对于所述移载室的剖视时的中心线偏向设置有所述第一排气部的侧面这一侧设置。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二排气部的在所述移载室的平面截面积比所述下部区域的在所述移载室的平面截面积窄。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述移载室的侧面且至少设置有所述气体供给机构的侧面和设置有所述第一排气部的侧面的下方部分的侧面，形成向所述移载室的内侧倾斜的斜面。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述下方部分是所述隔热部的下端的高度位置以下的部分。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，构成为，设置有所述气体供给机构的侧面的下方部分的斜面的斜率比设置有所述第一排气部的侧面的下方部分的斜面的斜率小。9.根据权利要求3所述的基板处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田高行，野上孝志，谷山智志，上村大义，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP