紫外光发光二极管封装方法技术

本发明专利技术公开一种紫外光发光二极管的封装方法，包含以下步骤：(S1)提供一承载片，该承载片连接有正负二个电极；(S2)固定一紫外光芯片于承载片上，电连接电极；(S3)覆盖透明热固型含硅氧溶液于紫外光芯片；以及(S4)进行热固化制作工艺。

Ultraviolet light emitting diode packaging method

The invention discloses an ultraviolet light emitting diode, which comprises the following steps: (S1) providing a bearing plate, the bearing plate is connected with the positive and negative two electrodes; (S2) a fixed UV chip on the bearing plate, the electric connecting electrode; (S3) covering the transparent thermosetting silicon containing oxygen solution in UV chip and (S4); heat curing process.

【技术实现步骤摘要】
紫外光发光二极管封装方法
本专利技术涉及一种发光二极管的封装方法，尤其是涉及一种紫外光发光二极管的封装方法。
技术介绍
发光二极管(lightemittingdiode，LED)是一种能发光的半导体电子元件，并且具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，近年已被普遍应用于照明。一般LED封装不仅要求能够保护LED芯片，而且还要透光等材料上的特殊要求、封装方法与结构。一般封装技术中，利用不透明图案化基底，承载LED芯片(chip)与电极，通过金属导线将LED芯片与电极电连接后，在不透明基底与芯片上，以透明材料覆盖整个芯片、金属导线、与不透明基底，固化后形成完成封装。由于封装必须使用透明材料，以利光线的射出，因此材料选择有限。目前现有技术选用环氧树脂或含苯环的纯硅氧烷等高分子透明材料来进行封装，但却遇到许多材质老化等问题。环氧树脂具有低成本、易加工及封装后保护性佳等优点，因此被广泛应用于LED封装，但环氧树脂的热安定性不足，并且硬化后材料特性硬力过大，因此并不适用于高功率LED芯片的封装。而纯硅氧烷材料虽具有佳的光热安定性、易加工、封装后保护性佳等优点，但却无法使用在短波段光源的封装，如一般紫外光(波长小于420nm)，更尤其是波段365nm以下的LED封装。由于纯硅氧烷材料所含的苯环在短波长光源的照射下容易导制材料老化、裂解，造成脆裂等劣化状况，失去对LED芯片的保护特性，导致LED芯片在还能使用的状况下，却因为封装结构保护性不佳，而造成LED芯片的受损，进而缩短LED元件的使用寿命。因此如何改善针对紫外光芯片的封装结构，避免材料劣化进而造成保护性下降等问题，成为本专利技术所探讨的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种紫外光发光二极管的封装方法，包含以下步骤：(S1)提供一承载片，该承载片连接有正负二电极；(S2)固定一紫外光芯片于承载片上，电连接二个电极；(S3)覆盖透明热固型含硅氧溶液于紫外光芯片；以及(S4)进行热固化制作工艺。在本专利技术的较佳实施例中，上述的透明热固型含硅氧溶液为旋涂式玻璃(Spin-onglass，SOG)。在本专利技术的较佳实施例中，上述的步骤(S3)包含以下步骤：(S3A)将透明热固型含硅氧溶液注胶于承载片上，覆盖紫外光芯片；(S3B)旋转承载片，使透明热固型含硅氧溶液平铺于承载片，并完整覆盖承载片、紫外光芯片与电极；以及(S3C)于300～600℃环境下进行该热固化制作工艺，以干燥透明热固型含硅氧溶液。在本专利技术的较佳实施例中，上述的部分电极上覆盖有绝缘层。在本专利技术的较佳实施例中，上述的步骤(S3)包含以下步骤：(S3A’)将透明热固型含硅氧溶液注胶于承载片上，覆盖紫外光芯片；(S3B’)旋转承载片，使透明热固型含硅氧溶液完整覆盖紫外光芯片以及未被绝缘层覆盖的部分电极；以及(S3C’)于300～600℃环境下进行热固化制作工艺，以干燥透明热固型含硅氧溶液。在本专利技术的较佳实施例中，上述的紫外光芯片包含芯片电极，芯片电极与电极直接接触以电连接电极。在本专利技术的较佳实施例中，上述的紫外光芯片以一金属导线与电极电连接。在本专利技术的较佳实施例中，上述的步骤(S3)包含以下步骤：(S3A”)将透明热固型含硅氧溶液注胶于承载片上，覆盖紫外光芯片；(S3B”)压模使透明热固型含硅氧溶液平铺于承载片，并完整覆盖承载片、紫外光芯片与电极；以及(S3C”)于300～600℃环境下进行热固化制作工艺，以干燥透明热固型含硅氧溶液。在本专利技术的较佳实施例中，上述的电极上设有一凹杯结构，环绕紫外光芯片。在本专利技术的较佳实施例中，上述的凹杯结构的上表面与内侧表面覆盖有一绝缘层。在本专利技术的较佳实施例中，上述的步骤(S3)包含以下步骤：(S3a)将透明热固型含硅氧溶液注胶于承载片上，形成一弧面体覆盖紫外光芯片与该凹杯结构；以及(S3b)于300～600℃环境下进行热固化制作工艺，以干燥弧面体。在本专利技术的较佳实施例中，上述的步骤(S3)包含以下步骤：(S3a’)将透明热固型含硅氧溶液注胶于承载片上，覆盖紫外光芯片与该支架；(S3b’)旋转承载片，使透明热固型含硅氧溶液平铺于承载片，并完整覆盖承载片、紫外光芯片、电极与支架；以及(S3c’)于300～600℃环境下进行热固化制作工艺，以干燥透明热固型含硅氧溶液。在本专利技术的较佳实施例中，上述的步骤(S3)包含以下步骤：(S3a”)将透明热固型含硅氧溶液注胶于承载片上，覆盖该紫外光芯片；(S3b”)压模使该透明热固型含硅氧溶液平铺于承载片，并完整覆盖承载片、紫外光芯片、电极与支架；以及(S3c”)于300～600℃环境下进行热固化制作工艺，以干燥透明热固型含硅氧溶液。在本专利技术的较佳实施例中，上述的热固化制作工艺于300～600℃环境下进行。因此本专利技术能提供的发光二极管的封装方法，可以适用于市场上所有常见波长的LED芯片封装，尤其对于波段365nm以下的UVLED芯片的封装，能解决现有制作工艺产品容易产生劣化的问题，达到更佳且更长期的保护，进而延长UVLED的使用寿命。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举数个较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：图1是依据本专利技术提供的紫外光发光二极管的封装方法步骤流程示意图；图2A-图2E是依据本专利技术的一实施例所绘制，一制作工艺步骤的结构侧视示意图；图3是依据本专利技术的一实施例所绘制的封装结构侧视示意图；图4是依据本专利技术的一实施例所绘制，正装芯片的封装结构侧视示意图；图5A-图5D是依据本专利技术的一具有凹杯结构的实施例所绘制，一制作工艺步骤的结构侧视示意图；图6是依据本专利技术的一实施例所绘制的封装结构侧视示意图；以及图7是依据本专利技术的一实施例所绘制，正装芯片的封装结构侧视示意图。符号说明1：承载片2：电极3：绝缘层4：紫外光芯片5：透明热固型含硅氧溶液5’：耐UV硅氧保护结构6：金属导线7：凹杯结构S1-S4：步骤具体实施方式本专利技术是在提供一种紫外光发光二极管(UVLED)的封装方法，用以解决现有的封装方法下所导致的劣化状况，以改善对UVLED长期使用后的保护性，尤其是针对波长365nm以下的UVLED，能有效延长UVLED使用寿命的功效。为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文以实施例配合所附附图，做详细说明。为提供清楚说明，在此针对下述内容的部分名词进行定义。说明书中，使用「～」来表是的数值范围是指包含「～」前后所记载的数值分别作为上限值与下限值；另外说明书中「溶液」在没有其他限制条件的情况下是指液态溶液，并且依据一般化学定义，溶液包含溶质与溶剂两部分，溶质可以为气体、液体或固体，但溶剂必为液体。如图1所示为依据本专利技术提供的紫外光发光二极管的封装方法，步骤(S1)提供承载片，该承载片连接有正负二个电极；步骤(S2)固定紫外光芯片于承载片上，电连接电极；步骤(S3)覆盖透明热固型含硅氧溶液于该紫外光芯片；以及步骤(S4)进行热固化制作工艺。于本专利技术的一实施例中，热固型含硅氧溶液使用旋涂式玻璃(Spin-onglass，SOG)材料与适合的溶剂，如乙醇、酮类或/及酯类，形成均匀溶液。于本专利技术不同实施例中，步骤(S3)中的覆盖方式可以是注胶(disp本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外光发光二极管的封装方法，包含以下步骤：(S1)提供一承载片，该承载片上连接有一电极；(S2)固定一紫外光芯片于该承载片上，电连接该电极；(S3)覆盖一透明热固型含硅氧溶液于该紫外光芯片；以及(S4)进行一热固化制作工艺。

【技术特征摘要】
2016.02.16 TW 1051045031.一种紫外光发光二极管的封装方法，包含以下步骤：(S1)提供一承载片，该承载片上连接有一电极；(S2)固定一紫外光芯片于该承载片上，电连接该电极；(S3)覆盖一透明热固型含硅氧溶液于该紫外光芯片；以及(S4)进行一热固化制作工艺。2.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法，其中该透明热固型含硅氧溶液为旋涂式玻璃(Spin-onglass，SOG)。3.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法，其中该步骤(S3)包含以下步骤：(S3A)将该透明热固型含硅氧溶液注胶于该承载片上，覆盖该紫外光芯片；(S3B)旋转该承载片，使该透明热固型含硅氧溶液平铺于该承载片，并完整覆盖该承载片、该紫外光芯片与该电极；以及(S3C)于300～600℃环境下进行该热固化制作工艺，以干燥该透明热固型含硅氧溶液。4.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法，其中该部分该电极上覆盖有一绝缘层。5.如权利要求4所述的紫外光发光二极管的封装方法，其中该步骤(S3)包含以下步骤：(S3A’)将该透明热固型含硅氧溶液注胶于该承载片上，覆盖该紫外光芯片；(S3B’)旋转该承载片，使该透明热固型含硅氧溶液完整覆盖该紫外光芯片以及未被该绝缘层覆盖的部分该电极；以及(S3C’)于300～600℃环境下进行该热固化制作工艺，以干燥该透明热固型含硅氧溶液。6.如权利要求5所述的紫外光发光二极管的封装方法，其中该紫外光芯片包含一芯片电极，该芯片电极与该电极直接接触以电连接该电极。7.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法，其中该紫外光芯片是以一金属导线与该电极电连接。8.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装方法，其中该步骤(S3)包含以下步骤：(S...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文正，吴上义，
申请(专利权)人：联京光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71