一种抗硫化厚膜晶片电阻制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗硫化厚膜晶片电阻，属于晶片电阻技术领域，包括氧化铝陶瓷本体，所述氧化铝陶瓷本体下表面的两侧分别印刷背面电极，上表面的两侧分别印刷正面电极，且在两个正面电极之间的氧化铝陶瓷本体上面印刷电阻阻体，所述电阻阻体的上表面设置有第一保护层，所述电阻阻体上设置有镭切线，所述正面电极上表面设置有抗硫化层，抗硫化层用于保护正面电极，从而达到电阻的抗硫化性能，所述第一保护层的上表面设置有第二保护层，所述第二保护层的上表面设置有字码层。本实用新型专利技术能够使产品具备优异的抗硫化性能，给这一抗硫化晶片电阻带来更更广泛的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种抗硫化厚膜晶片电阻
本技术涉及一种晶片电阻，尤其是涉及一种抗硫化厚膜晶片电阻。
技术介绍
目前的晶片电阻组件是以银作为电阻两端的电极，在印刷银电极后，为了保护银电极，还需要在其外侧电镀一层保护层，通常来说这一保护层为镍、锡层，从而形成一个完整的电阻组件。但是，在有硫存在的环境下，譬如温泉、山区等地方，由于硫的大量存在，镍、锡电镀层对于银层不能很好的起到保护作用，使得银与硫接触生成硫化银，发生电阻断路等问题，严重影响了产品的性能，造成其准确性和稳定性的降低，或者在电阻的制造工序中产生作为故障等起因的保护膜的位置偏移等，会导致内部电极露出，银在空气中含硫气体的作用下发生硫化，有时导致电极开路。尤其是在产生火山气体的温泉地区等的空气中含硫气体浓度高的地区，易发生由银的硫化所引起的电极短路等问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种抗硫化厚膜晶片电阻，使产品具备优异的抗硫化性能，其抗硫化测试标准为:硫化氢1000ppm,温度25℃,湿度90%RH,时间720小时，同时电阻电气特性完好，电阻无硫化及开路现象。且较低的制作成本，会给这一抗硫化晶片电阻带来更多的及更广泛的应用。为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：包括氧化铝陶瓷本体01，所述氧化铝陶瓷本体01下表面的两侧分别印刷背面电极02，上表面的两侧分别印刷正面电极03，且在两个正面电极03之间的氧化铝陶瓷本体01上面印刷电阻阻体04，所述电阻阻体04的上表面设置有第一保护层05，所述电阻阻体04上设置有镭切线06，所述正面电极03上表面设置有抗硫化层07，抗硫化层07用于保护正面电极03。所述第一保护层05的上表面设置有第二保护层08，所述第二保护层08的上表面设置有字码层09，所述氧化铝陶瓷本体01的两端头侧面设置有侧面电极10，侧面电极10使得正面电极03与背面电极02导通，且所述背面电极02、正面电极03和侧面电极10上镀有镍层11，所述镍层11的外表面镀有锡层12。所述的抗硫化层07与电阻阻体的两端连接，抗硫化层位于正面电极上表面。所述正面电极03为银钯电极。所述抗硫化层08为真空溅镀的镍铬合金。所述镍层12的厚度为4~15μm。所述锡层13的厚度为5~15μm。所述电阻阻体的印刷面积为：0402规格0.20mm2，0603规格0.47mm2，0805规格1.26mm2，1206规格2.20mm2。前述的一种抗硫化厚膜晶片电阻，所述电阻的抗硫化能力强，抗硫化测试标准为：硫化氢1000ppm,温度25℃,湿度90%RH,时间720小时，同时电阻电气特性完好，电阻无硫化及开路现象。相对于现有技术，本技术的有益效果为：通过设置抗硫化层，能够使产品具有优异的抗硫化性能，且较低的制作成本，给这一抗硫化晶片电阻带来更广泛的应用。附图说明图1是本技术的一种抗硫化厚膜晶片电阻的纵剖视图。图2是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序1纵剖视图。图3是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序2纵剖视图。图4是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序3纵剖视图。图5是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序4纵剖视图。图6是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序5纵剖视图。图7是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序6纵剖视图。图8是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序7纵剖视图。图9是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序8纵剖视图。图10是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序9纵剖视图。图11是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序10纵剖视图。图12是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序11纵剖视图。结合附图，作以下说明：01-陶瓷本体02-背面电极03-正面电极04-电阻阻体05-第一保护层06-镭切线07-抗硫化层08-第二保护层09-字码层10-侧面电极10-镍层12-锡层。具体实施方式下面将结合说明书附图，对本技术作进一步的说明。如图1所示，一种抗硫化厚膜晶片电阻,包括氧化铝陶瓷本体01，所述氧化铝陶瓷本体01下表面的两侧分别印刷背面电极02，上表面的两侧分别印刷正面电极03，且在两个正面电极03之间的氧化铝陶瓷本体01上面印刷电阻阻体04，所述电阻阻体04的上表面设置有第一保护层05，所述电阻阻体04上设置有镭切线06，所述正面电极03上表面设置有抗硫化层07，抗硫化层07用于保护正面电极03，从而达到电阻的抗硫化性能，所述第一保护层05的上表面设置有第二保护层08，所述第二保护层08的上表面设置有字码层09，所述氧化铝陶瓷本体01的两端头侧面设置有侧面电极10，侧面电极10使得正面电极03与背面电极（02导通，且所述背面电极02、正面电极03和侧面电极10上镀有镍层11，所述镍层11的外表面镀有锡层12。所述的抗硫化层07与电阻阻体的两端连接，抗硫化层位于正面电极上表面。本技术所提供的抗硫化厚膜晶片电阻在制作时按如下工序实现：工序1：首先，如图2所示，在氧化铝陶瓷本体01的下表面通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银浆料，及在其后以规定的温度进行烧结，而在氧化铝陶瓷本体01的下表面形成一层背面电极02；工序2：然后，如图3所示，再在上述氧化铝陶瓷本体01的上表面，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银钯浆料，在其后以规定的温度进行烧结，而在氧化铝陶瓷本体01的上表面形成一层正面电极03；工序3：接着，如图4所示，再通过丝网厚膜印刷方式在正面电极03之间印刷涂覆一层阻体浆料，及在其后以规定的温度进行烧结，形成电阻阻体04，电阻阻体04的印刷面积为：0402规格0.20mm2，0603规格0.47mm2，0805规格1.26mm2，1206规格2.20mm2；工序4：接着，如图5所示，再通过丝网厚膜印刷方式在电阻阻体04上面印刷涂覆一层玻璃浆料，及在其后以规定的温度进行烧结，形成作为保护电阻阻体04的第一保护层05；工序5：接着，如图6所示，再通过使用激光镭射切割的方式将电阻阻体04修正为客户应用端所需的阻值及精度，形成镭切线06；工序6：接着，如图7所示，在电阻阻体04上面印刷一层可清洗的树脂掩膜层，再通过真空溅镀方式在产品的上表面设置一层镍铬合金层，然后再通过超声波清洗方式将树脂掩膜层、树脂掩膜层与镍铬合金层重叠的部分全部洗掉，只保留正面电极03上表面的镍铬合金层，形成保护正面电极03的抗硫化层07，从而更好的达到抗硫化的目的；工序7：接着，如图8所示，再通过丝网印刷方式在第一保护层05上面印刷涂覆一层树脂浆料，及在其后以规定的温度进行烧结，形成作为保护电阻阻体04的第二保护层08；工序8：接着，如图9所示，再在上述第二保护层08的上面居中位置，通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆一层字码浆料，及在其后以规定的温度进行烧结，形成作为标识阻值大小的字码层09；工序9：接着，如图10所示，再在产品的两端头侧面采用真镀镍铬合金材料方式，形成正面电极03与背面电极02导通的侧面电极10；工序10：接着，如图11所示，再在产品的背面电极02、正面电极03和侧面电极10上面电镀一层Ni(镍层)，Ni层厚度为：4~15μm，形成镍层11；工序11：最后，如图12所示，再在产品的Ni(镍层)上电镀一层Sn(锡层)，Sn层厚度为：5~15μm，形成锡层12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：包括氧化铝陶瓷本体（01），所述氧化铝陶瓷本体（01）下表面的两侧分别印刷背面电极（02），上表面的两侧分别印刷正面电极（03），且在两个正面电极（03）之间的氧化铝陶瓷本体（01）上面印刷电阻阻体（04），所述电阻阻体（04）的上表面设置有第一保护层（05），所述电阻阻体（04）上设置有镭切线（06），所述正面电极（03）上表面设置有抗硫化层（07），抗硫化层（07）用于保护正面电极（03）。

【技术特征摘要】
1.一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：包括氧化铝陶瓷本体（01），所述氧化铝陶瓷本体（01）下表面的两侧分别印刷背面电极（02），上表面的两侧分别印刷正面电极（03），且在两个正面电极（03）之间的氧化铝陶瓷本体（01）上面印刷电阻阻体（04），所述电阻阻体（04）的上表面设置有第一保护层（05），所述电阻阻体（04）上设置有镭切线（06），所述正面电极（03）上表面设置有抗硫化层（07），抗硫化层（07）用于保护正面电极（03）。2.根据权利要求1所述的一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：所述第一保护层（05）的上表面设置有第二保护层（08），所述第二保护层（08）的上表面设置有字码层（09），所述氧化铝陶瓷本体（01）的两端头侧面设置有侧面电极（10），侧面电极（10）使得正面电极（03）与背面电极（02）导通，且所述背面电极（02）、正面电极（03）和侧面电极（10...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄正信，陈庆良，丁良富，姚元钦，魏效振，顾明德，
申请(专利权)人：丽智电子昆山有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32