去除聚酰亚胺的组合物、其用途及使用该组合物去除聚酰亚胺的方法技术

技术编号:15981643 阅读:81 留言:0更新日期:2017-08-12 05:22
一种去除聚酰亚胺的组合物、其用途及使用该组合物去除聚酰亚胺的方法。其中,本发明专利技术的去除聚酰亚胺的组合物包括:0.1~40重量百分比的有机碱;以及5~95重量百分比的非质子溶剂。

【技术实现步骤摘要】
去除聚酰亚胺的组合物、其用途及使用该组合物去除聚酰亚胺的方法
本专利技术涉及一种去除聚酰亚胺的组合物、其用途及使用该组合物去除聚酰亚胺的方法,尤其是涉及一种包含有机碱及非质子溶剂的去除聚酰亚胺的组合物、其用途及使用该组合物去除聚酰亚胺的方法。
技术介绍
在光电产业的工艺上,特别是在液晶显示器(LCD)的工艺上,多使用凸版印刷形成聚酰亚胺层。当凸版印刷所使用的凸版(APR板)使用完毕后,一般是使用N-甲基吡咯烷酮(1-Methyl-2-pyrrolidone,NMP)来清洗APR板,以去除APR板上多余的聚酰亚胺。然而,近年来,NMP已被欧洲视为高度关注物质(SubstanceofVeryHighConcern),为对环境、人体毒性较大且风险高的物质。此外,NMP的清洗效果也不如预期。因此,光电产业厂商,特别是LCD制造商,纷纷寻求一可取代或减量使用NMP的聚酰亚胺清洗剂,除了可避免对环境、人体造成危害外,更可提升聚酰亚胺的去除效率及去除效果。有鉴于此,目前亟需发展一种新颖的去除聚酰亚胺的组合物,其除了避免或减量使用对环境及人体造成危害的NMP外,更可提升聚酰亚胺的去除效率及去除效果。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种去除聚酰亚胺的组合物、其用途及使用该组合物去除聚酰亚胺的方法,其可在低温下快速地去除基材上的聚酰亚胺(polyimide,PI)。本专利技术所提供的去除聚酰亚胺的组合物,包括:0.1~40重量百分比的有机碱;以及5~95重量百分比的非质子溶剂。此外,本专利技术更提供前述组合物的用途,其用于去除一基材上的聚酰亚胺。再者,本专利技术更提供使用前述组合物去除基材上的聚酰亚胺的方法,包括下列步骤:提供前述组合物以及一基材,其中基材上附着有聚酰亚胺;使用前述组合物清洗该基材以去除该基材上的聚酰亚胺;以及干燥该基材。本专利技术所提供的组合物包括有机碱、非质子溶剂,其可有效的清除各种基材(如:印刷电路板、凸版(APR板)或其它装置)上多余的聚酰亚胺;特别是,本专利技术所提供的组合物可适用于使用聚酰亚胺的工艺(特别是,在LCD面板生产工艺)中,以在较低的温度下,快速且有效地去除基材上多余的聚酰亚胺。此外,在本专利技术中,有机碱主要是作为一湿润剂,可破坏PI键结,以减少聚酰亚胺的去除时间;极性非质子溶剂则为溶解剥离的聚酰亚胺,以增加清洗效率。本专利技术的组合物可选择性的还包含水,水用于溶解有机碱。在其他实施例中,亦可选择性添加其他添加物,例如金属腐蚀抑制剂。在本专利技术中,聚酰亚胺为一含有酰亚胺基的有机高分子材料,其主要是由双胺类及双酐类反应聚合成聚酰胺酸高分子(Polyamicacid,简称PAA),之后经过亚酰胺化(Imidization)工艺而形成聚酰亚胺高分子。其中,适用于本专利技术的聚酰亚胺的种类并无特殊限制,可为经由不同取代基所取代或未取代的双胺类及双酐类所形成的聚酰亚胺高分子。在本专利技术中,有机碱的含量可为0.1~40重量百分比,且优选为0.1~10重量百分比。当有机碱的含量低于0.1重量百分比时,则清洗时间过长,而无法快速的移除基材上的聚酰亚胺。当有机碱的含量超过40重量百分比时,因会造成非质子溶剂的使用量减少,导致无法有效的移除基材上的聚酰亚胺。在本专利技术中,非质子溶剂的含量可为5~95重量百分比,且优选为50~90重量百分比。当非质子溶剂过低时,则无法有效的移除基材上的聚酰亚胺。在本专利技术的实施例中,有机碱的含量低于或等于非质子溶剂的含量。在本专利技术中,有机碱的种类并无特殊限制,可为选自由氢氧化四甲基铵(Tetramethylammoniumhydroxide,TMAH)、氢氧化四乙基铵(Tetraethylammoniumhydroxide,TEAH)、氢氧化乙基三甲基铵(Ethyltrimethylammoniumhydroxide,ETMAH)、单异丙醇胺(Monoisopropanolamine,MIPA)、乙醇胺(Ethanolamine,MEA)、甲胺(Monomethylamine,MMA)及二甘醇胺(Diglycolamine,DGA)所组成的组中的至少一种有机碱。优选地,有机碱为TMAH、TEAH、MEA或其组合。在本专利技术中,非质子溶剂的种类并无特殊限制,可为选自由二甲基甲酰胺(Dimethylformamide,DMF)、二甲基乙酰胺(Dimethylacetamide,DMAC)、二甲基亚砜(Dimethylsulfoxide,DMSO)、γ-丁内酯(Gamma-Butyrolactone,GBL)、1-乙基-2-吡咯烷酮(1-Ethyl-2-pyrrolidinone,NEP)及环丁砜(Sulfolane)所组成的组中的至少一种非质子溶剂。优选地,非质子溶剂为DMSO、GBL、NEP、环丁砜或其组合。在本专利技术中,所使用的溶剂可减量使用N-甲基吡咯烷酮(1-Methyl-2-pyrrolidone,NMP)或不使用NMP。在已知移除聚酰亚胺的工艺中,多使用NMP移除聚酰亚胺。然而,近年来NMP已被欧洲视为高度关注物质(SubstanceofVeryHighConcern),为对环境、人体毒性较大且风险高的物质;此外,单独使用NMP的清洗效果也不如预期。在本专利技术中,通过使用特殊的有机碱及非质子溶剂,除了可减量或避免使用NMP,更可提升移除PI的清洗效率及效果。在本专利技术至少一实施方式中,有机碱为TMAH、TEAH、MEA或其组合,而非质子溶剂为DMSO、GBL、NEP、环丁砜或其组合。优选地,有机碱为TMAH、TEAH或其组合,而非质子溶剂为DMSO、GBL、NEP、环丁砜或其组合。在此实施方式中,优选地,有机碱的含量为0.1~10重量百分比,而非质子溶剂的含量为50~90重量百分比。在本专利技术中,任何上方残留有聚酰亚胺的基材,均可使用本专利技术的组合物移除基材上的聚酰亚胺。优选地,基材具有一多层结构,其中一层为黏着层。此外,在本专利技术中,组合物可无须在高温下,而可在低温下清洗基材。优选地,在20~50℃的温度下清洗基材。此外,清洗时间也无特殊限制,可低于或等于50分钟。附图说明图1为本专利技术实施例所使用的APR板的剖面示意图;图2为本专利技术实施例的APR板的使用示意图。【附图标记说明】11,13PET层12,14黏着层15图案化层151凸部21APR板22印刷滚轮23整平滚轮24网纹滚轮25分配器26基板261PI膜具体实施方式下文通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式,熟习此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术亦可通过其它不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节亦可针对不同观点与应用,在不悖离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。实施例本实施例提供一种去除基材上的聚酰亚胺的方法。在本实施例中,使用本专利技术的去除聚酰亚胺的组合物清洗APR板上的聚酰亚胺;然而,适用于本专利技术的基材并不限于本实施例所使用的APR板。本实施例的清洗方法约略包括下列步骤:首先,提供一APR板,其为在LCD的工艺上,将配向膜材料(PI)均匀转印于玻璃基板上的模具,其剖面结构如图1所示。一般而言,APR板具有一多层结构,由下往上包括一PET层11(厚度约300μm)、一黏着层12、另一PET本文档来自技高网...
去除聚酰亚胺的组合物、其用途及使用该组合物去除聚酰亚胺的方法

【技术保护点】
一种去除聚酰亚胺的组合物,用以去除一基材上的聚酰亚胺,包括:0.1~40重量百分比的有机碱;以及5~95重量百分比的非质子溶剂。

【技术特征摘要】
2016.09.12 TW 105129657;2016.02.03 US 62/290,5081.一种去除聚酰亚胺的组合物,用以去除一基材上的聚酰亚胺,包括:0.1~40重量百分比的有机碱;以及5~95重量百分比的非质子溶剂。2.如权利要求1所述的组合物,其中,该组合物还包含余量的水或添加物。3.如权利要求1所述的组合物,其中该有机碱的含量为0.1~10重量百分比。4.如权利要求1所述的组合物,其中该非质子溶剂的含量为50~90重量百分比。5.如权利要求1所述的组合物,其中该有机碱选自由TMAH、TEAH、ETMAH、MIPA、MEA、MMA及DGA所组成的组中的至少一种。6.如权利要求5所述的组合物,其中该有机碱为TMAH、TEAH、MEA或其组合。7.如权利要求1所述的组合物,其中该非质子溶剂选自由DMF、DMAC、DMSO、GBL、NEP及环丁砜所组成的组中的至少一种。8.如权利要求7所述的组合物,其中该非质子溶剂为DMSO、GBL、NEP、环丁砜...

【专利技术属性】
技术研发人员:王兴嘉黄祺能谢承寰施建全
申请(专利权)人:李长荣化学工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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