一种用于屏蔽强电磁场及强静磁场的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于屏蔽强电磁场及强静磁场的装置，其特征在于：包括有高导铜内层和软铁外层构成的屏蔽罩，所述高导铜内层和软铁外层之间通过爆炸焊焊接为一体，所述屏蔽罩通过支架可拆卸安装在被保护设备外部，且与被屏蔽设备有一定的气隙。本实用新型专利技术将电磁波屏蔽罩及静磁场屏蔽罩合二为一，使屏蔽罩结构简单，既可进行电磁场屏蔽，又可进行静磁场屏蔽，爆炸焊形成的板材，使得材料体积大大减小，使得盒体结构设计小而轻，在保证可靠性、可维修性以及外观美观的基础上，最大限度地减少了对空间的浪费；大大降低了对安装空间的需求，并且采用可拆卸结构，大大降低了安装、维修及升级的难度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于屏蔽强电磁场及强静磁场的装置
：本技术属于电磁场屏蔽
，具体涉及对于安全和可靠性要求极高的电器设备，保障其长期可靠稳定的运行在高场电磁环境，主要涉及一种用于屏蔽强电磁场及强静磁场的装置。
技术介绍
：混合磁体是由水冷磁体和超导磁体组合而成，最高可产生45T世界最高场，对周围的电子设备磁屏蔽要求极为苛刻，目前没有现成且可靠的磁屏蔽装置可供利用。在磁体升场、稳场、退场过程中，产生强大电磁波，和高强度静态磁场。其中混合磁体的真空计，液氦比例阀门、分子泵组等设备，在较强的电磁波及较高的稳态磁场下就无法运行，需要降低电磁波辐射强度及静磁场强度。真空测量设备是测量真空度的传感器，可以将测量的真空度转化为数据显示出来，其内部有将真空度转换为电信号的结构装置，该结构装置不可以运行在较强电磁环境及较高的静磁场中，需要对其进行电磁场及静磁场的屏蔽。液氦比例电磁阀门是控制液氦流量大小的电器设备，其中包括控制单元及执行机构，该结构装置不可以运行在较强电磁环境及较高的静磁场中，需要对其进行电磁场及静磁场的屏蔽。分子泵是为混合磁体提供真空环境的设备，其中包括控制单元及执行机构，该结构装置不可以运行在较强电磁环境及较高的静磁场中，需要对其进行电磁场及静磁场的屏蔽。
技术实现思路
：本技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种用于屏蔽强电磁场及强静磁场的装置，保证强电磁场及强静磁场下的真空测量设备、液氦比例电磁阀门、分子泵组的安全性和可靠。本技术是通过以下技术方案实现的：一种用于屏蔽强电磁场及强静磁场的装置，其特征在于：包括有高导铜内层和软铁外层构成的屏蔽罩，所述高导铜内层和软铁外层之间通过爆炸焊焊接为一体，所述屏蔽罩通过支架可拆卸安装在被保护设备外部，且与被屏蔽设备有一定的气隙。所述的高导铜内层作为内层屏蔽材料，其采用Cu-OF材料，根据交变电磁波的频率的变化的不同，对其厚度进行调整，以达到最佳的电磁波屏蔽效果。所述的软铁外层采用DT4A电工纯铁，用于屏蔽静磁场，根据磁场强度的大小，对其厚度进行调整，以达到最佳的静磁场屏蔽效果。所述的屏蔽罩外喷涂有喷漆层，其利用和设备环境颜色一致的油漆进行喷涂，既可以防止软体生锈及高导铜的氧化，又可以提高屏蔽设备的美观度。所述的支架采用316L无磁不锈钢加工而成，以减小电磁场及静磁场对支架的影响。所述的支架与屏蔽罩连接处设有环氧垫片，防止产生感应涡流，引起发热和产生额外的杂散场。所述的屏蔽罩的开口处背向电磁场源及静磁场源的方向，可以大幅降低材料所需厚度尺寸，降低材料使用量，达到较好的屏蔽效果。本技术的优点是：1）所述屏蔽装置采用高导铜和软铁进行爆炸焊接，形成复合板材，既可进行电磁场屏蔽，又可进行静磁场屏蔽。2）爆炸焊形成的板材，使得材料体积大大减小，使得盒体结构设计小而轻。在保证可靠性、可维修性以及外观美观的基础上，最大限度地减少了对空间的浪费。3)爆炸焊焊缝处无需填入其它材料的焊料，焊缝是由拼接板材自身材质熔化而成，所以焊缝处的材质与所焊接的板材保持一致，无其它杂质性材料掺入其中。所以焊缝的存在，不会减弱和改变整体结构对电磁波的吸收和反射效能。4）屏蔽罩采用可拆卸设计形式，使其结构简单，易于加工实现，便于安装维修及升级，保证其具有良好的工况。5）屏蔽罩的开口处方向与静磁场及电磁场的发射源方向相反，以达到最优的屏蔽效能。以上几项措施综合运用，将电磁波屏蔽罩及静磁场屏蔽罩合二为一，使屏蔽罩结构简单，大大降低了对安装空间的需求，并且采用可拆卸结构，大大降低了安装、维修及升级的难度。附图说明：图1为真空测量设备屏蔽示意图，图2为液氦比例电磁阀门装置屏蔽示意图，图3为分子泵组屏蔽结构示意图。上图中，1.软铁屏蔽层，2.高导铜屏蔽层，3.真空测量设备，4.环氧绝缘衬套，5.螺杆，6.支撑基座，7.阀门屏蔽罩，8.液氦比例阀门设备，9.环氧垫板，10.支架，11.分子泵屏蔽罩，12.分子泵，13.螺栓，14.环氧支架，15.316L可升降支架。具体实施方式：参见附图。实施例1：一种混合磁体外杜瓦处有4个真空测量规管，由于规管处于强电磁场及强静磁场中，在调试过程中，因受主磁体的电磁波及静态磁场干扰，不能正常工作，故需对规管进行电磁及静磁屏蔽。主磁体中心磁场强度为45T，真空测量设备3距离主磁体径向2400mm，轴向910mm，主磁体励磁和退磁过程中产生电磁波的频率，属于低频范围（DC到100KHz），内层屏蔽材料选用厚度为3mm的Cu-OF材料的高导铜屏蔽层2达到最佳屏蔽效果。磁体在真空测量设备位置所产生的稳态静磁场强度为1200Gs，真空规管许用磁场强度为50Gs，经计算外层软铁屏蔽层1采用厚度为30mm的DT4A电工纯铁可达到最佳屏蔽效果。具体的屏蔽结构，参照图1所示。表面处理涂覆采用浅灰色表面喷涂，油漆厚度50μm。室内使用，与环境颜色保持一致。油漆是非导电性，非导磁性的，根据实际需要进行喷涂，其颜色和厚度，不影响屏蔽效能。油漆的作用是防护DT4A电工纯铁外表面不被氧化生锈，并保持持久光泽和造型美观。屏蔽罩和被屏蔽真空测量规管设备，均通过螺杆5固定在支撑基座6上。支撑基座6的物理尺寸和机械强度设计，可根据实际需要进行调整，需要考虑的因素包括屏蔽设备的重量，尺寸等，根据实际的安装环境和固定方式来设计其结构外形。支撑支架的材料是利用316L无磁不锈钢加工而成，以减小电磁场及静磁场对支架的影响。支架与屏蔽罩连接处采用环氧绝缘衬套4做垫片，用以防止产生感应涡流，及引起发热和产生额外的杂散场。实施例2：一种混合磁体外杜瓦处有19个液氦比例电磁阀门，由于阀门处于强电磁场及强静磁场中，在调试过程中，因受主磁体的电磁波及静态磁场干扰，不能正常工作，因此需对阀门进行电磁及静磁屏蔽。液氦比例电磁阀门距离主磁体径向5300mm，轴向600mm。屏蔽材料选用厚度为3mm的Cu-OF高导铜。磁体在液氦比例电磁阀门位置所产生的稳态静磁场强度为150Gs，阀门许用磁场强度为20Gs，经计算使用厚度为10mm的DT4A电工纯铁可达到最佳屏蔽效果。具体的屏蔽结构，参照图2所示。表面处理涂覆采用浅灰色表面喷涂，油漆厚度50μm。室内使用，与环境颜色保持一致。阀门屏蔽罩7和液氦比例电磁阀门设备8，均固定在支架10上。支架10的物理尺寸和机械强度设计，根据实际需要进行调整，需要考虑的因素包括评比设备的重量，屏蔽罩的重量，根据实际的安装环境和固定方式来设计其结构外形。支撑支架的材料是利用316L无磁不锈钢加工而成，以减小电磁场及静磁场对支架的影响。支架与屏蔽罩连接处采用环氧垫板9，用以防止产生感应涡流，及引起发热和产生额外的杂散场。实施例3：一种混合磁体外杜瓦处有2台分子泵12，由于分子泵12处于强电磁场及强静磁场中，在调试过程中，因受主磁体的电磁波及静态磁场干扰，不能正常工作，故需对阀门进行电磁及静磁屏蔽。分子泵距离主磁体径向6300mm，轴向400mm。屏蔽材料选用厚度为3mm的Cu-OF高导铜。磁体在分子泵位置所产生的稳态静磁场强度为100Gs，分子泵许用磁场强度为50Gs，经计算使用厚度为5mm的DT4A电工纯铁可达到最佳屏蔽效果。具体的屏蔽结构，参照图3所示。表面处理涂覆采用浅灰色表面喷涂，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于屏蔽强电磁场及强静磁场的装置，其特征在于：包括有高导铜内层和软铁外层构成的屏蔽罩，所述高导铜内层和软铁外层之间通过爆炸焊焊接为一体，所述屏蔽罩通过支架可拆卸安装在被保护设备外部，且与被屏蔽设备有一定的气隙。

【技术特征摘要】
1.一种用于屏蔽强电磁场及强静磁场的装置，其特征在于：包括有高导铜内层和软铁外层构成的屏蔽罩，所述高导铜内层和软铁外层之间通过爆炸焊焊接为一体，所述屏蔽罩通过支架可拆卸安装在被保护设备外部，且与被屏蔽设备有一定的气隙。2.根据权利要求1所述的用于屏蔽强电磁场及强静磁场的装置，其特征在于：所述的高导铜内层作为内层屏蔽材料，其采用Cu-OF材料。3.根据权利要求1所述的用于屏蔽强电磁场及强静磁场的装置，其特征在于：所述的软铁外层采用DT4A电工纯铁，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄鹏程，程翔宇，房震，高洋，陈文革，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：新型
国别省市：安徽,34