【技术实现步骤摘要】
一种照明灯用电流调整型自启闭控制系统
本专利技术涉及一种控制电路,具体的说,是一种照明灯用电流调整型自启闭控制系统。
技术介绍
目前的照明灯通常采用机械开关来控制,通过控制机械开关的导通和闭合来控制照明灯的电源导通和截止。然而机械开关在使用的过程中,由于反复操作其存在很大的机械磨损,非常容易损坏。为了解决机械开关在长期使用时存在易磨损,非常容易损坏的问题,人们便采用了一种可对照明灯使用范围内的声音信息进行采集的声控系统来对照明灯的开启或关闭进行控制,可是,现有的这种声控制系统存在控制效果差的问题,导致照明灯被误开启,从而导致电能的极大浪费,不能很好的实现节能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的声控制系统存在控制效果差的缺陷,提供的一种能根据照明灯使用范围内的环境亮度变化和声音信息来对照明灯的开启与关闭进行控制的自启闭控制系统。本专利技术通过以下技术方案来实现:一种照明灯用电流调整型自启闭控制系统,主要由二极管整流器U,声音传感器MIC,三极管VT2,三极管VT3,三极管VT4,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的光敏电阻RG,正极与三极管VT2的基极相连接、负极与三极管VT2的发射极相连接的极性电容C4,一端与三极管VT4的基极相连接、另一端与三极管VT4的基极相连接的电阻R6,P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接后接地的二极管D2,正极与三极管VT4的基极相连接、负极与二极管D2的N极相连接的极性电容C5,一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端与二极管D2的N极相连接的电阻R7,并连 ...
【技术保护点】
一种照明灯用电流调整型自启闭控制系统,其特征在于,主要由二极管整流器U,声音传感器MIC,三极管VT2,三极管VT3,三极管VT4,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的光敏电阻RG,正极与三极管VT2的基极相连接、负极与三极管VT2的发射极相连接的极性电容C4,一端与三极管VT4的基极相连接、另一端与三极管VT4的基极相连接的电阻R6,P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接后接地的二极管D2,正极与三极管VT4的基极相连接、负极与二极管D2的N极相连接的极性电容C5,一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端与二极管D2的N极相连接的电阻R7,并连在三极管VT2的发射极与集电极之间的开关S,正极与二极管整流器U的A输入端相连接、负极与二极管整流器U的B输入端共同形成控制系统的输入端并与市电相连接的极性电容C9,并连在极性电容C9的负极与正极之间的电阻R10,一端与二极管整流器U的负极输出端相连接、另一端接地的电阻R12,分别与二极管整流器U的正极输出端和二极管D2的N极相连接的晶闸管稳压开关电路,分别与声音传感器MIC和三极管V ...
【技术特征摘要】
1.一种照明灯用电流调整型自启闭控制系统,其特征在于,主要由二极管整流器U,声音传感器MIC,三极管VT2,三极管VT3,三极管VT4,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的光敏电阻RG,正极与三极管VT2的基极相连接、负极与三极管VT2的发射极相连接的极性电容C4,一端与三极管VT4的基极相连接、另一端与三极管VT4的基极相连接的电阻R6,P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接后接地的二极管D2,正极与三极管VT4的基极相连接、负极与二极管D2的N极相连接的极性电容C5,一端与三极管VT4的集电极相连接、另一端与二极管D2的N极相连接的电阻R7,并连在三极管VT2的发射极与集电极之间的开关S,正极与二极管整流器U的A输入端相连接、负极与二极管整流器U的B输入端共同形成控制系统的输入端并与市电相连接的极性电容C9,并连在极性电容C9的负极与正极之间的电阻R10,一端与二极管整流器U的负极输出端相连接、另一端接地的电阻R12,分别与二极管整流器U的正极输出端和二极管D2的N极相连接的晶闸管稳压开关电路,分别与声音传感器MIC和三极管VT2的基极以及三极管VT4的基极相连接的整流放大电路,以及串接在三极管VT4的发射极与晶闸管稳压开关电路之间的电流调节电路组成;所述三极管VT2的集电极还与三极管VT3的基极相连接;所述三极管VT4的基极与三极管VT3的发射极相连接;所述整流放大电路还与晶闸管稳压开关电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种照明灯用电流调整型自启闭控制系统,其特征在于,所述电流调整电路由场效应管MOS,三极管VT6,三极管VT7,正极经电阻R15后与场效应管MOS的源极相连接、负极与场效应管MOS的栅极相连接的极性电容C11,正极经可调电阻R16后与极性电容C11的正极相连接、负极与三极管VT6的基极相连接后接地的极性电容C12,P极经电阻R17后与三极管VT6的基极相连接、N极经电阻R18后与场效应管MOS的栅极相连接的二极管D6,正极与三极管VT6的发射极相连接、负极与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C13,P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极作为电流调整电路的输出端的二极管D7,以及正极经电阻R19后与二极管D7的N极相连接、负极经电阻R20后与三极管VT7的集电极相连接后接地的极性电容C14组成;所述极性电容C11的正极与三极管VT4的发射极相连接;所述三极管VT6...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁毅,俞德军,
申请(专利权)人:成都赛昂电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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