The present invention provides a semiconductor structure surface processing method, which comprises the following steps: providing a semiconductor structure, the semiconductor structure comprises a thin film layer and the photoresist film layer on the surface to be treated by plasma treatment; the first way of removing the photoresist to the semiconductor structure; the photoresist the treatment for the removal of the clean process; using second plasma treatment treatment after the semiconductor structure after the cleaning process. The semiconductor structure surface treatment method provided in the invention, the first plasma processing way remove photoresist and complete the cleaning process, surface repair semiconductor structure through second plasma treatment, and increased the film layer in the subsequent process of adhesion, reduce product defects, improve product yield and reduce the thin layer number of dangling bonds, the chemical activity of the surface of the thin film layer is reduced, improving the corrosion resistance of the thin film layer.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构表面处理方法
本专利技术涉及半导体领域,特别涉及一种半导体结构表面处理方法。
技术介绍
半导体制造技术需要在半导体结构上进行多种不同的物理和化学工艺,光刻(Litho)制程则是半导体制造技术最重要的制程之一。在整个集成电路的制造过程当中可能需要进行多次光刻工艺,因此光刻胶涂布不理想也会经常发生,例如涂胶失败,造成光刻胶层残留缺陷或均匀性差,或者线宽和上下层对准层存在较大误差等,这时就需要对半导体结构的表面进行返工(rework)。专利技术人发现,现有的半导体结构表面处理过程中所采用的方式虽然能去除掉光刻胶层残留,但也会对半导体结构表面带来损伤,使半导体结构表面被腐蚀,造成膜层表面形貌粗糙,悬键大量增加,致使一些细小颗粒物或气体等吸附在半导体结构表面,为后续制程引入杂质或造成空穴缺陷等。同时,现有的半导体结构表面处理也往往会使半导体结构表面产生大量亲水基团如-OH,使半导体结构表面由疏水性变化为亲水性,导致之后涂布的光刻胶与半导体结构表面的附着力不佳,影响最终图形的形成和精度大小。因此,如何更好的完成半导体结构表面处理是本领域技术人员需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构表面处理方法,解决现有技术中给半导体结构表面带来损伤的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种半导体结构表面处理方法,包括如下步骤:提供一半导体结构;所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶;采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶;将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺;采用第二等离子体处理方式处理经过所述清洁 ...
【技术保护点】
一种半导体结构表面处理方法,其特征在于,所述半导体结构表面处理方法包括如下步骤:提供一半导体结构,所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶;采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶;将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺;采用第二等离子体处理方式处理经过所述清洁工艺后的半导体结构。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构表面处理方法,其特征在于,所述半导体结构表面处理方法包括如下步骤:提供一半导体结构,所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶;采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶;将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺;采用第二等离子体处理方式处理经过所述清洁工艺后的半导体结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构表面处理方法,其特征在于,所述第一等离子体处理方式的处理气体为氧气。3.根据权利要求1所述的半导体结构表面处理方法,其特征在于,所述第一等离子体处理方式的工艺条件包括:温度为260℃~290℃。4.根据权利要求1所述的半导体结构表面处理方法,其特征在于,所述第二等离子体处理方式的处理气体为一氧化二氮和氮气。5.根据权利要求1所述的半导体结构表面处理方法,其特征在于,所述第二等离子体处理方式的工艺条件包括:温度为350℃~450℃,时间为...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴珂,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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