【技术实现步骤摘要】
一种能量反馈式LED的封装结构
本技术涉及一种能量反馈式LED的封装结构。
技术介绍
进入21世纪后,伴随着工业化的高速发展,全球性的能源危机和环境恶化正威胁着人类的长期稳定发展,所以节能环保问题越来越被重视。温差发电是基于热电材料的塞贝克效应发展起来的一种发电技术,将P型和N型两种不同类型的热电材料(P型是富空穴材料,N型是富电子材料)一端相连形成一个PN结,置于高温状态,另一端形成低温,则由于热激发作用,P(N)型材料高温端空穴(电子)浓度高于低温端,因此在这种浓度梯度的驱动下,空穴和电子就开始向低温端扩散,从而形成电动势,这样热电材料就通过高低温端间的温差完成了将高温端输入的热能直接转化成电能的过程。它是一种全固态能量转换方式,无需化学反应或流体介质,在发电过程中具有无噪音、无磨损、无介质泄露、体积小、重量轻、移动方便、使用寿命长等优点,从而其后期维护成本几乎是零,使得半导体温差发电技术及其应用技术作为重点发展的绿色环保技术。目前国外在半导体温差发电技术上进行了很多研究与实验,但目前在国内还很少涉及到这一方面的研究,现有LED存在的问题是:1.LED的发热量大,且LED晶片在温度升高后亮度降低,功耗增大。2.目前的LED功耗大,用于移动式设备上的连续使用时间短。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术问题,提供一种能量反馈式LED的封装结构,能降低LED持续工作的功耗,降低LED的节温,延长LED的寿命。本技术采用的技术方案是:一种能量反馈式LED的封装结构,其特征在于包括LED支架,所述LED支架上设置温差半导体晶片,所述温差半导体晶片上部设置LED ...
【技术保护点】
一种能量反馈式LED的封装结构,其特征在于包括LED支架,所述LED支架上设置温差半导体晶片,所述温差半导体晶片上部设置LED晶片。
【技术特征摘要】
1.一种能量反馈式LED的封装结构,其特征在于包括LED支架,所述LED支架上设置温差半导体晶片,所述温差半导体晶片上部设置LED晶片。2.根据权利要求1所述的一种能量反馈式LED的封装结构,其特征在于所述温差半导体晶片的下部设置由金属制成的第一散热片和第二散热片,所述第一散热片与第二散热片之间留有空隙,其中第一散热片的热膨胀系数为第二散热片的热膨胀系数10倍以上,当温差半导体晶片工作时,第一散热片上的温度升高从而引起膨胀,...
【专利技术属性】
技术研发人员:王晓哲,
申请(专利权)人:杭州迅盈光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江,33
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