The present invention provides a conductive polymer composition which forms a conductive film with good filtering and coating properties, good film forming quality and good film quality, and is composed of H
【技术实现步骤摘要】
导电性高分子组合物、包覆品以及图案形成方法
本专利技术涉及一种包含π-共轭系导电性高分子的导电性高分子组合物、使用所述导电性高分子组合物的包覆品以及图案形成方法。
技术介绍
在集成电路(IntegratedCircuit,IC)和大规模集成电路(LargeScaleIntegration,LSI)等半导体元件的制造工艺中,以往是利用光微影法来进行微细加工,其中所述光微影法使用光致抗蚀剂(photoresist)。所述方法是通过照射光来诱发薄膜的交联或分解反应,由此,使此薄膜的溶解性显著变化,并且将使用溶剂等进行的显影处理的结果所获得的抗蚀剂图案作为掩模,对基板进行蚀刻。近年来,随着半导体元件的高集成化,要求使用短波长的光线的高精度的微细加工。由电子束所实施的光微影,由于其短波长的特性,而作为新一代的技术正在进行开发。作为由电子束所实施的光微影特有的问题点,可以列举曝光时的带电现象(充电(charge-up))。所述现象是当进行电子束曝光的基板被绝缘性抗蚀剂膜所包覆时,电荷积存于抗蚀剂膜上或膜中而带电。由于此带电会导致入射的电子束的轨道发生弯曲,因此,会使描绘精度显著降低。因此,正在研究一种涂布在电子束抗蚀剂上的抗静电膜。随着所述由电子束所实施的光微影向小于10nm一代的微细化,对抗蚀剂的电子束描绘的位置精度变得更加重要。对于此描绘技术,以往技术的高电流化和多束掩模照明(Multi-beammasklighting,MBMW)等不断取得进展,预料到抗蚀剂上的带电状态变得更大,因此,作为应对今后的描绘技术发展的抗静电膜的抗静电性能提高策略,期望一种电阻率更低且 ...
【技术保护点】
一种导电性高分子组合物,其特征在于,含有:(A)π‑共轭系导电性高分子,具有由下述通式(1‑1)、通式(1‑2)以及通式(1‑3)所示的重复单元中的至少一种;(B)掺杂聚合物,包含由下述通式(2)所示的重复单元a,重量平均分子量为1000~500000的范围;以及,(C)由下述通式(3)所示的两性离子型化合物;
【技术特征摘要】
2015.09.25 JP 2015-1881201.一种导电性高分子组合物,其特征在于,含有:(A)π-共轭系导电性高分子,具有由下述通式(1-1)、通式(1-2)以及通式(1-3)所示的重复单元中的至少一种;(B)掺杂聚合物,包含由下述通式(2)所示的重复单元a,重量平均分子量为1000~500000的范围;以及,(C)由下述通式(3)所示的两性离子型化合物;式(1-1)、(1-2)、(1-3)中,X是S、O、Se、Te、或NR5;R1和R2分别独立地表示可具有杂原子的碳数1~20的直链状、支链状或环状的1价烃基、氢原子、羟基、卤素原子中的任一种;此外,R1与R2彼此可以在任意位置键结并形成环;R5表示氢原子、碳数1~10的直链状或支链状饱和或不饱和的烷基、或碳数6~10的取代或未被取代的芳基;式(2)中,R3是氢原子或甲基,R4是单键、酯基、或具有醚基和酯基中的任一种或具有这两种基的碳数1~12的直链状、支链状、环状烃基中的任一种,Z是亚苯基、亚萘基以及酯基中的任一种,a是0<a≤1.0;式(3)中,RC1~RC3分别独立地表示可以被杂原子取代、也可以夹杂有杂原子的碳数1~20的直链状、支链状或环状的1价烃基,或是氢原子;此外,RC1与RC2、或RC1、RC2以及RC3可以彼此键结并与式(3)中的A+共同形成环;A+是杂原子,表示1价阳离子;k表示1~8的整数;L是碳原子或杂原子,当k为2以上时,可以具有这两种原子;RC4和RC5表示氢原子、羟基、氨基、或也可以夹杂有杂原子的碳数1~20的直链状、支链状或环状的1价烃基,RC4与RC5可以彼此键结并形成环,当k为2以上时,相邻的RC4可以彼此键结并形成环;此外,RC4与RC5可以彼此与氧原子或氮原子键结并形成双键,当与氮原子键结并形成双键时,该氮原子可以是离子;此外,L可以与相邻的A+形成双键,当k为2以上时,相邻的L可以彼此形成双键;此外,RC1~RC3中的任一种可以与RC4或RC5彼此键结并形成环;B-是一价阴离子官能团,表示羧酸离子或磺酸离子。2.如权利要求1所述的导电性高分子组合物,其中,所述(B)成分中的重复单元a,包含选自由下述通式(2-1)~(2-7)所示的重复单元a1~a7中的一种以上;式(2-1)~(2-7)中,R3是氢原子或甲基,a1、a2、a3、a4、a5、a6以及a7分别为0≤a1≤1.0、0≤a2≤1.0、0≤a3≤1.0、0≤a4≤1.0、0≤a5≤1.0、0≤a6≤1.0、0≤a7≤1.0,并且0<a1+a2+a3+a4+a5+a6+a7≤1.0。3.如权利要求1所述的导电性高分子组合物,其中,所述(B)成分进一步包含由下述通式(4)所示的重复单元b;式(4)中,b是0<b<1....
【专利技术属性】
技术研发人员:长泽贤幸,畠山润,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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