一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物制造技术

技术编号:15797048 阅读:46 留言:0更新日期:2017-07-11 10:53
本发明专利技术提供了一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,其特征在于,其结构为通式(I)所示:

A four tooth ligand Pt complex based on aza fluorene based units for OLED materials

The present invention provides a four tooth ligand Pt complex based on aza fluorene based units for OLED materials, characterized in that the structure is represented by the general formula (I):

【技术实现步骤摘要】
一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物
本专利技术涉及一种络合物,尤其涉及一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物。
技术介绍
有机电致发光二极管(OLEDs),作为一种全新的显示技术,与现有显示技术相比,在各方面性能上表现出无以伦比的优势,如具有全固态、自主发光、高亮度、高分辨率、宽视角(170度以上)、响应速度快、厚度薄、体积小、重量轻、可使用柔性基板、低电压直流驱动(3-10V)、功耗低、工作温度范围宽等,这使得它的应用市场十分广泛,包括照明系统、通讯系统、车载显示、便携式电子设备、高清晰度显示,甚至是军事领域。最简单的有机发光二极管的结构为单层夹心式,主要由阳极、阴极、有机发光层组成。为了提高电荷传输效率,保持电子和空穴的注入平衡,一些多层结构的器件相继被开发出来。有机薄膜电致发光是注入型发光器件,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到发光层中,并在发光材料上复合形成激子,然后通过辐跃迁,发出可见光。用于OLED中的发光材料可分为两类,一类是荧光材料,一类是磷光材料。当电子和空穴在有机分子中再结合后,会因为电子自旋对称方式的不同,产生两种激发态的形式,一种为单重态约占25%,一种为三重态75%。一般认为,荧光材料通常为有机小分子材料的内部量子效率的极限为25%。而磷光材料由于重原子效应导致的自旋轨道耦合作用,可以利用75%的三重态激子的能量,所以毫无疑问地可以大大提高发光效率。目前来看,与荧光材料相比,磷光材料不仅起步较晚,且具有热稳定性差、发光效率低、寿命短、色饱和度低等问题,至今是一个极具挑战的难题。因此,提供一种可以克服上述缺陷的磷光材料是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
为了克服上述缺陷,本专利技术提供了一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,其作为客体材料应用于发光材料中,具体热稳定性好、发光效率高、寿命长等优点,进一步地,其具有应用于AMOLED产业的可能。本专利技术的技术方案包括一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,其特征在于,其结构为通式(I)所示:其中,R1-R8分别独立地选自氢、烷基、杂烷基、芳基或杂芳基;X1选自C、N、O,X2选自C、N。在本专利技术的一个实施例中,优选地,X1选自O和/或X2选自N。在本专利技术的一个实施例中,所述以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物是ONCN四齿配体Pt络合物,其结构为通式(II)所示:其中,A1选自O、S、Se、C、Si、N;R9为碳原子数小于60的取代基。进一步地,在本专利技术的实施例中,A1为C或N,A1上连接的R9是碳原子数小于60的取代基,尤其特别优选是碳原子数小于30的取代基,尤其特别优选具有邻位取代的具有一定空间位阻的取代基。进一步地,在本专利技术的实施例中,其中R1、R2各自独立选自碳原子数小于60的烷基、杂烷基、环烷基,芳基或杂芳基,尤其特别优选是碳原子数小于30的烷基、杂烷基、环烷基,芳基或杂芳基;R1、R2可以相同,也可以不同,优选R1和R2为相同取代基;优选地,R1和R2独立地选自具有一定空间位阻的取代基,尤其特别优选为环烷基。进一步地,R5和R6优选为少于四个碳原子的供电子的烷基链,尤其特别优选为甲基。进一步地,R4和R7优选为少于10个碳原子的基团,尤其特别优选为具有邻位取代的具有一定空间位阻的取代基。进一步地,R3和R8优选为少于四个碳原子的供电子的烷基链或者为H。在本专利技术的一个优选实施例中,所述以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,其结构式优选自如下结构:本专利技术的技术方案还包括一种含有上述所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物的OLED材料。本专利技术的技术方案还包括一种含有上述所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物的OLED器件。本专利技术提供的所述用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,可以作为客体材料应用于发光材料中,具体热稳定性好、发光效率高、寿命长等优点,进一步地,其还可以应用于AMOLED产业。具体实施方式本专利技术提供了一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,其特征在于,其结构为通式(I)所示:其中,R1-R8分别独立地选自氢、烷基、杂烷基、芳基或杂芳基;X1选自C、N、O,X2选自C、N。在本专利技术的一个实施例中,优选地,X1选自O和/或X2选自N。在本专利技术的一个实施例中,所述以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物是ONCN四齿配体Pt络合物,其结构为通式(II)所示:其中,A1选自O、S、Se、C、Si、N;R9为碳原子数小于60的取代基。进一步地,在本专利技术的实施例中,A1为C或N,A1上连接的R9是碳原子数小于60的取代基,尤其特别优选是碳原子数小于30的取代基,尤其特别优选具有邻位取代的具有一定空间位阻的取代基。进一步地,在本专利技术的实施例中,其中R1、R2各自独立选自碳原子数小于60的烷基、杂烷基、环烷基,芳基或杂芳基,尤其特别优选是碳原子数小于30的烷基、杂烷基、环烷基,芳基或杂芳基;R1、R2可以相同,也可以不同,优选R1和R2为相同取代基;优选地,R1和R2独立地选自具有一定空间位阻的取代基,尤其特别优选为环烷基。进一步地,R5和R6优选为少于四个碳原子的供电子的烷基链,尤其特别优选为甲基。进一步地,R4和R7优选为少于10个碳原子的基团,尤其特别优选为具有邻位取代的具有一定空间位阻的取代基。进一步地,R3和R8优先选用少于四个碳原子的供电子的烷基链或者为H。在本专利技术的一个优选实施例中,所述以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,其结构式优选自如下结构:本专利技术还提供了一种含有上述所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物的OLED材料。本专利技术还提供了一种含有上述所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物的OLED器件。以下列举具体实施例,以对本专利技术的技术方案作进一步解释和说明。实施例1以下制备方法中涉及到的原材料、酸碱催化剂及溶剂均购自于百灵威科技、Sigma等本领域技术人员熟知的供应商。1、中间体的制备方法(1)合成路线:(2)制备步骤:(2-a)化合物1-2的制备:向一个3L圆底烧瓶中于氮气保护作用下装入化合物1-1(2,N-Dimethoxy-N-methyl-benzamide)(78g,0.4mol,1.0eq),并加入无水DCM(2000ml),于室温下加入NBS粉末(178g,1mol,2.5eq)。完毕后,混合物于30℃搅拌16hrs。将反应液旋干,向残渣中加入600ml去离子水以及600ml乙酸乙酯,然后于30℃下搅拌30mins。有机相和水相分层,同时有机相依次用饱和碳酸氢纳水溶液洗涤3次(600ml),水洗涤3次(600ml),饱和食盐水洗涤3次(600ml)。有机相用无水硫酸钠干燥,过滤旋干。残留物以乙酸乙酯/石油醚(体积比为1:6)为流动相将所得粗产物进行柱层析提纯,在50℃下真空干燥后得到化合物1-2(119.56g,收率85.16%)。Result:Yield:85.16%;MS:m/z=353.9.2(M+H+);1HNMR(400M,d-CDCl3):7.95(s,1H),7.74(s,1H),3.73(s,3H)本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,其特征在于,其结构为通式(I)所示:

【技术特征摘要】
1.一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,其特征在于,其结构为通式(I)所示:其中,R1-R8分别独立地选自氢、烷基、杂烷基、芳基或杂芳基;X1选自C、N、O,X2选自C、N。2.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,X1选自O和/或X2选自N。3.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,所述以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物是ONCN四齿配体Pt络合物,其结构为通式(II)所示:其中,A1选自O、S、Se、C、Si、N;R9为碳原子数小于60的取代基。4.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,A1为C或N,A1上连接的R9是碳原子数小于30的取代基,尤其是具有邻位取代的具有一定空间位阻的取代基。5.根据权利要求1所述的四齿...

【专利技术属性】
技术研发人员:鄢亮亮龚智豪李潍萌
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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