一种LED芯片的去胶方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片的去胶方法。该去胶方法包括：提供待去胶的LED芯片；将所述待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶；将去胶后的LED芯片进行冲洗；将冲洗后的LED芯片进行干燥处理。本发明专利技术提供的去胶方法，使用KOH溶液进行去胶，能够实现去胶对铝电极不造成腐蚀，使铝电极颜色未发生变化。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的去胶方法
本专利技术涉及芯片清洗领域，尤其涉及一种LED芯片的去胶方法。
技术介绍
在LED芯片生产过程中，要经过划片工艺，经过划片后的LED芯片侧面比较光滑，因此要对LED芯片侧面进行腐蚀，使得侧面变得粗糙，从而增加侧面的发光面积，以达到增加光功率的目的。经过划片和侧面腐蚀工艺会使LED的正面受到划损或者腐蚀。因此，在划片之前会在LED芯片的正面会覆盖一层光刻胶，用以保护LED芯片，在经过侧面腐蚀工艺之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，需将光刻胶从LED芯片上去除。去除LED芯片上的光刻胶是LED芯片制造工艺中的重要工序，在光刻胶去除的研究中，长期以来一般使用干法去胶或湿法去胶，但干法处理存在容易遗留残渣等诸多缺陷，因此目前行业内主要使用湿法去胶。湿法去胶一般用有机正胶去膜剂作为去胶剂，如601正胶去胶剂；该正胶去胶剂容易挥发，操作员的工作环境恶劣；去胶过程容易腐蚀铝电极，使铝电极颜色变黄；又由于使用有机正胶去膜剂去胶不容易控制去胶进度，导致只能单片作业以确保去胶正常进行。
技术实现思路
本专利技术提供一种LED芯片的去胶方法，采用无挥发性KOH溶液做正胶去胶剂，以实现去胶过程对铝电极不造成腐蚀，使铝电极颜色未发生变化。本专利技术实施例提供了一种半导体芯片的去胶方法，该去胶包括：提供待去胶的LED芯片；将待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶；将去胶后的LED芯片进行冲洗；将冲洗后的LED芯片放于甩干机中甩干。进一步的，将待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶包括：将待去胶的LED芯片置于清洗提篮中，并将该清洗提篮浸入到KOH溶液中上下提拉进行去胶。进一步的，清洗提篮中可以放置1～5片LED芯片。进一步的，将清洗提篮浸入到KOH溶液中上下提拉的持续时间为20s。进一步的，提供待去胶的LED芯片之前还包括：向去胶槽注水；加入KOH，充分搅拌至无色透明，得到KOH溶液。进一步的，KOH溶液的浓度为5％。进一步的，KOH溶液的温度范围为28℃～32℃。进一步的，将去胶后的LED芯片进行冲洗包括：采用离子水对去胶后的LED芯片进行冲洗。进一步的，上述将冲洗后的LED芯片进行干燥处理具体为将冲洗后的LED芯片放于甩干机中甩干。进一步的，将冲洗后的LED芯片放于甩干机中甩干的时间为7～8分钟。本专利技术的有益效果是，解决传统正胶去胶剂容易挥发，且去胶容易对铝电极造成腐蚀，使铝电极颜色变黄的问题，实现了去胶过程对铝电极不造成腐蚀，使铝电极颜色未发生变化的效果。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种LED芯片的去胶方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1为本专利技术实施例提供的一种LED芯片的去胶方法的流程图，本实施例适用于去除LED芯片上的正性光刻胶的情况，该去胶方法具体包括如下步骤：S110、提供待去胶的LED芯片。具体的，LED芯片为红外LED芯片，且该LED芯片为已经过划片和侧面腐蚀工艺后的LED芯片，在LED芯片的正面覆盖有用于保护LED芯片的光刻胶，LED芯片的衬底为砷化镓。其中，光刻胶按照响应紫外光的特性可以分为两类即正性光刻胶和负性光刻胶，在本专利技术实施例中的光刻胶均采用正性光刻胶。其中，正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。S120、将待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶。具体的，可以将待去胶的LED芯片置于清洗提篮中，并将该清洗提篮浸入到KOH溶液中上下提拉进行去胶。这样可以加快LED芯片上正性光刻胶与KOH溶液的反应速率，防止正性光刻胶与KOH溶液反应的生成物附着于芯片上阻止正性光刻胶与KOH溶液的进一步的反应，从而使得去胶不彻底。该清洗提篮为专用清洗提篮，里面可以放置多片LED芯片，可选放置1～5片LED芯片，优选放置5片LED芯片，与单片作业相比可提高工作效率。将清洗提篮浸入到KOH溶液中上下提拉的持续时间优选的为20s。时间过长可能腐蚀LED芯片的铝电极，时间太短不能彻底去除正性光刻胶。其中，KOH溶液的浓度优选为5％，KOH溶液的温度范围可选28℃～32℃，优选为32℃。浓度为5％的KOH溶液可迅速溶解正性光刻胶，但与铝电极的反应速率较为缓慢，在持续时间为20s内，几乎对铝电极构不成腐蚀，因此铝电极颜色不会发生变化；同时对于LED芯片的砷化镓衬底构不成腐蚀。需要说明的是以KOH溶液作为正胶去胶剂无挥发性，不会危害人体健康，显著改善了去胶作业的操作员的工作环境。S130、将去胶后的LED芯片进行冲洗。具体的，对经过去胶后的LED芯片进行冲洗，将残留在LED芯片上的KOH溶液冲洗干净。其中，可以采用离子水对去胶后的LED芯片进行冲洗。冲洗的时间优选为5～6分钟。所用的离子水可以通过整水器利用活性炭作为过滤层，过滤自来水，使之净化达标。S140、将冲洗后的LED芯片进行干燥处理。具体的，本步骤中对LED芯片进行干燥处理可以具体为将冲洗后的LED芯片放于甩干机中，将残留在半导体芯片上的冲洗液体甩干，所用的甩干时间可选的为7～8分钟。本专利技术通过提供待去胶的LED芯片；将待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶；将去胶后的LED芯片进行冲洗；将冲洗后的LED芯片放于甩干机中甩干，解决了传统正胶去胶剂容易挥发，且去胶过程容易对铝电极造成腐蚀，使铝电极颜色变黄的问题，实现去胶过程对铝电极不造成腐蚀，使铝电极颜色未发生变化。此外，在提供待去胶的LED芯片之前，还包括：向去胶槽注水；加入KOH，充分搅拌至无色透明，得到上述浓度的KOH溶液。注意，上述仅为本专利技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本专利技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本专利技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本专利技术进行了较为详细的说明，但是本专利技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本专利技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本专利技术的范围由所附的权利要求范围决定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的去胶方法，其特征在于，包括：提供待去胶的LED芯片；将所述待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶；将去胶后的LED芯片进行冲洗；将冲洗后的LED芯片进行干燥处理。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的去胶方法，其特征在于，包括：提供待去胶的LED芯片；将所述待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶；将去胶后的LED芯片进行冲洗；将冲洗后的LED芯片进行干燥处理。2.根据权利要求1所述的去胶方法，其特征在于，所述将所述待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶包括：将所述待去胶的LED芯片置于清洗提篮中，并将所述清洗提篮浸入到所述KOH溶液中上下提拉进行去胶。3.根据权利要求2所述的去胶方法，其特征在于，所述清洗提篮中放置有1～5片LED芯片。4.根据权利要求2所述的去胶方法，其特征在于，所述将所述清洗提篮浸入到所述KOH溶液中上下提拉的持续时间为20s。5.根据权利要求1-4任一所述的去胶方法，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙国臻，姚锡冬，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32