一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:15793689 阅读:575 留言:0更新日期:2017-07-10 05:33
本发明专利技术提供一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。其中,制作方法包括:形成贯穿多个膜层的过孔的步骤和形成覆盖所述过孔的导电图形的步骤。形成所述过孔的步骤包括:至少在所述过孔边缘处形成爬坡辅助结构;形成所述导电图形的步骤包括:在所述爬坡辅助结构上形成导电图形,从而使得所述导电图形能够基于所述爬坡辅助结构从所述过孔内连续不间断地延伸至过孔外。本发明专利技术的方案在过孔边缘设置爬坡辅助结构,以使导电图形在爬坡辅助结构上进行沉积,从而避免在过孔位置附近发生断裂,影响信号加载,可减少显示画面出现亮点、条纹等不良显示现象的概率。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
本专利技术涉及显示产品的制作领域,特别是指一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。
技术介绍
Half-contacthole(半连接孔)工艺作为像素内部实现上下电极之间信号转接的一种方式,极大减少了阵列基板设置转接孔的数目,从而有利于改善PI(配向液的材料)、LC的扩散不均的现象。但是,当前的Half-contacthole制备工艺仍然存在一些问题:如图1所示,现有的Half-contacthole制备工艺在对绝缘层GI刻蚀过孔的过程中,一般会过刻蚀源漏金属图形SD下方的有源层Active和绝缘层GI(源漏金属图形SD为金属材料不易被刻蚀),因此在刻蚀结束后,源漏金属图形SD的尺寸要大于下方的有源层Active以及绝缘层GI的尺寸,使得后续在沉积公共电极2ITO时,源漏金属图形SD对图1中的椭圆形虚线处具有一定遮挡作用,并该位置还存在有段差,很容易导致公共电极2ITO的材料无法在图1中的椭圆形虚线处连续不间断地沉积,致使在该位置上发生断裂,只能依靠断裂周围两侧狭窄的公共电极来传输信号,从而极大的降低了信号的传输效率,容易导致像素充电不足、Ion(关态电流)偏低、显示画面出现亮点/条纹等不良现象。当然,上述问题并不仅仅发生在公共电极上,但凡是在过孔处所形成导电图形都可能会存在断裂的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有Half-contacthole工艺容易导致后续沉积的导电图形发生更断裂而影响信号传输的问题。为实现上述目的,一方面,本专利技术的实施例提供一种显示基板的制作方法,包括形成贯穿多个膜层的过孔的步骤和形成覆盖所述过孔的导电图形的步骤。形成所述过孔的步骤包括:至少在所述过孔边缘处形成爬坡辅助结构;形成所述导电图形的步骤包括:在所述爬坡辅助结构上形成导电图形,从而使得所述导电图形能够基于所述爬坡辅助结构从所述过孔内连续不间断地延伸至过孔外。其中,形成所述过孔的步骤包括的步骤具体包括:形成贯穿多个膜层的过孔;在形成所述导电图形的步骤前,在所述过孔的边缘处沉积绝缘材料,以形成爬坡辅助结构。其中,形成所述过孔的步骤具体包括:形成贯穿多膜层的至少一侧边缘呈阶梯结构的过孔,在所述阶梯结构中,下方膜层朝向上方膜层为升阶,且相错排列的距离大于或等于预设阈值。其中,所述导电图形为公共电极,所述多个膜层为绝缘层、有源层和源漏金属图形,所述制作方法具体包括:在衬底基板上依次形成像素电极、绝缘层、有源层和源漏金属图形;所述像素电极具有用于与公共电极连接的第一区域,所述源漏金属图形具有用于与公共电极连接的第二区域,所述第一区域在衬底基板上的正投影与所述有源层、源漏金属图形在衬底基板上的正投影相互独立;在形成所述像素电极、绝缘层、有源层和源漏金属图形的衬底基板上形成具有第一过孔和第二过孔的保护图层,所述第一过孔对应所述第一区域,所述第二过孔对应所述第二区域;以所述保护图层为掩膜板,对所述绝缘层进行刻蚀,以使所述绝缘层在对应所述第一区域的位置上形成第三过孔;所述绝缘层和所述有源层在相邻所述第三过孔的一侧构成所述阶梯结构;形成公共电极,所述公共电极通过所述第三过孔与所述像素电极连接,并通过所述第二过孔与所述源漏金属图形连接。其中,在形成所述像素电极、绝缘层、有源层和源漏金属图形的衬底基板上形成具有第一过孔和第二过孔的保护图层,包括:在形成所述像素电极、绝缘层、有源层和源漏金属图形的衬底基板上沉积绝缘材料,以形成保护图层;在所述保护图层上涂覆光刻胶;通过掩膜板对所述光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域,所述光刻胶未保留区域对应所述第一区域和所述第二区域,所述光刻胶保留区域对应所述第一区域和所述第二区域之外的区域;对光刻胶未保留区域的保护图层进行刻蚀,以使所述保护图层形成第一过孔和第二过孔。其中,所述源漏金属图形相邻所述第三过孔的一侧构成所述阶梯结构。其中,以所述保护图层为掩膜板,对所述绝缘层对应第一区域的部分进行刻蚀,包括:在形成所述第一过孔和所述第二过孔后,去除所述第一过孔与所述第二过孔之间的保护图层的光刻胶;使用刻蚀液,对所述绝缘层对应第一区域的部分以及未被光刻胶覆盖的保护图层的部分进行刻蚀,以使所述绝缘层形成所述第三过孔,并使所述保护图层的第一过孔与所述第二过孔连通形成第四过孔;去除保护图层剩余的光刻胶;其中,所述公共电极通过所述保护图层的第四过孔与所述源漏金属图形连接,并通过所述保护图层的第四过孔以及所述绝缘层的第三过孔与所述像素电极连接。其中,所述第二区域为所述源漏金属图形相邻所述第三过孔的边缘区域,从而使得形成在所述源漏金属图形上的保护图层相邻所述第三过孔的一侧构成所述阶梯结构。另一方面,本专利技术的实施例还提供一种显示基板,该显示基板由上述制作方法制成。此外,本专利技术还提供一种显示装置,包括上述显示基板。本专利技术的上述方案具有如下有益效果:本专利技术的方案在过孔边缘设置爬坡辅助结构,以使导电图形在爬坡辅助结构上进行沉积,从而避免在过孔位置附近发生断裂,影响信号加载,可减少显示画面出现亮点、条纹等不良显示现象的概率。附图说明图1为现有的显示基板的公共电极线断裂的示意图;图2A-图2C为本专利技术的显示基板的制作方法的对应其中第一种实现方式的流程示意图;图3A-图3D为本专利技术的显示基板的制作方法的对应第二种实现方式的流程示意图;图4A-图4H为本专利技术的显示基板的制作方法的对应第二种实现方式的详细流程示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。针对现有的Half-contacthole工艺容易导致后续沉积的导电图形发生断裂而影响信号传输的问题,本专利技术提供一种解决方案。一方面,本专利技术提供一种显示基板的制作方法,包括形成贯穿多个膜层的过孔的步骤和形成覆盖该过孔的导电图形的步骤;其中,形成上述过孔的步骤包括:至少在该过孔边缘处形成爬坡辅助结构;形成上述导电图形的步骤包括:在上述爬坡辅助结构上形成导电图形,从而使得该导电图形能够基于爬坡辅助结构从过孔内连续不间断地延伸至过孔外。本实施例的制作方法在过孔边缘设置爬坡辅助结构,以使导电图形在爬坡辅助结构上进行沉积,从而避免在过孔位置附近发生断裂,影响信号加载,可减少显示画面出现亮点、条纹等不良显示现象的概率。作为示例性介绍,本实施例可以有两种实现方式以形成爬坡辅助结构。一种实现方式是通过单独的工序在过孔的边缘处形成爬坡辅助结构,即本实施例形成过孔的步骤包括:步骤A1,如图2A所示,按照常规的Half-contacthole工艺形成贯穿多个膜层(多个膜层可以但不限于图2A所示的钝化层PVX、绝缘层GI)的过孔(椭圆形虚线处);步骤A2,如图2B所示,在形成导电图形的步骤前,在过孔的边缘处沉积绝缘材料,以形成爬坡辅助结构Filler;与图1所示的现有技术相对比,本实施例的爬坡辅助结构Filler可填充有源层Active以及绝缘层GI过刻蚀的部分;在本步骤,优选流动性好,耐腐蚀、耐高温的绝缘材料制成爬坡辅助结构Filler,例如光刻胶。在光刻胶沉积完成后,对其不同区域进行不同强度的曝光,以形成图2B所示的爬坡辅助结构Filler。以正性光刻胶为例,在需要形成本文档来自技高网...
一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置

【技术保护点】
一种显示基板的制作方法,包括形成贯穿多个膜层的过孔的步骤和形成覆盖所述过孔的导电图形的步骤,其特征在于,形成所述过孔的步骤包括:至少在所述过孔边缘处形成爬坡辅助结构;形成所述导电图形的步骤包括:在所述爬坡辅助结构上形成导电图形,从而使得所述导电图形能够基于所述爬坡辅助结构从所述过孔内连续不间断地延伸至过孔外。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法,包括形成贯穿多个膜层的过孔的步骤和形成覆盖所述过孔的导电图形的步骤,其特征在于,形成所述过孔的步骤包括:至少在所述过孔边缘处形成爬坡辅助结构;形成所述导电图形的步骤包括:在所述爬坡辅助结构上形成导电图形,从而使得所述导电图形能够基于所述爬坡辅助结构从所述过孔内连续不间断地延伸至过孔外。2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述过孔的步骤包括的步骤具体包括:形成贯穿多个膜层的过孔;在形成所述导电图形的步骤前,在所述过孔的边缘处沉积绝缘材料,以形成爬坡辅助结构。3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述过孔的步骤具体包括:形成贯穿多个膜层的至少一侧边缘呈阶梯结构的过孔,在所述阶梯结构中,下方膜层朝向上方膜层为升阶,且相错排列的距离大于或等于预设阈值。4.根据权利要求3所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述导电图形为公共电极,所述多个膜层为绝缘层、有源层和源漏金属图形,所述制作方法具体包括:在衬底基板上依次形成像素电极、绝缘层、有源层和源漏金属图形;所述像素电极具有用于与公共电极连接的第一区域,所述源漏金属图形具有用于与公共电极连接的第二区域,所述第一区域在衬底基板上的正投影与所述有源层、源漏金属图形在衬底基板上的正投影相互独立;在形成所述像素电极、绝缘层、有源层和源漏金属图形的衬底基板上形成具有第一过孔和第二过孔的保护图层,所述第一过孔对应所述第一区域,所述第二过孔对应所述第二区域;以所述保护图层为掩膜板,对所述绝缘层进行刻蚀,以使所述绝缘层在对应所述第一区域的位置上形成第三过孔;所述绝缘层和所述有源层在相邻所述第三过孔的一侧构成所述阶梯结构;形成公共电极,所述公共电极通过所述第三过孔与所述像素电极连接,并通过所述第二过孔与所述源漏金属图形连接。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:李云泽杨妮齐智坚侯宇松刘信
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司重庆京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1