薄膜晶体管阵列基板的制作方法及薄膜晶体管阵列基板技术

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及薄膜晶体管阵列基板，其中的制作方法为：在完成硅薄膜晶体管的部分制程及电容制程后，先形成顶栅结构的氧化物薄膜晶体管，再形成硅薄膜晶体管漏极、硅薄膜晶体管源极、氧化物薄膜晶体管漏极和氧化物薄膜晶体管源极，从而在缓冲层上的第一位置、第二位置及第三位置处形成硅薄膜晶体管、电容与氧化物薄膜晶体管，由于制得的薄膜晶体管阵列基板包括顶栅型的氧化物薄膜晶体管，且硅薄膜晶体管的栅极与源漏极之间间隔多层绝缘层而距离增大，从而有效降低了整体的寄生电容，有利于改善显示器件的高分辨显示效果。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板的制作方法及薄膜晶体管阵列基板
本专利技术涉及显示
，特别是关于一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及薄膜晶体管阵列基板。
技术介绍
随着显示技术的发展，基于低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)的显示器件越来越多地运用到日常显示中。采用低温多晶硅有许多优点，如薄膜电路可以做得更薄更小、功耗更低，但采用低温多晶硅也存在漏电流高、均一性差和显示屏斑点(mura)等缺陷。随着显示分辨率的增高，显示器件所需的驱动电流越来越小，由于LTPS提供的驱动电流较大，通常需要设计成U型沟道或者S型沟道，而采用氧化物半导体作为驱动薄膜晶体管，可以缩小器件面积，实现高分辨。因此，低温多晶硅和氧化物半导体相结合的技术越来越受到业内的关注。然而，现有采用低温多晶硅和氧化物薄膜晶体管混合结构的薄膜晶体管阵列基板仍存在寄生电容较大的问题，在制作高分辨显示屏体时RC延迟较为严重，不能很好的满足显示器件的高分辨显示要求，不利于该项技术的优势发挥。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，可制得寄生电容较小的薄膜晶体管阵列基板。本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：提供一基板，在所述基板上依次形成缓冲层、图案化的多晶硅层、第一栅绝缘层、图案化的第一金属层、电容绝缘层、图案化的第二金属层及第一层间绝缘层，其中，所述图案化的多晶硅层包括位于所述缓冲层的第一位置处的硅薄膜晶体管有源层，所述图案化的第一金属层包括位于所述硅薄膜晶体管有源层上方的硅薄膜晶体管栅极和位于所述缓冲层的第二位置上方的电容下电极，所述图案化的第二金属层包括位于所述电容下电极上方的电容上电极；刻蚀除去所述电容绝缘层和所述第一层间绝缘层的位于所述缓冲层的第三位置上方的部分以暴露出所述第一栅绝缘层的位于所述第三位置上方的部分；依次形成图案化的氧化物半导体层、第二栅绝缘层、图案化的第三金属层、第二层间绝缘层，所述图案化的氧化物半导体层包括位于所述缓冲层的第三位置上方的氧化物薄膜晶体管有源层，所述图案化的第三金属层包括位于所述氧化物薄膜晶体管有源层上方的氧化物薄膜晶体管栅极；形成第一过孔、第二过孔、第三过孔与第四过孔，所述第一过孔与所述第二过孔分别暴露出所述硅薄膜晶体管有源层的两端，所述第三过孔与所述第四过孔分别暴露出所述氧化物薄膜晶体管有源层的两端；形成图案化的第四金属层，所述第四金属层包括硅薄膜晶体管漏极、硅薄膜晶体管源极、氧化物薄膜晶体管漏极和氧化物薄膜晶体管源极，其中，所述硅薄膜晶体管漏极和所述硅薄膜晶体管源极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述硅薄膜晶体管有源层的两端接触，所述氧化物薄膜晶体管漏极和所述氧化物薄膜晶体管源极分别通过所述第三过孔和所述第四过孔与所述氧化物薄膜晶体管有源层的两端接触。进一步的，所述第二栅绝缘层为图案化的第二栅绝缘层，形成所述图案化的第二栅绝缘层的步骤包括：沉积一栅绝缘层；刻蚀除去所述栅绝缘层的位于所述第一位置与所述第二位置上方的部分以形成图案化的第二栅绝缘层。进一步的，所述第二位置位于所述第一位置与所述第三位置之间。进一步的，所述多晶硅层为低温多晶硅层，所述氧化物半导体层为铟镓锌氧化物层。进一步的，采用湿刻工艺同时形成所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔与所述第四过孔。进一步的，采用等离子干刻工艺同时形成所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔与所述第四过孔。进一步的，所述形成第一过孔、第二过孔、第三过孔与第四过孔的步骤之后，还包括：对所述第三过孔与所述第四过孔分别暴露出的所述氧化物薄膜晶体管有源层两端的表面进行等离子体处理。进一步的，所述电容绝缘层、所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层为氮化硅层。进一步的，所述形成图案化的第四金属层的步骤之后，还包括：依次形成钝化层和平坦化层；形成第五过孔，所述第五过孔暴露出所述氧化物薄膜晶体管源极；形成铟锡氧化物半导体透明导电层，所述铟锡氧化物半导体透明导电层通过所述第五过孔与所述氧化物薄膜晶体管源极接触。本专利技术还提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板采用如上所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的制成。本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，在完成硅薄膜晶体管的部分制程及电容制程后，先形成顶栅结构的氧化物薄膜晶体管，再形成硅薄膜晶体管漏极、硅薄膜晶体管源极、氧化物薄膜晶体管漏极和氧化物薄膜晶体管源极，从而在缓冲层上的第一位置、第二位置及第三位置处形成硅薄膜晶体管、电容与氧化物薄膜晶体管，由于制得的薄膜晶体管阵列基板包括顶栅型的氧化物薄膜晶体管，且硅薄膜晶体管的栅极与源漏极之间间隔多层绝缘层而距离增大，从而有效降低了整体的寄生电容，有利于改善显示器件的高分辨显示效果。附图说明图1为本专利技术一个实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作方法的流程图。图2为采用本专利技术实施例的制作方法制成的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。图3为采用本专利技术实施例的制作方法制成的薄膜晶体管阵列基板的另一结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本专利技术的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。图1为本专利技术一个实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作方法的流程图。如图1所示，本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的制作方法可包括以下步骤：步骤11，提供一基板，在基板上依次形成缓冲层、图案化的多晶硅层、第一栅绝缘层、图案化的第一金属层、电容绝缘层、图案化的第二金属层及第一层间绝缘层。请结合图2，本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的制作方法用于制备同时具有硅薄膜晶体管210、电容220及氧化物薄膜晶体管230的薄膜晶体管阵列基板，步骤11可具体包括：步骤111，提供一基板24。本实施例中，基板24为透明基板，优选为玻璃基板。步骤112，在基板24上形成缓冲层25。本实施例中，缓冲层25为氧化硅(SiOX)。步骤113，在缓冲层25上形成一多晶硅层(LTPS)，图案化所述多晶硅层，形成位于缓冲层25的第一位置处(即用于形成硅薄膜晶体管210的位置处)的硅薄膜晶体管有源层211。步骤114，在图案化的多晶硅层上形成第一栅绝缘层212。本实施例中，第一栅绝缘层212采用氧化硅(SiOX)。步骤115，在第一栅绝缘层212上形成第一金属层(M1层)，图案化所述第一金属层，形成位于硅薄膜晶体管有源层211上方的硅薄膜晶体管栅极213和位于缓冲层25的第二位置(即用于形成电容220的位置)上方的电容下电极221。步骤116，在图案化的第一金属层上形成电容绝缘层214。本实施例中，电容绝缘层214采用氮化硅(SiNX)。步骤117，在电容绝缘层214上形成第二金属层(M2)，图案化所述第二金属层，形成位于电容下电极221上方的电容上电极222。步骤118，在图案化的第二金属层上形成第一层间绝缘层215。本实施例中，第一层间绝缘层215采用氮化硅(SiNX)。步骤11中，在缓冲层25(或基板24)的第一位置处形成了硅薄膜晶体管210的部分结构，尤其是形成了硅薄膜晶体管有源层211，以及在缓冲层25(或基板24)的第二位置处形成了电容220，包括电容下电极221与电容上电极222本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，在所述基板上依次形成缓冲层、图案化的多晶硅层、第一栅绝缘层、图案化的第一金属层、电容绝缘层、图案化的第二金属层及第一层间绝缘层，其中，所述图案化的多晶硅层包括位于所述缓冲层的第一位置处的硅薄膜晶体管有源层，所述图案化的第一金属层包括位于所述硅薄膜晶体管有源层上方的硅薄膜晶体管栅极和位于所述缓冲层的第二位置上方的电容下电极，所述图案化的第二金属层包括位于所述电容下电极上方的电容上电极；刻蚀除去所述电容绝缘层和所述第一层间绝缘层的位于所述缓冲层的第三位置上方的部分以暴露出所述第一栅绝缘层的位于所述第三位置上方的部分；依次形成图案化的氧化物半导体层、第二栅绝缘层、图案化的第三金属层、第二层间绝缘层，所述图案化的氧化物半导体层包括位于所述缓冲层的第三位置上方的氧化物薄膜晶体管有源层，所述图案化的第三金属层包括位于所述氧化物薄源膜晶体管有源层上方的氧化物薄膜晶体管栅极；形成第一过孔、第二过孔、第三过孔与第四过孔，所述第一过孔与所述第二过孔分别暴露出所述硅薄膜晶体管有源层的两端，所述第三过孔与所述第四过孔分别暴露出所述氧化物薄膜晶体管有源层的两端；形成图案化的第四金属层，所述第四金属层包括硅薄膜晶体管漏极、硅薄膜晶体管源极、氧化物薄膜晶体管漏极和氧化物薄膜晶体管源极，其中，所述硅薄膜晶体管漏极和所述硅薄膜晶体管源极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述硅薄膜晶体管有源层的两端接触，所述氧化物薄膜晶体管漏极和所述氧化物薄膜晶体管源极分别通过所述第三过孔和所述第四过孔与所述氧化物薄膜晶体管有源层的两端接触。...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，在所述基板上依次形成缓冲层、图案化的多晶硅层、第一栅绝缘层、图案化的第一金属层、电容绝缘层、图案化的第二金属层及第一层间绝缘层，其中，所述图案化的多晶硅层包括位于所述缓冲层的第一位置处的硅薄膜晶体管有源层，所述图案化的第一金属层包括位于所述硅薄膜晶体管有源层上方的硅薄膜晶体管栅极和位于所述缓冲层的第二位置上方的电容下电极，所述图案化的第二金属层包括位于所述电容下电极上方的电容上电极；刻蚀除去所述电容绝缘层和所述第一层间绝缘层的位于所述缓冲层的第三位置上方的部分以暴露出所述第一栅绝缘层的位于所述第三位置上方的部分；依次形成图案化的氧化物半导体层、第二栅绝缘层、图案化的第三金属层、第二层间绝缘层，所述图案化的氧化物半导体层包括位于所述缓冲层的第三位置上方的氧化物薄膜晶体管有源层，所述图案化的第三金属层包括位于所述氧化物薄源膜晶体管有源层上方的氧化物薄膜晶体管栅极；形成第一过孔、第二过孔、第三过孔与第四过孔，所述第一过孔与所述第二过孔分别暴露出所述硅薄膜晶体管有源层的两端，所述第三过孔与所述第四过孔分别暴露出所述氧化物薄膜晶体管有源层的两端；形成图案化的第四金属层，所述第四金属层包括硅薄膜晶体管漏极、硅薄膜晶体管源极、氧化物薄膜晶体管漏极和氧化物薄膜晶体管源极，其中，所述硅薄膜晶体管漏极和所述硅薄膜晶体管源极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述硅薄膜晶体管有源层的两端接触，所述氧化物薄膜晶体管漏极和所述氧化物薄膜晶体管源极分别通过所述第三过孔和所述第四过孔与所述氧化物薄膜晶体管有源层的两端接触。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二栅绝缘层为图案化的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁波，刘玉成，徐琳，胡坤，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32