薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域，薄膜晶体管的制作方法，包括：制备金属层；对所述金属层进行化学处理，在所述金属层表面形成一层导电保护膜；对覆盖有导电保护膜的金属层进行构图，形成薄膜晶体管的电极。本发明专利技术的技术方案能够在不影响导电图形的导电率的情况下，增加导电图形的抗氧化能力。在导电保护膜为利用硅烷偶联剂与金属层结合后形成时，导电保护膜还是优异的粘结促进剂，在对金属层和导电保护膜进行刻蚀、在导电保护膜上涂覆光刻胶时，导电保护膜还能够增加光刻胶的粘附力。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管或显示基板通常会选择电阻尽量小、导电性强的材料来制作电极及信号传输线，以减少功耗、降低压降及提高响应速度。Cu具有较低的电阻率及良好的抗电迁移能力，可满足显示终端大尺寸、高分辨率及高驱动频率的要求，常被选择作为薄膜晶体管的电极材料以及显示基板的信号传输线材料。但是，在对Cu进行构图形成电极或信号传输线时，Cu与氧气或水分接触后易发生氧化，将会影响薄膜晶体管的电极性能以及显示基板的信号传输线电阻。因此，在采用Cu制作薄膜晶体管的电极以及显示基板的信号传输线时，如何防止Cu被氧化很重要。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，能够在不影响导电图形的导电率的情况下，增加导电图形的抗氧化能力。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：制备金属层；对所述金属层进行化学处理，在所述金属层表面形成一层导电保护膜；对覆盖有导电保护膜的金属层进行构图，形成薄膜晶体管的电极。进一步地，所述金属层的表层为铜层，所述对所述金属层进行化学处理包括：在所述金属层上喷淋或涂覆包括有硅烷偶联剂的化学药液，使所述硅烷偶联剂的乙氧基与铜层中的铜原子结合，在所述铜层表面形成一层导电保护膜。进一步地，所述化学药液中还包括有乙炔黑。进一步地，所述化学药液中，硅烷偶联剂与乙炔黑的质量比为5：1-10：1。本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管，采用如上所述的制作方法制作得到，所述薄膜晶体管的电极由金属层和覆盖所述金属层的导电保护膜组成。本专利技术实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：沉积金属层；对所述金属层进行化学处理，在所述金属层表面形成一层导电保护膜；对覆盖有导电保护膜的金属层进行构图，形成显示基板的导电图形。进一步地，所述金属层的表层为铜层，所述对所述金属层进行化学处理包括：在所述金属层上喷淋或涂覆包括有硅烷偶联剂的化学药液，使所述硅烷偶联剂的乙氧基与铜层中的铜原子结合，在所述铜层表面形成一层导电保护膜。进一步地，所述化学药液中还包括有乙炔黑。进一步地，所述化学药液中，硅烷偶联剂与乙炔黑的质量比为5：1-10：1。本专利技术实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到，所述显示基板的导电图形由金属层和覆盖所述金属层的导电保护膜组成。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，在制备金属层后，在金属层上形成覆盖金属层的导电保护膜，再对覆盖有导电保护膜的金属层进行刻蚀形成薄膜晶体管的电极，该导电保护膜能够防止金属层与氧气或水分接触，从而能够避免金属层被氧化，并且该导电保护膜为导电的，因此，并不影响薄膜晶体管的电极的导电性能。附图说明图1和图2为本专利技术实施例薄膜晶体管的结构示意图；图3和图4为本专利技术实施例显示基板的结构示意图。附图标记1衬底基板2栅金属层3栅绝缘层4有源层5源漏金属层6导电保护膜7钝化层8像素电极具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中在对铜进行构图形成电极或信号传输线时，铜与氧气或水分接触后易发生氧化的问题，提供一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，能够在不影响导电图形的导电率的情况下，增加导电图形的抗氧化能力。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：制备金属层；对所述金属层进行化学处理，在所述金属层表面形成一层导电保护膜；对覆盖有导电保护膜的金属层进行构图，形成薄膜晶体管的电极。本实施例中，在制备金属层后，在金属层上形成覆盖金属层的导电保护膜，再对覆盖有导电保护膜的金属层进行刻蚀形成薄膜晶体管的电极，该导电保护膜能够防止金属层与氧气或水分接触，从而能够避免金属层被氧化，并且该导电保护膜为导电的，因此，并不影响薄膜晶体管的电极的导电性能。由于铜具有良好的导电性，因此，金属层的主体结构可以采用铜，当然，金属层还可以采用其他金属，比如铝等。在金属层采用铜时，为了防止铜离子扩散到其他膜层，金属层的底层可以为Mo和Nb的双层结构，铜层位于金属层的表层。具体地，可以在所述金属层上喷淋或涂覆包括有硅烷偶联剂的化学药液，使所述硅烷偶联剂的乙氧基与铜层中的铜原子结合，在所述铜层表面形成一层导电保护膜。硅烷偶联剂一端的乙氧基可以与铜结合形成导电保护膜，另一端可以与高分子有机物通过发生化学键和、吸附等来进行连接，生成的导电保护膜用来偶联有机高分子和无机材料，增强其粘结性、是优异的粘结促进剂，可用于聚氨酯、环氧、腈类、酚醛胶粘剂和密封材料，可改善颜料的分散性并提高对玻璃、金属的粘合性，也适用于聚氨酯、环氧和丙烯酸乳胶。这样后续在对金属层和导电保护膜进行刻蚀、在导电保护膜上涂覆光刻胶时，能够增加光刻胶的粘附力，从而能够提高刻蚀线宽的尺寸，使刻蚀线宽可达到1.0微米左右，提高薄膜晶体管的制作精度。进一步地，所述化学药液中还包括有乙炔黑，乙炔黑与硅烷偶联剂均可溶于有机溶剂中，并且乙炔黑能够提高导电保护膜的导电性。优选地，硅烷偶联剂与乙炔黑的质量比为5：1-10：1，这样一方面能够保证足够的硅烷偶联剂与铜层发生反应生成导电保护膜，另一方面能够保证有足够数量的乙炔黑来提高导电保护膜的导电性。当然，本专利技术实施例的导电保护膜并不限定为采用硅烷偶联剂与铜层中的铜原子结合后生成，只要具有导电性能并且能够在刻蚀过程中起到保护作用的薄膜均可作为导电保护膜。具体地，金属层中铜层的厚度可以为此时的电阻率约为0.1-0.05Ω/□，生成的导电保护膜的厚度在左右，在硅烷偶联剂与乙炔黑的质量比为5：1-10：1时，导电保护膜的电阻率在0.55-0.25Ω/□左右，导电保护膜和铜层的整体电阻率在0.15-0.05Ω/□左右，可以看出，导电保护膜对电极的导电性能的影响可忽略不计。同时，由于导电保护膜的厚度较小，因此可在250℃以下稳定存在。经过实验发现，采用硅烷偶联剂与铜层中的铜原子结合后生成的导电保护膜不能被碱性溶液刻蚀，因此，在对覆盖有导电保护膜的金属层进行刻蚀形成薄膜晶体管的电极时，可以采用酸性刻蚀液来进行刻蚀。本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管，采用如上所述的制作方法制作得到，所述薄膜晶体管的电极由金属层和覆盖所述金属层的导电保护膜组成。本实施例薄膜晶体管的电极上覆盖有导电保护膜，这样在对覆盖有导电保护膜的金属层进行刻蚀形成薄膜晶体管的电极时，该导电保护膜能够防止金属层与氧气或水分接触，从而能够避免金属层被氧化，并且该导电保护膜为导电的，因此，并不影响薄膜晶体管的电极的导电性能。其中，薄膜晶体管的电极包括薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极。优选地，导电保护膜为硅烷偶联剂的乙氧基与金属层结合后形成，比如为硅烷偶联剂的乙氧基与铜层中的铜原子结合后形成，硅烷偶联剂一端的乙氧基可以与铜结合形成导电保护膜，另一端可以与高分子有机物通过发生化学键和、吸附等来进行连接，生成的导电保护膜用来偶联有机高分子和无机材料，增强其粘结性、是优异的粘结促进剂，可用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：制备金属层；对所述金属层进行化学处理，在所述金属层表面形成一层导电保护膜；对覆盖有导电保护膜的金属层进行构图，形成薄膜晶体管的电极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：制备金属层；对所述金属层进行化学处理，在所述金属层表面形成一层导电保护膜；对覆盖有导电保护膜的金属层进行构图，形成薄膜晶体管的电极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属层的表层为铜层，所述对所述金属层进行化学处理包括：在所述金属层上喷淋或涂覆包括有硅烷偶联剂的化学药液，使所述硅烷偶联剂的乙氧基与铜层中的铜原子结合，在所述铜层表面形成一层导电保护膜。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述化学药液中还包括有乙炔黑。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述化学药液中，硅烷偶联剂与乙炔黑的质量比为5：1-10：1。5.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-4中任一项所述的制作方法制作得到，所述薄膜晶体管的电极由金属层和覆盖所述金属层的导电保护膜组成。6.一种显示基板的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，曹占锋，姚琪，汪建国，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11