一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法，其包括以下步骤：(1)陶瓷基板制备(2)陶瓷基板电极化，基板表面制备多个独立电极，基板正反面电极位置对称(3)陶瓷基板切割，沿电极间中线或其他方向切割基板，形成单片陶瓷芯片(4)陶瓷芯片焊接外接引线(5)涂覆环氧绝缘层(6)打印标识，出厂测试。本发明专利技术通过制备陶瓷基体并电极化后切割的方式制备单层陶瓷电容或单层压敏电阻器，可根据需要自由选择陶瓷基板的切割尺寸，制备单片陶瓷芯片，无需传统工艺中生片排片摇板等治具，并避免了一旦某一产品规格尺寸终止，备份库存品浪费的问题，且上下料仅需操作整块陶瓷基板，提升各工序上下料效率，减少工艺不良分选的难度。

【技术实现步骤摘要】
一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法
本专利技术涉及陶瓷电子元件制造领域，尤其指一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法。
技术介绍
单层陶瓷电容器普遍应用于电源、家电、汽车等设备中，起滤波、振荡、耦合等作用，单层压敏电阻器普遍用于电路保护，当前单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器普遍为圆柱形，经陶瓷粉料成型、生片烧结、电极化、引线焊接、包封测试等工序制备成品。粉料成型工序中采用冲压或挤制冲片的方式，制备出多个生片单片，其余工序采用批量集中的原则生产，如生片烧结工序，需将多片生片集中、紧密排列后装入匣钵，烧结成瓷，如电极化工序，需将多片陶瓷基片集中、排入溅射掩膜板或印刷底板中，溅射或印刷烧结形成电极。当前工艺采用批量集中的方法可使同一工艺动作同时施加在多个单片，提升生产效率，但每个工序都要将上一工序制备的单片半成品重新集中，排列装入新的载具，人工、治具主要消耗在此处，当前单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器规格多样，基本每种规格都要有对应的成型模具、生片排钵摇板、印刷底板、印刷网板、溅射掩膜板，而且为批量化生产，相应治具数量均不只一块，相应的存储、维护、检查、更换都需要投入大量人力，且单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器规格更新迅速，一旦规格更换，相应配套的治具从此闲置，存在较大的浪费。此外，人力资源主要消耗在上料下料中，人力的使用存在浪费，且一旦出现制程中异常，带有工艺缺陷的半成品混入下一工序，其分选将极为困难，为减少人工及治具浪费，提升生产效率，本专利技术提出一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法，通过制造工序的设计，可有效减少人工、治具消耗，提升生产效率、同时降低产品工艺控制难度。为了实现上述专利技术的目的，本专利技术采用以下技术方案实现：一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法，其特征在于包括以下步骤：1)陶瓷基板制备，制备包含未分割的多片单片基体的整块基片板。2)陶瓷基板电极化，根据预备制造的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器规格，按一定间距在整块陶瓷基片板上制备出多个电极。3)陶瓷基片切割，按预备制造的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器规格，将电极化后的陶瓷基板切割成单个的带电极的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器陶瓷芯片。4)焊接，在单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器陶瓷芯片电极上焊接外接引线。5)涂覆，焊接引线后的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器芯片涂覆环氧树脂绝缘层，绝缘层包裹陶瓷芯片、焊锡及部分引线。6)打印、测试，在环氧树脂层打印标识，并按国家标准测试性能。其中，步骤1)中的陶瓷基板可以是陶瓷基板内部无间隙的立方体形结构。作为另一种方案，步骤1)中的陶瓷基板可以是多个单片陶瓷基片间采用纵向、横向陶瓷短柱连接形成的网格结构。其中，步骤2)中的陶瓷基板电极化可采用印刷烧结法，在陶瓷基板正反两面对称位置印刷出多块互相不连通的导电浆料区域，烧结后形成电极。作为另一种方案，步骤2)中的陶瓷基板电极化可采用磁控溅射法，在陶瓷基板正反两面覆盖掩膜板后，暴露出多块互不连通且在陶瓷基板正反两面位置对称的陶瓷基板区域，溅射金属靶材，形成电极。作为另一种方案，步骤2)中的陶瓷基板电极化可采用喷墨打印法，在陶瓷基板正反两面位置对称的区域直接打印电子墨水及催化剂，使电子墨水中的金属盐还原并沉积，形成电极。其中，步骤3)中的陶瓷基板切割方式可采用常规机械切割，采用金刚石切刀切割，将陶瓷基板切割成多个单片的陶瓷芯片。作为另一种方案，步骤3)中的陶瓷基板切割方式可采用水刀切割。作为另一种方案，步骤3)中的陶瓷基板切割方式可采用激光切割。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术采用先制备整块陶瓷板，再电极化后切割为单片的方式，在烧结、电极化的工序中，相比原有工艺形式，本专利技术中多片单片的陶瓷基片以连接为整块陶瓷基板的形式已实现集中，无需生片排钵、印刷排版、掩膜排版中将多个单片排入载具的工艺动作，只需整片放入、卸下，上下料效率显著提升。本专利技术制备的陶瓷基板均为未分割成单片陶瓷基片的形式，陶瓷基板制备后，可根据客户需求，灵活调整电极化位置及基片切割尺寸，形成需要的规格，可避免部分企业存在的电子元件按某一规格尺寸制备库存，市场需求发生变化，此尺寸产品淘汰，原有库存无法处理的问题。同时，采用陶瓷基板的形式，物料上料、下料可按生产顺序放置，生产过程中一旦发现工艺缺陷，可按区段有效隔离不良品，无需整体分选，有利于提高生产效率。在叠层电容器中，同样使用切割方式，但其工艺中切割的是延流叠层后的陶瓷生片，其各层生片中已印刷电极，相应规格已固定，无法通过切割改变产品规格尺寸，本专利技术采用制备单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器陶瓷基体后电极化的工艺路线，可根据需要，调整电极位置及尺寸，自由选择最终陶瓷芯片的规格。本专利技术中陶瓷基板为同一规格，工序中无需生片摇板的治具，基板的承载底板也只需同种规格，可大幅减少治具用量，并减少单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器规格尺寸废止后治具弃用的情况，减少治具浪费。电极化制程中所用的掩膜板或印刷网版的电极位置与预备切割的陶瓷基片尺寸相关，一旦出现陶瓷基片规格废弃，相应掩膜板或印刷网版也会闲置，对于规格废弃风险高、非通用的陶瓷基片规格，可采用喷墨打印法制备电极，其无需相应掩膜板或印刷网版，可按设定间距在陶瓷基板上直接打印电子墨水形成电极，规避治具废弃风险。对于因陶瓷材质或厚度原因易于出现切割开裂、且切割后陶瓷基片规格尺寸废弃可能性小的陶瓷基板，可采用基板内部存在间隙、各单片基片间通过陶瓷短柱连接的结构，或采用激光、水刀切割方式，以避免过长的切割时间及机械切割震动可能引起的基板开裂、陶瓷元件边缘破损不良。附图说明图1是本专利技术一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法的工艺流程图。图2是本专利技术一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法的一种陶瓷基板结构。图3是本专利技术一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法的一种陶瓷基板网格状结构。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式进一步说明：实施例1，参见附图1、2所示，本专利技术一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法用于制备氧化锌压敏电阻器的具体工艺流程如下：1)制备氧化锌压敏电阻器的陶瓷基板：氧化锌陶瓷粉料经冲压模具成型，形成立方体形单张陶瓷基板生片，陶瓷基板生片整张放入匣钵，烧结形成氧化锌陶瓷基板001，氧化锌陶瓷基板001为无缝隙的立方体形结构，陶瓷基板001的厚度根据压敏电阻器设计达到的通流能力确定。2)压敏电阻器陶瓷基板001电极化：压敏电阻器陶瓷基板001表面强风清洁，表面覆盖掩膜板，掩膜板为两块表面开出多个平行排列的方形窗口且相对扣紧后方形窗口位置对称的不锈钢板，掩膜板电极尺寸及间距根据预备制作的单片压敏电阻器芯片规格尺寸确定，覆盖掩膜板的压敏电阻陶瓷基板001进入磁控溅射机溅射形成方形金属电极。3)陶瓷基片001切割：沿陶瓷基板001同一表面中相邻两电极的中线切割，通过金刚石砂轮刀将陶瓷基板切割为多片单片压敏电阻器芯片。4)焊接：在切割后的单片压敏电阻器芯片电极上焊接外接引线。5)涂覆：焊接引线后的压敏电阻器芯片涂覆环氧树脂绝缘层，绝缘层包裹芯片、焊锡及部分引线。6)打印、测试：在环氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法，其特征在于包括以下步骤：1)陶瓷基板制备，制备包含未分割的多片单片基体的整块基片板。2)陶瓷基板电极化，根据预备制造的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器规格，按一定间距在整块陶瓷基片板上制备出多个电极。3)陶瓷基片切割，按预备制造的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器规格，将电极化后的陶瓷基板切割成单个的带电极的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器陶瓷芯片。4)焊接，在单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器陶瓷芯片电极上焊接外接引线。5)涂覆，焊接引线后的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器芯片涂覆环氧树脂绝缘层，绝缘层包裹陶瓷芯片、焊锡及部分引线。6)打印、测试，在环氧树脂层打印标识，并按国家标准测试性能。

【技术特征摘要】
1.一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法，其特征在于包括以下步骤：1)陶瓷基板制备，制备包含未分割的多片单片基体的整块基片板。2)陶瓷基板电极化，根据预备制造的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器规格，按一定间距在整块陶瓷基片板上制备出多个电极。3)陶瓷基片切割，按预备制造的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器规格，将电极化后的陶瓷基板切割成单个的带电极的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器陶瓷芯片。4)焊接，在单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器陶瓷芯片电极上焊接外接引线。5)涂覆，焊接引线后的单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器芯片涂覆环氧树脂绝缘层，绝缘层包裹陶瓷芯片、焊锡及部分引线。6)打印、测试，在环氧树脂层打印标识，并按国家标准测试性能。2.根据权利要求1所述的一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法，其特征在于，所述的陶瓷基板可以是陶瓷基板内部无间隙的立方体形结构。3.根据权利要求1所述的一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法，其特征在于，所述的陶瓷基板可以是多个单片陶瓷基片间采用纵向、横向陶瓷短柱连接形成的网格结构。4.根据权利要求1所述的一种单层陶瓷电容器或单层压敏电阻器的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟力，沈昆岚，阙华昌，李国正，徐晓，
申请(专利权)人：昆山萬豐電子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32