一种像素驱动电路、显示装置和驱动方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种像素驱动电路、显示装置和驱动方法，其中像素驱动电路包括控制单元、充电单元、驱动单元和发光单元；控制单元与数据线和控制线连接，控制单元通过第一节点、第二节点与驱动单元连接，充电单元通过第一节点、第三节点与驱动单元连接，驱动单元与发光单元的一端连接，发光单元的另一端与第一电源或者第二电源连接，驱动单元包括第一薄膜晶体管，控制单元通过第一节点和第三节点控制第一薄膜晶体管对充电单元进行充电，充电单元通过第一节点为驱动单元提供电压以驱动发光单元发光，驱动单元仅包括第一薄膜晶体管，有利于减少电源负载、降低功耗，且无需增加其它信号控制线，电路结构更加简单，有利简化制造工艺和提高良率。

【技术实现步骤摘要】
一种像素驱动电路、显示装置和驱动方法
本专利技术涉及电子电路
，特别是涉及一种像素驱动电路、显示装置和驱动方法。
技术介绍
随着显示技术的进步，越来越多的有源矩阵有机发光二极管AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode)显示面板进入市场，相对于传统的薄膜晶体管液晶显示面板，AMOLED具有更快的反应速度，更高的对比度，更广的视角以及更薄的模组等优点越来越受到面板厂商的重视。现有像素驱动电路的结构如图1所示，包括第一薄膜晶体管1、第二薄膜晶体管2、第三薄膜晶体管3、第四薄膜晶体管4、存储电容5、第一电源Vdd、第二电源Vss、数据线I_oled、控制线G_N、控制信号线S1构成，该驱动电路的工作原理如下：在写入阶段，控制线G_N为高电平，第二薄膜晶体管2和第三薄膜晶体管3开启，数据线I_oled的信号电流I_oled经由第二薄膜晶体管2和第三薄膜晶体管3写入到第一薄膜晶体管1的栅极，通过第一薄膜晶体管1的源极对存储电容5充电，控制信号线S1为低电平，第四薄膜晶体管4关闭，第一电源Vdd与第二电源Vss无法形成回路，因此OLED6不发光；在发光阶段，控制线G_N为低电平，第二薄膜晶体管2和第三薄膜晶体管3关闭，由于存储电容5的电荷保持作用，第一薄膜晶体管1的处于饱和开启状态，控制信号线S1为高电平，第四薄膜晶体管4开启，第一电源Vdd与第二电源Vss形成回路，信号电流I_oled被完全复制为驱动信号电流，提供给OLED6发光。可见，由于第四薄膜晶体管4在线性开启时，产生电阻R，在OLED持续发光时，其消耗的电能为I2R，其中I＝I_oled，因此对于每个OLED像素，都有一个电阻R存在，这样就造成整个OLED面板功率的损耗，另一方面，第四薄膜晶体管4设置有控制信号线S1，使得信号线数量增加，造成OLED显示器走线复杂，生产良率降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素驱动电路、显示装置和驱动方法，以解决现有的像素驱动电路功耗高，OLED显示器走线复杂，生产良率低的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种像素驱动电路，包括：控制单元、充电单元、驱动单元和发光单元；所述控制单元与数据线和控制线连接，所述控制单元通过第一节点、第二节点与所述驱动单元连接；所述充电单元通过所述第一节点和第三节点与所述驱动单元连接；所述驱动单元与所述发光单元的一端连接，所述发光单元的另一端与第一电源或者第二电源连接；其中，所述驱动单元包括第一薄膜晶体管；所述控制单元通过所述第一节点和所述第三节点控制所述第一薄膜晶体管对所述充电单元进行充电，所述充电单元通过所述第一节点为所述驱动单元提供电压，所述驱动单元驱动所述发光单元发光。优选地，所述充电单元包括存储电容，所述存储电容的一端连接所述第一节点，所述存储电容的另一端连接所述第三节点，所述第三节点连接所述第二电源。优选地，所述驱动单元的第一薄膜晶体管的栅极与所述第一节点连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述第三节点连接；所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二节点连接。优选地，所述发光单元包括发光器件，所述发光器件的阴极与所述第二节点连接，所述发光器件的阳极与所述第一电源连接。优选地，所述控制单元包括：第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第三薄膜晶体管的栅极相连，并连接所述控制线；所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述数据线；所述第二薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第一节点连接；所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二节点连接。优选地，所述控制单元还包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第三薄膜晶体管的栅极相连；所述第四薄膜晶体管的源极与所述第二节点连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第一电源连接。优选地，所述驱动单元包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第三薄膜晶体管的栅极和所述第四薄膜晶体管的栅极相连，并连接所述控制线；所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述数据线；所述第二薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第一节点连接；所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二节点连接；所述第二节点与所述第一电源连接；所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第三节点连接，所述第四薄膜晶体管的源极与所述第二电源连接。优选地，所述发光单元包括发光器件，所述发光器件的阳极与所述第三节点连接，所述发光器件的阴极与所述第二电源连接。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的像素驱动电路。为了解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种像素驱动电路的驱动方法，所述驱动方法基于像素驱动电路，所述像素驱动电路包括控制单元、充电单元、驱动单元和发光单元，所述驱动方法包括：所述控制单元控制所述驱动单元对所述充电单元进行充电；所述充电单元为所述驱动单元提供电压驱动所述发光单元发光。优选地，所述控制单元包括第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，所述驱动单元包括第一薄膜晶体管，所述充电单元包括存储电容，所述控制单元控制所述驱动单元对所述充电单元进行充电包括：所述控制线提供高电平，所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管开启；所述数据线提供信号电流，所述信号电流通过所述第一薄膜晶体管的栅极和源极对所述存储电容充电。优选地，所述充电单元为所述驱动单元提供电压驱动所述发光单元发光包括：所述控制线提供低电平，所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管关闭；所述存储电容为所述第一薄膜晶体管提供高电平，所述第一薄膜晶体管开启；所述第一电源提供高电平，所述发光单元发光。优选地，所述控制单元包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，所述驱动单元包括第一薄膜晶体管，所述充电单元包括存储电容，所述控制单元控制所述驱动单元对所述充电单元进行充电包括：所述控制线提供高电平，所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管开启；所述数据线提供信号电流，所述信号电流通过所述第一薄膜晶体管的栅极和源极对所述存储电容充电。优选地，所述充电单元为所述驱动单元提供电压驱动所述发光单元发光包括：所述控制线提供低电平，所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管关闭；所述存储电容为所述第一薄膜晶体管提供高电平，所述第一薄膜晶体管开启；所述第一电源提供高电平，所述发光单元发光。本专利技术实施例的像素驱动电路，包括控制单元、充电单元、驱动单元和发光单元，控制单元与数据线和控制线连接，控制单元通过第一节点、第二节点与驱动单元连接，充电单元通过第一节点、第三节点与驱动单元连接，驱动单元与发光单元的一端连接，发光单元的另一端与第一电源或者第二电源连接，其中，驱动单元包括第一薄膜晶体管，控制单元通过第一节点和第三节点控制第一薄膜晶体管对充电单元进行充电，充电单元通过第一节点为驱动单元提供电压，驱动单元驱动发光单元发光，本专利技术实施例的驱动单元仅包括第一薄膜晶体管，因此有利于减少电源负载、降低功耗；另外，由于只有控制线和数据线，不需要增加其它信号控制线，电路结构走线更加简单，有利简化制造工艺和提高良率。附图说明图1是现有像素驱动电路的结构示意图；图2是本专利技术实施例一的一种像素驱动电路的示意图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素驱动电路，其特征在于，包括：控制单元、充电单元、驱动单元和发光单元；所述控制单元与数据线和控制线连接，所述控制单元通过第一节点、第二节点与所述驱动单元连接；所述充电单元通过所述第一节点和第三节点与所述驱动单元连接；所述驱动单元与所述发光单元的一端连接，所述发光单元的另一端与第一电源或者第二电源连接；其中，所述驱动单元包括第一薄膜晶体管；所述控制单元通过所述第一节点和所述第三节点控制所述第一薄膜晶体管对所述充电单元进行充电，所述充电单元通过所述第一节点为所述驱动单元提供电压，所述驱动单元驱动所述发光单元发光。

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：控制单元、充电单元、驱动单元和发光单元；所述控制单元与数据线和控制线连接，所述控制单元通过第一节点、第二节点与所述驱动单元连接；所述充电单元通过所述第一节点和第三节点与所述驱动单元连接；所述驱动单元与所述发光单元的一端连接，所述发光单元的另一端与第一电源或者第二电源连接；其中，所述驱动单元包括第一薄膜晶体管；所述控制单元通过所述第一节点和所述第三节点控制所述第一薄膜晶体管对所述充电单元进行充电，所述充电单元通过所述第一节点为所述驱动单元提供电压，所述驱动单元驱动所述发光单元发光。2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述充电单元包括存储电容，所述存储电容的一端连接所述第一节点，所述存储电容的另一端连接所述第三节点，所述第三节点连接所述第二电源。3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动单元的第一薄膜晶体管的栅极与所述第一节点连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述第三节点连接；所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二节点连接。4.根据权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述发光单元包括发光器件，所述发光器件的阴极与所述第二节点连接，所述发光器件的阳极与所述第一电源连接。5.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述控制单元包括：第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第三薄膜晶体管的栅极相连，并连接所述控制线；所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述数据线；所述第二薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第一节点连接；所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二节点连接。6.根据权利要求5所述的像素驱动电路，其特征在于，所述控制单元还包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第三薄膜晶体管的栅极相连；所述第四薄膜晶体管的源极与所述第二节点连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第一电源连接。7.根据权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动单元包括第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第三薄膜晶体管的栅极和所述第四薄膜晶体管的栅极相连，并连接所述控制线；所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述数据线；所述第二薄膜晶体管的源极、所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第一节点连接；所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二节点连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡祖权，王锡平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11