快速执行器驱动电路及快速执行器制造技术

本发明专利技术揭示了一种快速执行器驱动电路及快速执行器，包括BOOST升压模块、高压电源模块、第一高边驱动模块、执行器负载模块、单片机、信号调整模块和低边驱动模块，BOOST升压模块分别与高压电源模块和单片机电连接；第一高边驱动模块分别与高压电源模块、执行负载模块和单片机电连接；低边驱动模块分别与执行负载模块和信号调整模块电连接；信号调整模块还与单片机电连接。本发明专利技术提供一种快速执行器驱动电路及快速执行器，通过增加低边驱动模块提高工作反应动作的速度，降低反应时间；通过设置电流信号调整模块，提高监测的精度是工作反应更准确；通过添加低压电源模块和第二高边驱动模块，使电路工作适用范围更广。

【技术实现步骤摘要】
快速执行器驱动电路及快速执行器
本专利技术涉及电子信息领域，特别是涉及到一种快速执行器驱动电路及快速执行器。
技术介绍
驱动电路(DriveCircuit)，位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路。驱动电路的基本任务，就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号，以保证器件按要求可靠导通或关断。执行器(finalcontrollingelement)是自动化技术工具中接收控制信息并对受控对象施加控制作用的装置。执行器也是控制系统正向通路中直接改变操纵变量的仪表，由执行机构和调节机构(包括驱动电路和机构组件)组成。随着市场需求越来越严格化，以及电子技术的快速发展推动了执行器数字化和智能化发展的步伐，而与之对应的驱动电路的反应时间也倍受关注，传统的驱动电路反应动作慢，时间长，不能及时满足系统的反应需求。
技术实现思路
本专利技术的主要目的为提供一种快速执行器驱动电路，以解决工作反应动作慢，时间长的问题。本专利技术提出一种快速执行器驱动电路，包括BOOST升压模块、高压电源模块、第一高边驱动模块、执行器负载模块、单片机、信号调整模块和低边驱动模块，上述BOOST升压模块分别与上述高压电源模块和单片机电连接；上述第一高边驱动模块分别与上述高压电源模块、执行负载模块和单片机电连接；上述低边驱动模块分别与上述执行负载模块和信号调整模块电连接；上述信号调整模块还与上述单片机电连接；上述低边驱动模块接收上述执行器负载模块的采样信号，并将其放大预设倍数后得到电平信号，发送上述电平信号至上述信号调整模块，上述信号调整模块接收到电平信号后生成调整信号，并发送至上述单片机，上述单片机根据接收到的调整信号，控制上述BOOST升压模块对上述高压电源模块进行升压，上述高压电源模块升压后生成高电平作为上述第一高边驱动模块的驱动电源，上述第一高边驱动模块还根据接收到的上述单片机的操作信号生成斩波，并发送至上述执行器负载模块。进一步地，上述的快速执行器驱动电路，还包括低压电源模块和第二高边驱动模块，上述第二高边驱动模块分别与上述低压电源模块、单片机和执行器负载模块电连接；上述低压电源模块生成低电平作为上述第二高边驱动模块的驱动电源，上述第二高边驱动模块还根据接收到的上述单片机的操作信号生成斩波，并发送至上述执行器负载模块。进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述低压电源模块提供的工作电压为24V。进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述第二高边驱动模块和第一高边驱动模块电路结构相同。进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述第一高边驱动模块包括驱动芯片U1、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4上述二极管D1分别与上述驱动芯片U1的端口VCC和端口VB连接，其中二极管D1的正极与端口VCC连接；上述电阻R1设于上述二极管D1与端口VCC之间；上述驱动芯片U1还通过端口VCC与上述压电源模块连接；上述二极管D2分别与上述驱动芯片U1的端口VS和端口VB连接，其中二极管D2的正极与端口VS连接；上述电容C1分别与上述驱动芯片U1的端口VS和端口VB连接；上述驱动芯片U1的端口HO通过上述电阻R2与上述执行器负载模块连接；上述二极管D3并联于上述电阻R2的两端，且上述二极管D3的负极连接于上述端口HO和电阻R2之间；上述电阻R3分别与上述驱动芯片U1的端口VS和端口CS连接；上述电容C2分别与上述驱动芯片U1的端口VCC和端口COM连接；上述驱动芯片U1还通过端口CS和端口VS与上述执行器负载模块连接；上述电阻R4分别与上述驱动芯片U1的端口IN和端口COM连接；上述驱动芯片U1还通过端口IN与上述单片机连接。进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述信号调整模块包括电流信号调整模块。进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述电流信号调节模块包括电阻R6、电阻R7、采样电阻R8、电阻R9、三极管Q1、放大器A1、补偿电路U7和驱动门U8，上述三极管Q1的基极与放大器A1的输出端连接；上述三极管Q1的集电极与放大器A1的正相输入端连接，上述放大器A1的正相输入端还通过上述电阻R9与上述采样电阻R8连接；上述放大器A1的反相输入端通过上述补偿电路U7与地线连接，上述放大器A1的反相输入端还通过上述电阻R6与上述采样电阻R8连接；上述三极管Q1的发射极通过电阻R7与地线连接，且，上述三极管Q1的发射极还与驱动门U8的一端连接；进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述低边驱动模块包括电阻R5、电极管D4、电极管D5、电极管D6、电极管D7、电流源U2、电流源U3、倒相放大器U4、倒相放大器U5、倒相放大器U6、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4，上述MOS管M1的栅极与漏极连接，且上述电阻R5、二极管D4和驱动门U4依次串联于上述MOS管M1的栅极和漏极之间，其中，上述二极管D4的正极与上述电阻R5连接；上述MOS管M1的栅极通过上述二极管D5与源极连接，其中上述二极管D5的正极与上述MOS管M1的源极连接；上述MOS管M1的栅极还通过电阻R5与上述执行器负载模块连接；上述MOS管M1的漏极与MOS管M2的漏极连接，上述MOS管M2的漏极通过上述倒相放大器U4与M2栅极连接，其中上述倒相放大器U4的输入端与上述MOS管M2的漏极连接；上述MOS管M2的源极通过上述电流源U3与电流源U2连接，上述MOS管M2的源极还通过上述电流源U3与上述MOS管M3的源极连接；上述MOS管M2的栅极依次与倒相放大器U5和倒相放大器U6连接；上述MOS管M3和MOS管M4的栅极分别与上述倒相放大器U6连接；上述MOS管M3的源极通过上述二极管D6和二极管D7与上述MOS管M4的源极连接；上述MOS管M3的漏极与上述MOS管M4的漏极连接，并与上述信号调整模块连接；上述MOS管M3的源极还与上述执行器负载模块连接。进一步地，上述的快速执行器驱动电路，上述BOOST升压模块包括处理芯片U9、电感器LBOOST、电感器LINPUT、二极管DBOOST、MOS管M5、电阻RCS、电阻RFBL、电阻RFBH，上述处理芯片U9的端口SWO与上述MOS管M5的栅极连接；上述处理芯片U9的端口SWCS与上述MOS管M5的源极连接，并通过上述电阻RCS与地线连接；上述处理芯片U9的端口SGND连接于上述电阻RCS与地线之间；上述处理芯片U9的端口FB通过上述电阻RFBH与上述高压电源模块连接，通过上述电阻RFBL与地线连接；上述处理芯片U9的端口IN通过上述电感器LINPUT与上述内部电源连接，且上述处理芯片U9的端口IN与上述电感器LBOOST连接；上述处理芯片U9的端口EN和端口SYNC与上述单片机连接；上述MOS管M5的漏极通过上述二极管DBOOST与上述高压电源模块连接，其中，上述二极管的负极与上述高压电源模块连接，上述MOS管M5的漏极还与上述电感器LBOOST连接。一种快速执行器，包括任意一项上述的快速执行器驱动电路。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速执行器驱动电路，其特征在于，包括BOOST升压模块、高压电源模块、第一高边驱动模块、执行器负载模块、单片机、信号调整模块和低边驱动模块，所述BOOST升压模块分别与所述高压电源模块和单片机电连接；所述第一高边驱动模块分别与所述高压电源模块、执行负载模块和单片机电连接；所述低边驱动模块分别与所述执行负载模块和信号调整模块电连接；所述信号调整模块还与所述单片机电连接；所述低边驱动模块接收所述执行器负载模块的采样信号，并将其放大预设倍数后得到电平信号，发送所述电平信号至所述信号调整模块，所述信号调整模块接收到电平信号后生成调整信号，并发送至所述单片机，所述单片机根据接收到的调整信号，控制所述BOOST升压模块对所述高压电源模块进行升压，所述高压电源模块升压后生成高电平作为所述第一高边驱动模块的驱动电源，所述第一高边驱动模块还根据接收到的所述单片机的操作信号生成斩波，并发送至所述执行器负载模块。

【技术特征摘要】
1.一种快速执行器驱动电路，其特征在于，包括BOOST升压模块、高压电源模块、第一高边驱动模块、执行器负载模块、单片机、信号调整模块和低边驱动模块，所述BOOST升压模块分别与所述高压电源模块和单片机电连接；所述第一高边驱动模块分别与所述高压电源模块、执行负载模块和单片机电连接；所述低边驱动模块分别与所述执行负载模块和信号调整模块电连接；所述信号调整模块还与所述单片机电连接；所述低边驱动模块接收所述执行器负载模块的采样信号，并将其放大预设倍数后得到电平信号，发送所述电平信号至所述信号调整模块，所述信号调整模块接收到电平信号后生成调整信号，并发送至所述单片机，所述单片机根据接收到的调整信号，控制所述BOOST升压模块对所述高压电源模块进行升压，所述高压电源模块升压后生成高电平作为所述第一高边驱动模块的驱动电源，所述第一高边驱动模块还根据接收到的所述单片机的操作信号生成斩波，并发送至所述执行器负载模块。2.根据权利要求1所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，还包括低压电源模块和第二高边驱动模块，所述第二高边驱动模块分别与所述低压电源模块、单片机和执行器负载模块电连接；所述低压电源模块生成低电平作为所述第二高边驱动模块的驱动电源，所述第二高边驱动模块还根据接收到的所述单片机的操作信号生成斩波，并发送至所述执行器负载模块。3.根据权利要求2所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述低压电源模块提供的工作电压为24V。4.根据权利要求2所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述第二高边驱动模块和第一高边驱动模块电路结构相同。5.根据权利要求4所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述第一高边驱动模块包括驱动芯片U1、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4所述二极管D1分别与所述驱动芯片U1的端口VCC和端口VB连接，其中二极管D1的正极与端口VCC连接；所述电阻R1设于所述二极管D1与端口VCC之间；所述驱动芯片U1还通过端口VCC与所述压电源模块连接；所述二极管D2分别与所述驱动芯片U1的端口VS和端口VB连接，其中二极管D2的正极与端口VS连接；所述电容C1分别与所述驱动芯片U1的端口VS和端口VB连接；所述驱动芯片U1的端口HO通过所述电阻R2与所述执行器负载模块连接；所述二极管D3并联于所述电阻R2的两端，且所述二极管D3的负极连接于所述端口HO和电阻R2之间；所述电阻R3分别与所述驱动芯片U1的端口VS和端口CS连接；所述电容C2分别与所述驱动芯片U1的端口VCC和端口COM连接；所述驱动芯片U1还通过端口CS和端口VS与所述执行器负载模块连接；所述电阻R4分别与所述驱动芯片U1的端口IN和端口COM连接；所述驱动芯片U1还通过端口IN与所述单片机连接。6.根据权利要求1所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述信号调整模块包括电流信号调整模块。7.根据权利要求6所述的快速执行器驱动电路，其特征在于，所述电流信号调节模块包括电阻R6、电阻R7、采样电阻R8、电阻R9、三极管Q1、放大器A1、补偿电路U7和驱动门U8...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭小华，刘建华，
申请(专利权)人：深圳市甲骨文气流控制系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44