一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括：栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出多个像素区域，所述阵列基板还包括多层绝缘层，所述多层绝缘层中包括至少一层镂空绝缘层，所述镂空绝缘层位于所述像素区域内的部分具有镂空区域，从而可减少像素区域内的绝缘层对光线透过率的影响，提高显示品质。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
随着液晶显示面板产业的日益成熟和发展，高品质液晶显示面板的需求越来越迫切，包括亮度、对比度以及分辨率等方面。而就目前的工艺制程来看，较低透过率成了高分辨率产品提高显示品质的瓶颈所在。尤其是ADS(高级超维场转换技术)模式的液晶显示面板，该种液晶显示面板的阵列基板中，包括多层绝缘层，例如栅绝缘层，源漏金属层与第一透明电极层之间的绝缘层，第一透明电极层与第二透明电极层之间的绝缘层，当该阵列基板中的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，阵列基板还包括栅金属层与源漏金属层之间的绝缘层，可见，阵列基板上具有多层绝缘层，多层绝缘层会造成阵列基板的透过率损失，影响显示品质。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用于解决阵列基板上因多层绝缘层影响透过率的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出多个像素区域，所述阵列基板还包括多层绝缘层，所述多层绝缘层中包括至少一层镂空绝缘层，所述镂空绝缘层位于所述像素区域内的部分具有镂空区域。优选地，所述阵列基板包括栅绝缘层，所述镂空绝缘层包括所述栅绝缘层。优选地，所述阵列基板包括源漏金属层、第一透明电极层和位于所述源漏金属层和第一透明电极层之间的第二绝缘层，所述镂空绝缘层包括所述第二绝缘层。优选地，所述阵列基板为顶栅型阵列基板，所述阵列基板包括源漏金属层、栅金属层和位于所述栅金属层和源漏金属层之间的第一绝缘层，所述镂空绝缘层包括所述第一绝缘层。优选地，所述阵列基板还包括：有源层，所述第一绝缘层在所述源漏金属层与所述有源层的搭接位置处具有镂空区域。优选地，所述镂空绝缘层在所述像素区域内全部镂空。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，包括：形成栅金属层、源漏金属层和多层绝缘层，其中，所述栅金属层包括栅线，所述源漏金属层包括数据线，所述栅线和数据线限定出多个像素区域，所述多层绝缘层中包括至少一层镂空绝缘层，所述镂空绝缘层位于所述像素区域内的部分具有镂空区域。优选地，形成多层绝缘层的步骤包括：形成栅绝缘层，所述镂空绝缘层包括所述栅绝缘层。优选地，所述制作方法还包括：形成第一透明电极层；形成多层绝缘层的步骤包括：形成位于源漏金属层和第一透明电极层之间的第二绝缘层，所述镂空绝缘层包括所述第二绝缘层。优选地，所述阵列基板为顶栅型阵列基板，形成多层绝缘层的步骤包括：形成位于所述栅金属层和源漏金属层之间的第一绝缘层，所述镂空绝缘层包括所述第一绝缘层。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：在阵列基板的像素区域内，将至少一层绝缘层设置为镂空，从而可减少像素区域内的绝缘层对光线透过率的影响，提高显示品质。附图说明图1为现有技术中的一ADS模式的阵列基板的结构示意图；图2和图3为本专利技术实施例中的一ADS模式的阵列基板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出多个像素区域，所述阵列基板还包括多层绝缘层，其中，所述多层绝缘层中包括至少一层镂空绝缘层，所述镂空绝缘层位于所述像素区域内的部分具有镂空区域。本专利技术实施例中，在阵列基板的像素区域内，将至少一层绝缘层设置为镂空，从而可减少像素区域内的绝缘层对光线透过率的影响，提高显示品质。本专利技术实施例中，镂空绝缘层位于像素区域内的部分具有镂空区域可以是指在每一像素区域内，镂空绝缘层均具有镂空区域。当然，也不排除以下情况，即，在部分像素区域内，镂空绝缘层具有镂空区域，在另一部分像素区域内，镂空绝缘层不具有镂空区域。本专利技术实施例中的阵列基板包括栅绝缘层，优选地，所述镂空绝缘层可以包括所述栅绝缘层，也就是说，所述栅绝缘层位于像素区域内的部分具有镂空区域，从而减少像素区域内栅绝缘层对光线透过率的影响，提高显示品质。本专利技术实施例中的阵列基板包括源漏金属层、第一透明电极层和位于所述源漏金属层和第一透明电极层之间的第二绝缘层，所述源漏金属层可以包括源电极、漏电极和数据线。所述第一透明电极层可以是像素电极层，也可以是公共电极层。优选地，所述镂空绝缘层可以包括所述第二绝缘层，也就是说，所述第二绝缘层位于像素区域内的部分具有镂空区域，从而减少像素区域内第二绝缘层对光线透过率的影响，提高显示品质。优选地，所述漏电极通过所述第二绝缘层位于像素区域内的镂空区域与像素电极层搭接，即无需在第二绝缘层上单独制作用于连接漏电极和像素电极层的过孔，从而不需要增加掩膜版的数量，实现成本低。当然，在本专利技术的其他一些实施例中，所述镂空绝缘层可以同时包括上述栅绝缘层和第二绝缘层，从而可进一步减少像素区域内绝缘层对光线透过率的影响，提高显示品质。当本专利技术实施例的阵列基板为顶栅型阵列基板时，所述阵列基板包括源漏金属层、栅金属层和位于所述栅金属层和源漏金属层之间的第一绝缘层，所述源漏金属层可以包括源电极、漏电极和数据线，所述栅金属层可以包括栅电极和栅线，优选地，所述镂空绝缘层包括所述第一绝缘层，也就是说，所述第一绝缘层位于像素区域内的部分具有镂空区域，从而减少像素区域内第一绝缘层对光线透过率的影响，提高显示品质。当然，在本专利技术的其他一些实施例中，所述镂空绝缘层还可以包括上述栅绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的任意两个或三个，从而可进一步减少像素区域内绝缘层对光线透过率的影响，提高显示品质。上实施例中的阵列基板还包括有源层，优选地，所述第一绝缘层在所述源漏金属层与所述有源层的搭接位置处具有镂空区域，从而实现源漏金属层与有源层的连接，所述第一绝缘层的在源漏金属层与有源层的搭接位置处的镂空区域与像素区域内其他位置处的镂空区域可采用一次构图工艺形成，从而无需在第一绝缘层上单独制作用于连接源漏金属层与有源层的过孔。优选地，所述第一绝缘层的在源漏金属层与有源层的搭接位置处的镂空区域与像素区域内其他位置处的镂空区域连通在一起。本专利技术实施例中，优选地，所述镂空绝缘层在所述像素区域内全部镂空，从而可最大化的减少镂空绝缘层对透过率的影响，提高显示品质。本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。所述显示装置可以为显示面板，或者包括显示面板和驱动电路的显示器件。优选地，所述显示装置为液晶显示装置。本专利技术实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括：形成栅金属层、源漏金属层和多层绝缘层，其中，所述栅金属层包括栅线，所述源漏金属层包括数据线，所述栅线和数据线限定出多个像素区域，所述多层绝缘层中包括至少一层镂空绝缘层，所述镂空绝缘层位于所述像素区域内的部分具有镂空区域。在本专利技术的一些实施例中，所述形成多层绝缘层的步骤包括：形成栅绝缘层，所述镂空绝缘层包括所述栅绝缘层。在本专利技术的一些实施例中，所述阵列基板的制作方法还包括：形成第一透明电极层；所述形成多层绝缘层的步骤包括：形成位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出多个像素区域，所述阵列基板还包括多层绝缘层，其特征在于，所述多层绝缘层中包括至少一层镂空绝缘层，所述镂空绝缘层位于所述像素区域内的部分具有镂空区域。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出多个像素区域，所述阵列基板还包括多层绝缘层，其特征在于，所述多层绝缘层中包括至少一层镂空绝缘层，所述镂空绝缘层位于所述像素区域内的部分具有镂空区域。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括栅绝缘层，所述镂空绝缘层包括所述栅绝缘层。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括源漏金属层、第一透明电极层和位于所述源漏金属层和第一透明电极层之间的第二绝缘层，所述镂空绝缘层包括所述第二绝缘层。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为顶栅型阵列基板，所述阵列基板包括源漏金属层、栅金属层和位于所述栅金属层和源漏金属层之间的第一绝缘层，所述镂空绝缘层包括所述第一绝缘层。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：有源层，所述第一绝缘层在所述源漏金属层与所述有源层的搭接位置处具有镂空区域。6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述镂空绝缘层在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洁，杨璐，史大为，樊君，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11