薄膜晶体管基板及其制造方法技术

提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法。所述薄膜晶体管基板包括：第二电极，所述第二电极在共享接触孔内连接至第一电极；和第四电极，所述第四电极在所述共享接触孔内连接至第三电极，其中所述共享接触孔穿透多个堆叠的绝缘层，并且其中位于所述第一电极与所述第二电极的连接部以及所述第三电极与所述第四电极的连接部中的至少一个连接部下方的绝缘层在所述共享接触孔内具有底切结构。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板及其制造方法
本公开内容涉及一种薄膜晶体管(TFT)基板及其制造方法，且更具体地，涉及一种消除了当在液晶显示器(LCD)中实现高分辨率时由单个像素的尺寸减小导致的开口率劣化的TFT基板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示器(LCD)通过利用电场调整液晶的透光率来显示图像。LCD根据驱动液晶的电场的方向而被划分为垂直取向(VA)LCD和面内切换(IPS)LCD。在VALCD中，形成于上基板上的公共电极和形成于下基板上的像素电极被设置成面向彼此，且扭曲向列(TN)模式液晶由在公共电极与像素电极之间形成的垂直场驱动。VALCD有利地具有较大开口率，但不利的是具有约90度的窄视角。在IPSLCD中，液晶由位于下基板上的设置成彼此平行的像素电极和公共电极之间的面内场以IPS模式被驱动。IPSLCD有利地具有宽视角，但不利的是具有比VALCD的开口率小的开口率。图1是图解根据相关技术的TFT基板的结构的平面图。图2是图1中所示的TFT基板沿线I-I’截取的截面图。参照图1和图2，相关技术的TFT基板包括位于透明下基板SUB上的彼此交叉的栅极线GL和数据线DL。彼此交叉的栅极线GL和数据线DL与插入两者之间的栅极绝缘层GI限定呈矩阵布置的像素区域。在像素区域的一侧上，设置有TFTT，TFTT包括从栅极线GL分支出来的栅极电极G、从数据线DL分支出来的源极电极S以及设置成与源极电极S以预定间隔隔开且面向源极电极S的漏极电极D。与栅极电极G交叠的半导体层A形成于栅极绝缘层GI上并覆盖栅极电极G。半导体层A的一侧与源极电极S接触，且半导体层A的另一侧与漏极电极D接触。用于保护元件的第一绝缘层PAS和用于平坦化的第二绝缘层PAC依次形成于TFTT上。由导电材料形成的像素电极PXL和公共电极COM形成于第二绝缘层PAC上。像素电极PXL经由穿透第二绝缘层PAC的像素接触孔PH与漏极电极D接触。此外，像素电极PXL具有梳齿结构，其中多个线段形状在像素区域内以预定的间隔平行布置。公共电极COM连接至与栅极线GL平行设置的公共线CL。公共线CL与栅极线GL形成于同一层上且由与栅极线GL相同的材料形成。公共电极COM经由穿透第一绝缘层PAS、第二绝缘层PAC和栅极绝缘层GI的公共接触孔CH连接至公共线CL。与下基板SUB的表面方向水平的面内场形成于像素电极PXL和公共电极COM之间，以驱动设置在下基板SUB上的液晶层。像素电极PXL的一部分被设置成与公共线CL交叠，在它们之间插入有栅极绝缘层GI、第一绝缘层PAS和/或第二绝缘层PAC。存储电容器形成于交叠区域中。为了电连接形成于相互不同的层上的线路和/或电极并施加相同的信号，形成穿透插入于电极之间的绝缘层的接触孔。也就是说，如上面提到的，像素接触孔PH形成为将像素电极PXL与漏极电极D电连接，公共接触孔CH形成为将公共电极COM与公共线CL电连接。接触孔PH和CH的每一个需要被设计成具有足够的区域，以防止将要电连接的线路和/或电极D、PXL、CL和COM接触不良。随着绝缘层PAS、PAC及GI变厚，穿透它们的接触孔PH和CH的区域增加。此外，当设置多个接触孔PH和CH时，接触孔PH和CH之间需要工艺余量。为了确保设置接触孔PH和CH的区域以及接触孔PH和CH之间的工艺余量区域，需要分配足够的空间。这样的空间是非开口的(或为非显示区域)，因此，空间的增加减小了开口率。此外，为了防止因接触孔PH和CH而产生的台阶导致产生光泄漏，在与之对应的区域中设置黑矩阵。在此，由于黑矩阵也是非开口的，因此黑矩阵导致开口率减小。在每英寸高像素显示装置中这些问题是严重的。也就是说，在具有高PPI的高分辨率显示装置中，单个像素的尺寸显著减小，因而，接触孔PH和CH等的尺寸显著带来开口率的减小。
技术实现思路
本公开内容的一个方面提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法，其具有数量减少的接触孔，以允许单个像素的尺寸相对较小的高分辨率显示装置能够确保充分的开口率。一种薄膜晶体管基板包括：第二电极，所述第二电极在共享接触孔内连接至第一电极；和第四电极，所述第四电极在所述共享接触孔内连接至第三电极，其中所述共享接触孔穿透多个堆叠的绝缘层，并且其中位于所述第一电极与所述第二电极的连接部以及所述第三电极与所述第四电极的连接部中的至少一个连接部下方的绝缘层在所述共享接触孔内具有底切结构。一种用于制造薄膜晶体管基板的方法包括：在基板上形成栅极电极和公共线；在所述栅极电极和所述公共线上形成栅极绝缘层；在所述栅极电极和所述公共线上形成半导体层；形成与所述半导体层的一侧接触的源极电极和与所述半导体层的另一侧接触的漏极电极；在所述源极电极和所述漏极电极上形成第一绝缘层和第二绝缘层；形成穿透所述栅极绝缘层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的共享接触孔以暴露所述公共线的一部分和所述漏极电极的一部分，并在所述栅极绝缘层的一端处产生底切；和通过在所述第二绝缘层上涂敷金属材料并图案化所述金属材料而形成在所述共享接触孔内连接至所述公共线的公共电极和连接至所述漏极电极的像素电极。还提供一种用于制造薄膜晶体管基板的方法，所述薄膜晶体管基板包括具有第一薄膜晶体管(TFT)的第一像素区域和具有第二TFT的第二像素区域，所述第一薄膜晶体管(TFT)包括第一半导体层、栅极线、第一源极电极和第一漏极电极，所述第二TFT包括第二半导体层、所述栅极线、第二源极电极和第二漏极电极，所述方法包括：在基板上，形成所述第一半导体层，所述第一半导体层具有第一通道区域以及分别限定在所述第一通道区域的两侧上的第一源极区域和第一漏极区域；并且形成所述第二半导体层，所述第二半导体层具有第二通道区域以及分别限定在所述第二通道区域的两侧上的第二源极区域和第二漏极区域；在所述第一半导体层和所述第二半导体层上依次形成栅极绝缘层和栅极线；在所述栅极线上形成中间绝缘层；在所述中间绝缘层上，形成经由第一源极接触孔与所述第一源极区域接触的第一源极电极和经由第一漏极接触孔与所述第一漏极区域接触的第一漏极电极，并且形成经由第二源极接触孔与所述第二源极区域接触的第二源极电极和经由第二漏极接触孔与所述第二漏极区域接触的第二漏极电极；在所述第一源极电极和所述第一漏极电极以及所述第二源极电极和所述第二漏极电极上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成公共电极；在所述公共电极上形成第二绝缘层；形成穿透所述中间绝缘层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的共享接触孔以暴露所述第一漏极电极的一部分、所述第二漏极电极的一部分和所述栅极线的一部分，并在所述中间绝缘层的一端处产生底切；和通过在所述第二绝缘层上涂敷金属材料并图案化所述金属材料，形成在所述共享接触孔内连接至所述第一漏极电极的第一像素电极和连接至所述第二漏极电极的第二像素电极。附图说明被包括来给本专利技术提供进一步理解并结合在本申请文件中组成本申请文件一部分的附图图解了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中：图1是图解根据相关技术的薄膜晶体管(TFT)基板的结构的平面图。图2是图1的TFT基板沿线I-I’截取的截面图。图3是图解根据本专利技术的第一实施方式的TFT基板的结构的平面图。图4是图3中所示的根据本专利技术第一实施方式的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：第二电极，所述第二电极在共享接触孔内连接至第一电极；和第四电极，所述第四电极在所述共享接触孔内连接至第三电极，其中所述共享接触孔穿透多个堆叠的绝缘层，并且其中位于所述第一电极与所述第二电极的连接部以及所述第三电极与所述第四电极的连接部中的至少一个连接部下方的绝缘层在所述共享接触孔内具有底切结构。

【技术特征摘要】
2015.09.17 KR 10-2015-01314201.一种薄膜晶体管基板，包括：第二电极，所述第二电极在共享接触孔内连接至第一电极；和第四电极，所述第四电极在所述共享接触孔内连接至第三电极，其中所述共享接触孔穿透多个堆叠的绝缘层，并且其中位于所述第一电极与所述第二电极的连接部以及所述第三电极与所述第四电极的连接部中的至少一个连接部下方的绝缘层在所述共享接触孔内具有底切结构。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中第一信号被施加至彼此接触的所述第一电极和所述第二电极，第二信号被施加至彼此接触的所述第三电极和所述第四电极，并且所述第一信号和所述第二信号是不同的信号。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：像素区域，在所述像素区域中设置有像素电极和公共电极，所述像素电极连接至薄膜晶体管(TFT)，所述公共电极通过公共线被施加公共电压，其中所述第一电极是像素电极，所述第二电极是所述TFT的漏极电极，所述第三电极是所述公共线，并且所述第四电极是所述公共电极。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：第一像素区域，在所述第一像素区域中设置有连接至第一TFT的第一像素电极，第二像素区域，在所述第二像素区域中设置有连接至第二TFT的第二像素电极，和公共电极，所述公共电极连接至所述第一像素区域和所述第二像素区域并将公共电压提供至所述第一像素区域和所述第二像素区域，其中所述第一电极是所述第一像素电极，所述第二电极是所述第一TFT的漏极电极，所述第三电极是所述第二像素电极，并且所述第四电极是所述第二TFT的漏极电极。5.一种用于制造薄膜晶体管基板的方法，所述方法包括：在基板上形成栅极电极和公共线；在所述栅极电极和所述公共线上形成栅极绝缘层；在所述栅极电极和所述公共线上形成半导体层；形成与所述半导体层的一侧接触的源极电极和与所述半导体层的另一侧接触的漏极电极；在所述源极电极和所述漏极电极上形成第一绝缘层和第二绝缘层；形成穿透所述栅极绝缘层、所述第一绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：金江一，金海礼，朴赞洙，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR