像素结构制造技术

本公开提供一种像素结构，其包括扫描线、数据线、开关元件、第一电极以及第二电极。第一电极包括两条第一主干部以及多个第一分支部。第一分支部包括第一延伸部以及位于两条第一主干部之间的两个几何结构。第一延伸部位于对应的两个几何结构之间。第二电极包括第二主干部以及从第二主干部延伸的两个第二分支部。第二主干部位于两条第一主干部之间。第二分支部包括第二延伸部以及梯形结构。梯形结构连接第二主干部与对应的第二延伸部。第一分支部与第二分支部交错排列。本公开提供的像素结构可以使液晶效率提升。

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术涉及显示
，具体而言，涉及一种包括具有第一主干部与第一分支部的第一电极以及具有第二主干部与第二分支部的第二电极的像素结构。
技术介绍
随着虚拟现实(VirtualReality)的技术日趋成熟，市场上出现了许多与虚拟现实相关的电子产品，例如：头戴式显示器(Headmounteddisplay)等。在现有技术中，与虚拟现实相关的电子产品都是利用电脑软件创造出虚拟空间，并利用各种技术影响使用者的感官，让使用者能有身入虚拟空间的感觉。为了让使用者能感受到更逼真的虚拟空间，虚拟影像的连续性就显得格外重要。对于利用液晶显示装置来显示影像的电子产品来说，影像的连续性与液晶的反应时间有高度的关联性。当液晶分子的反应时间越短，液晶显示装置所显示出来的影像就能有越优良的连续性。因此，要如何缩短液晶分子的反应时间是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，通过像素结构中第一电极与第二电极的设计，液晶能具有较短的反应时间，进而使液晶效率提升。本专利技术提供一种像素结构，通过像素结构中共用电极与像素电极的设计，液晶能具有较短的反应时间，进而使液晶效率提升。本专利技术的一种像素结构，包括扫描线、数据线、开关元件、第一电极以及第二电极。开关元件和扫描线以及数据线电性连接。第一电极包括至少两条第一主干部以及多个第一分支部。第一主干部实质上平行于数据线的延伸方向。第一分支部中的每一者包括至少一第一延伸部以及至少两个几何结构。几何结构位于两条第一主干部之间，且第一延伸部位于对应的两个几何结构之间。几何结构在延伸方向上的宽度大于第一延伸部在延伸方向上的宽度。第二电极与第一电极分离。第一电极与第二电极之中的一者和开关元件电性连接。第二电极包括至少一条第二主干部以及至少两个第二分支部。第二主干部位于两条第一主干部之间，且实质上平行于数据线的延伸方向。至少两个第二分支部从第二主干部延伸，其中至少两个第二分支部分别对应地连接至第二主干部的两侧，且至少两个第二分支部中的至少一者包括至少一第二延伸部以及至少一梯形结构。梯形结构连接于第二主干部与对应的第二延伸部之间。第一分支部与第二分支部沿数据线的延伸方向交错排列。本专利技术的一种像素结构，包括一扫描线与一数据线、开关元件、共用电极以及像素电极。开关元件和扫描线以及数据线电性连接。共用电极包括第一主干部以及至少两个第一分支部。第一主干部实质上平行于数据线的延伸方向。至少两个第一分支部从第一主干部延伸。至少两个第一分支部分别对应地连接至第一主干部的两侧。至少两个第一分支部中的至少一者包括至少一第一延伸部以及至少一第一梯形结构。至少一第一梯形结构连接于第一主干部与对应的第一延伸部之间。像素电极与共用电极分离，并和开关元件电性连接。像素电极包括第二主干部以及至少两个第二分支部。第二主干部与第一主干部重叠。至少两个第二分支部从第二主干部延伸。至少两个第二分支部分别对应地连接至第二主干部的两侧。至少两个第二分支部中的至少一者包括至少一第二延伸部以及至少一第二梯形结构。至少一第二梯形结构连接于第二主干部与对应的第二延伸部之间。第一分支部与第二分支部沿数据线的延伸方向交错排列。基于上述，像素结构中的第一电极包括至少两条第一主干部以及多个第一分支部，第二电极包括至少一条第二主干部以及至少两个第二分支部，且第一分支部与第二分支部沿数据线的延伸方向交错排列。因此，第一电极与第二电极所形成的电场能使液晶具有较短的反应时间，进而使液晶效率提升。第一电极的第一分支部包括几何结构，第二电极的第二分支部包括梯形结构。因此，第一电极与第二电极的电场能形成具有疏密变化的等位线，进而使液晶驱动及回复的流向实质上为同向，进一步缩短液晶的反应时间。基于上述，像素结构中的共用电极包括第一主干部以及至少两个第一分支部，像素电极包括第二主干部以及至少两个第二分支部，且第一分支部与第二分支部沿数据线的延伸方向交错排列。因此，共用电极与像素电极所形成的电场能使液晶具有较短的反应时间，进而使液晶效率提升。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。附图说明图1是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图2是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图3是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图4是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图5是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图6是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图7是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图8A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图8B是图8A中第二电极的上视示意图。图8C是图8A中第一电极的上视示意图。图9A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图9B是图9A中第一电极的上视示意图。图9C是沿图9A剖线AA’的剖面示意图。图10A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图10B是沿图10A剖线BB’的剖面示意图。图11A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的上视示意图。图11B是图11A中第二电极的上视示意图。图11C是图11A中第一电极的上视示意图。附图标记说明：100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100：像素结构110、810：半导体层120、820：扫描线122、822：栅极130、830：数据线132、832：源极134、834、1034；漏极140、240、340、440、840、1040、1140：第二电极142、2421、2422、3421、3422、3423、4421、4422、4423、4424、842、1142：第二主干部143A、143B、2431A、2431B、2432A、2432B、3431A、3431B、3432A、3432B、3433A、3433B、4431A、4431B、4432A、4432B、4433A、4433B、4434A、4434B、843A、843B、1143A、1143B：第二分支部144A、144B、2441A、2441B、2442A、2442B、3441A、3441B、3442A、3442B、3443A、3443B、4441A、4441B、4442A、4442B、4443A、4443B、4444A、4444B、844A、844B、1144A、1144B：梯形结构146A、146B、2461A、2461B、2462A、2462B、3461A、3461B、3462A、3462B、3463A、3463B、4461A、4461B、4462A、4462B、4463A、4463B、4464A、4464B、846A、846B、1146A、1146B：第二延伸部150、250、350、450、550、650、750、850、950、1150：第一电极151A、151B、851A、951A：连接部152A、152B、252A、252B、352A、352B、452A、452B、552A、552B、652A、652B、752A、752B、752C、852A、852B、952A、952B、1152：第一主干部153、253、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括：一扫描线与一数据线；一开关元件，和该扫描线以及该数据线电性连接；一第一电极，包括：至少两条第一主干部，实质上平行于该数据线的一延伸方向；以及多个第一分支部，所述第一分支部中的每一者包括：至少一第一延伸部；以及至少两个几何结构，位于该两条第一主干部之间，且该第一延伸部位于对应的该两个几何结构之间，其中该两个几何结构在该延伸方向上的宽度大于该第一延伸部在该延伸方向上的宽度；以及一第二电极，与该第一电极分离，其中该第一电极与该第二电极之中的一者和该开关元件电性连接，该第二电极包括：至少一条第二主干部，位于该两条第一主干部之间，且实质上平行于该数据线的该延伸方向；以及至少两个第二分支部，从该第二主干部延伸，其中该至少两个第二分支部分别对应地连接至该第二主干部的两侧，且该至少两个第二分支部中的至少一者包括：至少一第二延伸部；以及至少一梯形结构，连接于该第二主干部与对应的该第二延伸部之间，其中所述第一分支部与所述第二分支部沿该数据线的该延伸方向交错排列。

【技术特征摘要】
2017.02.20 TW 1061055461.一种像素结构，包括：一扫描线与一数据线；一开关元件，和该扫描线以及该数据线电性连接；一第一电极，包括：至少两条第一主干部，实质上平行于该数据线的一延伸方向；以及多个第一分支部，所述第一分支部中的每一者包括：至少一第一延伸部；以及至少两个几何结构，位于该两条第一主干部之间，且该第一延伸部位于对应的该两个几何结构之间，其中该两个几何结构在该延伸方向上的宽度大于该第一延伸部在该延伸方向上的宽度；以及一第二电极，与该第一电极分离，其中该第一电极与该第二电极之中的一者和该开关元件电性连接，该第二电极包括：至少一条第二主干部，位于该两条第一主干部之间，且实质上平行于该数据线的该延伸方向；以及至少两个第二分支部，从该第二主干部延伸，其中该至少两个第二分支部分别对应地连接至该第二主干部的两侧，且该至少两个第二分支部中的至少一者包括：至少一第二延伸部；以及至少一梯形结构，连接于该第二主干部与对应的该第二延伸部之间，其中所述第一分支部与所述第二分支部沿该数据线的该延伸方向交错排列。2.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一电极与一共用电压电性连接，且该第二电极与该开关元件电性连接。3.如权利要求1所述的像素结构，其中该至少两个几何结构的形状包括梯形。4.如权利要求1所述的像素结构，其中：该第一电极的所述第一分支部中的每一者包括：至少两个第一延伸部，该至少两个第一延伸部分别连接于对应的两个该几何结构，且该至少两个第一延伸部于该第二主干部处分离。5.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二电极的所述第二分支部位于该两条第一主干部之间。6.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二电极的所述第二分支部分别延伸至该第一电极的该两条第一主干部的下方。7.如权利要求6所述的像素结构，其中：该第一电极包括：至少三条该第一主干部，且所述第一分支部分别位于对应的两条该第一主干部之间；该第二电极包括：至少两条该第二主干部，分别位于对应的两条该第一主干部之间；以及至少四个该第二分支部，分别位于每一该两条第二主干部的两侧，其中至少两个该第二分支部位于该两条第二主干部之间，且互相连接于对应的该两条第二主干部之间。8.如权利要求1所述的像素结构，其中：该第二电极包括至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱敏轩，林斯岩，郑玮铭，徐嘉均，陈儒瑾，黄馨谆，郑景升，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71