一种大功率倒装LED光源制造技术

技术编号:15789151 阅读:93 留言:0更新日期:2017-07-09 16:32
本实用新型专利技术涉及LED芯片封装领域,公开了一种大功率倒装LED光源,包括基板和设置在所述基板上的倒装LED芯片,所述倒装LED芯片包括P电极和N电极,所述基板与所述倒装LED芯片之间设有电路层,所述电路层上设有第一散热块和第二散热块,所述倒装LED芯片的P电极和N电极分别与所述电路层上的第一散热块和第二散热块连接,所述第一散热块和第二散热块的接触面均匀布置散热槽。本实用新型专利技术提供的一种大功率倒装LED光源,通过设置凸台,扩大了散热面积延长了芯片的使用寿命;同时,在P电极和N电极与散热块焊接处设置散热槽,增大了接触面积,使P电极和N电极处的电流不会堆积产生积热,使LED芯片出光更加均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率倒装LED光源
本技术涉及LED芯片封装领域,尤其涉及了一种大功率倒装LED光源。
技术介绍
半导体发光二极管LED是一种新型固体发光器件,自诞生以来,其以省电、寿命长、绿色环保、耐震动、响应速度快等固有的特性,广泛应用于指示灯、信号灯、显示屏、景观照明等领域,但由于亮度差,始终影响其应用向至高效率的照明光源市场拓展,究其原是由于LED在工作的过程中会放出大量的热,并且随着功率的提高,放出的热会急剧增长,使管芯结温迅速上升,热阻变大,从而影响到器件的性能,尤其对大功率的LED光源来说,更是如此,因而对LED器件来说,科学地通过散热来降低热阻与结温至关重要,为此,人们试探了各种手段,但效果均不理想,如今LED的散热已成为一个阻碍其应用拓展的重要技术难题。LED芯片,其散热还不仅仅与选择的封装材料有关,还和芯片与封装材料的接合面大小有关。倒装的LED芯片,N极承担着LED芯片主要的散热任务,然而现在的LED芯片倒装封装用的基板固接LED芯片N极和P极的铜箔面积大小却没有设计的与LED芯片的该特征相适应,导致LED芯片散热受阻,还达不到应有的散热效果。并且在LED芯片的P电极和N电极附近,热量大量集中,在此处更需要大的散热面积。
技术实现思路
本技术针对现有技术中的上述缺点,提供了一种大功率倒装LED芯片,接触面积大,散热面积大,很好的解决了大功率倒装LED的散热问题。为了解决上述技术问题,本技术通过下述技术方案得以解决:一种大功率倒装LED光源,包括基板和设置在所述基板上的倒装LED芯片,所述倒装LED芯片包括P电极和N电极,所述基板与所述倒装LED芯片之间设有电路层,所述电路层上设有第一散热块和第二散热块,所述倒装LED芯片的P电极和N电极分别与所述电路层上的第一散热块和第二散热块连接,所述第一散热块上与P电极相连接的接触面匀布置散热槽,所述第二散热块上与N电极相连接的接触面均匀布置散热槽,所述第一散热块的表面积和第二散热块的表面积之比为1:2-1:3。在倒装的LED芯片中,N电极承担着LED芯片主要的散热任务,因此将与N电极上焊接的第二散热块的非接触面的表面积设为第一散热块的表面积的六倍,合理增大第二散热块侧面的非接触面积,扩大了散热面积。作为优选,所述第一散热块和第二散热块非接触面涂覆导电银胶,所述导电银胶的厚度为1-3um。涂覆导电银胶使第一散热块和第二散热块的导电性能更好,避免由于添加第一散热块和第二散热块导致芯片内此处电阻过高,影响芯片内的电流传导,进而产生大量热量,影响LED芯片的长期使用。导电层的厚度控制在3um内,避免导电银胶太厚,影响光线在LED芯片内的发射。作为优选,所述散热槽的横截面为三角形或者圆弧形,所述散热槽的表面设有导电银胶层。设置三角形或者圆弧形散热槽,相同的体积下,能提供更多的散热面积,使散热效果更佳。作为优选,所述基板为高导热陶瓷基板或者石墨基板。采用高导热陶瓷基板或者石墨基板,更好的将散热块上面的热量传导出去。作为优选,所述P电极和N电极上设有与散热槽相配合的散热凸块。作为优选,所述第一散热块的横截面积大于所述P电极的横截面积,所述第二散热块的横截面积大于所述N电极的横截面积。本技术由于采用了上述技术方案,具有的技术效果:本技术提供的一种大功率倒装LED光源,通过设置散热块,扩大了散热面积,改善了大功率倒装LED光源的散热问题,延长了芯片的使用寿命;同时,在P电极和N电极与散热块焊接处设置散热槽,增大了接触面积,使P电极和N电极处的电流不会堆积产生积热,使LED芯片出光更加均匀。附图说明图1是本技术的封装结构示意图;图2是本技术的A部分结构示意图;图3是本技术的B部分结构示意图。图中:基板1、电路层2、第二散热块3、N电极4、P电极5、倒装LED芯片6、散热槽7、导电银胶层8、第一散热块9。具体实施方式下面结合附图与实施例对本技术作进一步详细描述。如图1、图2、图3所示,一种大功率倒装LED光源,包括基板1和设置在所述基板1上的倒装LED芯片6,倒装LED芯片6包括P电极5和N电极4,基板1与倒装LED芯片6之间设有电路层2,电路层2上设有第一散热块9和第二散热块3,倒装LED芯片6的P电极5和N电极4分别与所述电路层2上的第一散热块9和第二散热块3连接,第一散热块9和第二散热块3的接触面均匀布置散热槽7,第一散热块9和第二散热块3的表面积之比为1:2-1:3。在较佳实施例中,第一散热块9和第二散热块3的表面积之比为1:2。第一散热块9和第二散热块3非接触面涂覆设置导电银胶层8,导电银胶层8的厚度为1-3um。涂覆导电银胶使第一散热块9和第二散热块3的导电性能更好,避免由于添加第一散热块9和第二散热块3导致芯片内此处电阻过高,影响芯片内的电流传导,进而产生大量热量,影响LED芯片的长期使用。导电银胶层8的厚度控制在3um内,避免导电银胶太厚,影响光线在LED芯片内的发射。在较佳实施例中,此处导电银胶层8的厚度为2um。所述散热槽7的横截面为三角形或者圆弧形,所述散热槽7的表面均匀涂覆有导电银胶层8。所述基板1为高导热陶瓷基板或者石墨基板。采用高导热陶瓷基板或者石墨基板,更好的将散热块上面的热量传导出去。所述P电极5和N电极4上设有与散热槽7相配合的散热凸块。通过散热凸块与散热槽7的配合,更进一步的增大了P电极5和N电极4的导电面积,减小P电极5和N电极4处的电流堆积。所述第一散热块9和第二散热块3的横截面积分别大于所述P电极5和N电极4的横截面积。在倒装的LED芯片6中,N电极4承担着LED芯片6主要的散热任务,因此将与N电极4焊接的第二散热块3的表面积设为第一散热块9的六倍,合理增大第二散热块3侧面的非接触面积,扩大了散热面积。在第一散热块9和第二散热块3的接触面均匀布置散热槽7,增大了焊接的接触面积,焊接更加稳定,并且使P电极5和N电极4处的电流不会堆积产生积热,使LED芯片6出光更加均匀,不会产生光斑。总之,以上所述仅为本技术的较佳实施例,凡依本技术申请专利范围所作的均等变化与修饰,皆应属本技术专利的涵盖范围。本文档来自技高网...
一种大功率倒装LED光源

【技术保护点】
一种大功率倒装LED光源,包括基板(1)和设置在所述基板(1)上的倒装LED芯片(6),所述倒装LED芯片(6)包括P电极(5)和N电极(4),其特征在于,所述基板(1)与所述倒装LED芯片(6)之间设有电路层,所述电路层上设有第一散热块(9)和第二散热块(3),所述P电极(5)与所述第一散热块(9)连接,所述N电极(4)与所述第二散热块(3)连接,所述第一散热块(9)上与P电极(5)相连接的接触面匀布置散热槽(7),所述第二散热块(3)上与N电极(4)相连接的接触面均匀布置散热槽(7),所述第一散热块(9)的表面积和第二散热块(3)的表面积之比为1:2‑1:3。

【技术特征摘要】
1.一种大功率倒装LED光源,包括基板(1)和设置在所述基板(1)上的倒装LED芯片(6),所述倒装LED芯片(6)包括P电极(5)和N电极(4),其特征在于,所述基板(1)与所述倒装LED芯片(6)之间设有电路层,所述电路层上设有第一散热块(9)和第二散热块(3),所述P电极(5)与所述第一散热块(9)连接,所述N电极(4)与所述第二散热块(3)连接,所述第一散热块(9)上与P电极(5)相连接的接触面匀布置散热槽(7),所述第二散热块(3)上与N电极(4)相连接的接触面均匀布置散热槽(7),所述第一散热块(9)的表面积和第二散热块(3)的表面积之比为1:2-1:3。2.根据权利要求1所述的一种大功率倒装LED光源,其特征在于,所述第一散热块(9)和...

【专利技术属性】
技术研发人员:王芳芳
申请(专利权)人:浙江长兴金盛光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江,33

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