掺镓多晶硅电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种掺镓多晶硅电池。它解决了现有多晶硅太阳能电池片的结构过于简单，其光致衰减的现象严重，产品质量差等技术问题。本掺镓多晶硅电池，包括硅片，硅片为掺镓多晶硅硅片，硅片的正面镀有双层减反射膜，双层减反射膜上印刷有正电极，正电极包括3条主栅线和98条细栅线，主栅线与细栅线相互垂直并导通，主栅线上开设有若干个镂空孔，且镂空孔交错分布，主栅线的四周还具有呈锯齿状的辅助部；硅片的背面印刷有3条背电极，背电极为分段不连续结构，背电极分为4段，每段长度为15‑16mm，每段宽度为1.7‑1.9mm，每段上还具有若干个连接脚，连接脚长度为0.23‑0.27mm。本实用新型专利技术具有产品质量好的优点。

【技术实现步骤摘要】
掺镓多晶硅电池
本技术属于电池片
，涉及一种多晶硅电池，特别是一种掺镓多晶硅电池。
技术介绍
电池片一般分为单晶硅、多晶硅和非晶硅。其中，单晶：构成整个晶体的各种离子或原子全都是按照一定的方向和顺序排列；多晶：由多个单晶体混乱地结合在一起，晶体之间有明显的界限；非晶：组成原子的排列为长程无序，短程有序，原子间的键合类似晶体硅，形成一种共价无规网状结构。目前太阳电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成硅锭。多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，其光电转换效率稍低于单晶硅太阳电池，但是材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此，得到大量发展。经检索，如中国专利文献公开了一种改进型多晶硅太阳能电池片【申请号：201520091159.9；公开号：CN204375765U】。这种改进型多晶硅太阳能电池片，包括硅片，硅片的表面设有反折射膜，反折射膜的上面印有主栅线和次栅线，硅片的背面印有背电极，其特征是，所述反折射膜是由二氧化硅空心球薄膜和氮氧化硅薄膜组成的复合层，所述二氧化硅空心球薄膜的厚度为18—20nm，所述氮氧化硅薄膜的厚度为36—40nm，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述主栅线包括细实线和间隔设置在细实线上的多个宽度大于细实线的粗实线段，所述细实线的宽度为0.3mm，所述粗实线段的宽度为0.8mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片边缘均为1.5mm，所述背电极为一种由若干银珠均匀分布构成设定长度和宽度的银带，所述银珠为圆柱形，相邻银珠之间保持设定的间距，所述背电极长度为12.5mm，宽度为2.8mm，构成背电极的银珠直径为0.25mm，横向和纵向的任何相邻的两个银珠的间距为0.35mm。该专利中公开的多晶硅太阳能电池片虽然制造成本低，但是，该多晶硅太阳能电池片的结构过于简单，其光致衰减的现象严重，产品质量差，因此，设计出一种掺镓多晶硅电池是很有必要的。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种掺镓多晶硅电池，该电池具有产品质量好的特点。本技术的目的可通过下列技术方案来实现：掺镓多晶硅电池，包括硅片，其特征在于，所述硅片为掺镓多晶硅硅片，硅片的正面镀有双层减反射膜，双层减反射膜上印刷有正电极，正电极包括3条主栅线和98条细栅线，主栅线与细栅线相互垂直并导通，主栅线上开设有若干个镂空孔，且镂空孔交错分布，主栅线的四周还具有呈锯齿状的辅助部；硅片的背面印刷有3条背电极，背电极为分段不连续结构，背电极分为4段，每段长度为15-16mm，每段宽度为1.7-1.9mm，每段上还具有若干个连接脚，连接脚长度为0.23-0.27mm。采用以上结构，硅片为掺镓多晶硅硅片，可大大降低光致衰减的现象，同时，主栅线上开设有镂空孔，主栅线的四周具有辅助部，大大增加了主栅线内部和边缘的拉力，可使主栅线不容易脱落，从而可确保产品能够长时间正常使用，产品质量好。所述双层减反射膜包括由下至上分布的第一层膜和第二层膜，第二层膜的厚度大于第一层膜的厚度，第一层膜的厚度为18-22nm，第二层膜的厚度为58-62nm。采用以上结构，通过第一层膜和第二层膜的双重作用，可减少入射光的反射率，提高了电池的光电转换效率。所述第一层膜为氮化硅膜，第二层膜为二氧化钛膜。作为另一种方案，所述第一层膜和第二层膜均为氮化硅膜。所述硅片的四角为圆角，圆角的半径为3-5mm。采用以上结构，可以减少电池的应力集中，增加电池的强度和表面积，提高了发电效率。所述硅片的厚度为168-178μm。采用以上结构，可使硅片具有足够的使用强度。所述硅片的四周喷涂有绝缘膜层，绝缘膜层上还设置有若干凸出的防滑部。采用以上结构，通过绝缘膜层可避免电池在后续组装过程中出现碰伤或者掉落，防护作用好。与现有技术相比，本掺镓多晶硅电池具有以下优点：1、本技术中硅片为掺镓多晶硅硅片，可大大降低光致衰减的现象，同时，主栅线上开设有镂空孔，主栅线的四周具有辅助部，大大增加了主栅线内部和边缘的拉力，可使主栅线不容易脱落，从而可确保产品能够长时间正常使用，产品质量好。2、通过绝缘膜层可避免电池在后续组装过程中出现碰伤或者掉落，防护作用好。附图说明图1是本技术正面的平面结构示意图。图2是图1中A处的局部放大示意图。图3是本技术背面的平面结构示意图。图4是本技术的剖视图。图中，1、硅片；2、主栅线；2a、辅助部；2b、镂空孔；3、细栅线；4、背电极；6、绝缘膜层；7、双层减反射膜。具体实施方式以下是本技术的具体实施例并结合附图，对本技术的技术方案作进一步的描述，但本技术并不限于这些实施例。如图1-图4所示，本掺镓多晶硅电池，包括硅片1，硅片1为掺镓多晶硅硅片，在本实施例中，掺镓多晶硅硅片采用市场上可以买到的现有产品；硅片1的正面镀有双层减反射膜7，双层减反射膜7上印刷有正电极，正电极包括3条主栅线2和98条细栅线3，主栅线2与细栅线3相互垂直并导通，主栅线2上开设有若干个镂空孔2b，在本实施例中，镂空孔2b的数量为一百个；且镂空孔2b交错分布，主栅线2的四周还具有呈锯齿状的辅助部2a；硅片1的背面印刷有3条背电极4，背电极4为分段不连续结构，背电极4分为4段，每段长度为15-16mm，在本实施例中，每段长度为15mm；每段宽度为1.7-1.9mm，在本实施例中，每段宽度为1.8mm；每段上还具有若干个连接脚，在本实施例中，连接脚的数量为二十个；连接脚长度为0.23-0.27mm，在本实施例中，连接脚长度为0.25mm。采用该结构，硅片1为掺镓多晶硅硅片，可大大降低光致衰减的现象，同时，主栅线2上开设有镂空孔2b，主栅线2的四周具有辅助部2a，大大增加了主栅线2内部和边缘的拉力，可使主栅线2不容易脱落，从而可确保产品能够长时间正常使用，产品质量好。双层减反射膜7包括由下至上分布的第一层膜和第二层膜，第二层膜的厚度大于第一层膜的厚度，第一层膜的厚度为18-22nm，在本实施例中，第一层膜的厚度为20nm；第二层膜的厚度为58-62nm，在本实施例中，第二层膜的厚度为60nm。采用该结构，通过第一层膜和第二层膜的双重作用，可减少入射光的反射率，提高了电池的光电转换效率。第一层膜为氮化硅膜，第二层膜为二氧化钛膜。当然，根据实施情况，也可以采用实施方案，第一层膜和第二层膜均为氮化硅膜。硅片1的四角为圆角，圆角的半径为3-5mm，在本实施例中，圆角的半径为4mm。采用该结构，可以减少电池的应力集中，增加电池的强度和表面积，提高了发电效率。硅片1的厚度为168-178μm，在本实施例中，硅片1的厚度为172μm。采用该结构，可使硅片1具有足够的使用强度。硅片1的四周喷涂有绝缘膜层6，绝缘膜层6上还设置有若干凸出的防滑部，在本实施例中，防滑部的数量为六个。采用该结构，通过绝缘膜层6可避免电池在后续组装过程中出现碰伤或者掉落，防护作用好。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本技术精神作举例说明。本技术所属
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【技术保护点】
掺镓多晶硅电池，包括硅片，其特征在于，所述硅片为掺镓多晶硅硅片，硅片的正面镀有双层减反射膜，双层减反射膜上印刷有正电极，正电极包括3条主栅线和98条细栅线，主栅线与细栅线相互垂直并导通，主栅线上开设有若干个镂空孔，且镂空孔交错分布，主栅线的四周还具有呈锯齿状的辅助部；硅片的背面印刷有3条背电极，背电极为分段不连续结构，背电极分为4段，每段长度为15‑16mm，每段宽度为1.7‑1.9mm，每段上还具有若干个连接脚，连接脚长度为0.23‑0.27mm。

【技术特征摘要】
1.掺镓多晶硅电池，包括硅片，其特征在于，所述硅片为掺镓多晶硅硅片，硅片的正面镀有双层减反射膜，双层减反射膜上印刷有正电极，正电极包括3条主栅线和98条细栅线，主栅线与细栅线相互垂直并导通，主栅线上开设有若干个镂空孔，且镂空孔交错分布，主栅线的四周还具有呈锯齿状的辅助部；硅片的背面印刷有3条背电极，背电极为分段不连续结构，背电极分为4段，每段长度为15-16mm，每段宽度为1.7-1.9mm，每段上还具有若干个连接脚，连接脚长度为0.23-0.27mm。2.根据权利要求1所述的掺镓多晶硅电池，其特征在于，所述双层减反射膜包括由下至上分布的第一层膜和第二层膜，第二层膜的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：范启超，徐兆远，
申请(专利权)人：浙江晶能光电有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33