低阻抗桥接金属化薄膜电容器制造技术

本实用新型专利技术公开了低阻抗桥接金属化薄膜电容器，其特征在于：包括电容芯子，电容芯子由芯子叠材卷绕而成，芯子叠材包括双面桥接金属化膜和光膜；双面桥接金属化膜包括基层，基层上设有第一极金属层和第二极金属层，第一极金属层包括第一极主体和第一极桥体，第二极金属层包括第二极主体和第二极桥体；第一极桥体和第二极主体位于基层的一面，且第一极桥体和第二极主体之间设有第一间隔；第一极主体和第二极桥体位于基层的另一面，且第一极主体和第二极桥体之间设有第二间隔。第一极金属层和第二极金属层在双面桥接金属化膜的侧边均具有两个导电面，减小了电容芯子的两个端面与端子的接触电阻，减小了桥接电阻产生的损耗值，充放电特性得到提升。

【技术实现步骤摘要】
低阻抗桥接金属化薄膜电容器
本技术涉及电子元器件领域，特别涉及薄膜电容器。
技术介绍
薄膜电容器是很重要的一种电容器，其应用领域随着社会的发展，已经不仅仅在一般电子
应用。大量新的应用领域随着社会发展源源不断的出现，特别是电力电子
、新型能源领域、电动汽车领域、电气化铁路领域、智能电网领域，薄膜电容器在大多数情况下是不可替代的。社会在进步，科学技术在飞速发展，相应的电容器也必须与时俱进来适应这个社会。现有金属化薄膜电容器电容芯子的两个端面与端子的接触电阻较大，造成损耗值过大，使金属化薄膜电容器的充放电特性的提升受到了限制。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供低阻抗桥接金属化薄膜电容器，其能解决现有金属化薄膜电容器电容芯子的两个端面与端子的接触电阻较大，造成损耗值过大的问题。本技术的目的采用以下技术方案实现：低阻抗桥接金属化薄膜电容器，包括本体和端子，所述本体包括电容芯子和壳体，所述电容芯子的一个端面与一端子电性连接，另一端面与另一端子电性连接；所述电容芯子由芯子叠材卷绕而成，所述芯子叠材包括双面桥接金属化膜和光膜，所述双面桥接金属化膜和光膜数量相等，所述双面桥接金属化膜和光膜相邻设置；所述双面桥接金属化膜包括基层，所述基层上设有第一极金属层和第二极金属层，所述第一极金属层包括第一极主体和第一极桥体，所述第二极金属层包括第二极主体和第二极桥体；所述第一极桥体和第二极桥体的宽度均为0.5-5毫米；所述第一极桥体和第二极主体位于所述基层的一面，且所述第一极桥体和第二极主体之间设有第一间隔；所述第一极主体和第二极桥体位于所述基层的另一面，且所述第一极主体和第二极桥体之间设有第二间隔。优选的，所述第一间隔和第二间隔的宽度为1-5毫米。优选的，所述基层与所述光膜的宽度之差，小于所述第一极桥体和第二极桥体的宽度之和。优选的，所述电容芯子的两个端面都包括喷金层，所述端子与所述喷金层电性连接。优选的，所述端子为贴片式端子或引线。优选的，所述壳体包括外壳和灌封料，所述灌封料用于填充所述电容芯子和外壳之间的空隙。优选的，所述灌封料为高温酸酐型环氧树脂层。优选的，所述外壳为阻燃PBT外壳。优选的，所述壳体为圆柱形、边缘平滑过渡的长方体或正方体。相比现有技术，本技术的有益效果在于：第一极主体和第二极主体分别位于基层的两面，充分利用了基层提供的可用面积；第一极金属层和第二极金属层在双面桥接金属化膜的侧边均具有两个导电面，减小了电容芯子的两个端面与端子的接触电阻，减小了桥接电阻产生的损耗值，由于低等效串联电阻(低ESR)设计，产品充放电特性可得到提升。附图说明图1是本技术提供的低阻抗桥接金属化薄膜电容器的结构示意图。图2是图1中芯子叠材的一种结构示意图。图3是图1中芯子叠材的另一种结构示意图。标记说明：10、本体；11、电容芯子；12、壳体；13、喷金层；20、端子；100、芯子叠材；200、双面桥接金属化膜；210、基层；220、第一极金属层；221、第一极主体；222、第一极桥体；230、第二极金属层；231、第二极主体；232、第二极桥体；201、第一间隔；202、第二间隔；300、光膜。具体实施方式上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。如图1所示的低阻抗桥接金属化薄膜电容器，包括本体10和端子20。其中本体10包括电容芯子11和壳体12，电容芯子11的一个端面与一端子20电性连接，另一端面与另一端子20电性连接。结合图2和图3，电容芯子11由芯子叠材100卷绕而成，芯子叠材100包括双面桥接金属化膜200和作为电介质的光膜300，双面桥接金属化膜200和光膜300数量相等，双面桥接金属化膜200和光膜300相邻设置。典型实施例如图2和图3：图2中，双面桥接金属化膜200和光膜300数量均为一，双面桥接金属化膜200和光膜300相邻设置；图3中，双面桥接金属化膜200和光膜300数量均为二，双面桥接金属化膜200和光膜300相邻设置；当然也可根据实际需要改变数量。如图3，光膜300可采用聚脂光膜，把两层双面桥接金属化膜200隔离，并与双面桥接金属化膜200两层卷绕成电容芯子11，该设计组合结构可有效提升损耗一致性，提升电容器品质及延长使用寿命。双面桥接金属化膜200包括基层210，基层210上设有第一极金属层220和第二极金属层230，第一极金属层220包括第一极主体221和第一极桥体222，第二极金属层230包括第二极主体231和第二极桥体232；第一极桥体222和第二极桥体232的优选的宽度为0.5-5毫米。第一极金属层220和第二极金属层230可以为铝膜、锌铝合金膜、锌膜等。基层210可以为聚丙烯薄膜等。第一极桥体222和第二极主体231位于基层210的一面，且第一极桥体222和第二极主体231之间设有第一间隔201；第一极主体221和第二极桥体232位于基层210的另一面，且第一极主体221和第二极桥体232之间设有第二间隔202。第一间隔201和第二间隔202将电容器的两极(第一极和第二极)隔离开，且需要预留足够的爬电距离，起到充分的电隔离作用。具体的，第一间隔201和第二间隔202的宽度可以为1-5毫米。第一极主体221和第二极主体231分别位于基层210的两面，充分利用了基层210提供的可用面积；第一极金属层220和第二极金属层230在双面桥接金属化膜200的侧边均具有两个导电面，减小了电容芯子11的两个端面与端子20的接触电阻，减小了桥接电阻产生的损耗值，由于低等效串联电阻(低ESR)设计，产品充放电特性可得到显著提升。基层210与光膜300的宽度之差，小于第一极桥体222和第二极桥体232的宽度之和。从而使卷绕时，光膜300能充分隔离第一极金属层220和第二极金属层230。进一步，低阻抗桥接金属化薄膜电容器采用电极无感引出方式，即两个端子20各从电容芯子11的左端面和右端面引出。优选的，电容芯子11的两端面都包括喷金层13，端子20与喷金层13电性连接。端子20可以为为贴片式端子或引线。通过喷金层13使卷绕后的芯子叠材100的导电面，即第一极金属层220和第二极金属层230在双面桥接金属化膜200的侧边的导电面连通性更强；当喷金面渗透两个第一极金属层220和第二极金属层230时，喷金颗粒桥接面积相比单面金属化膜增强一倍，并且不需增加产品尺寸。从而进一步减小了电容芯子11的两个端面与端子20的接触电阻，进一步减小了桥接电阻产生的损耗值，由于低等效串联电阻(低ESR)设计，产品充放电特性可得到进一步提升。同时通过喷金层13引出两个端子20，比通过引出线插入电极的引出方式寄生电感明显减小。进一步，壳体12包括外壳和灌封料，灌封料用于填充电容芯子11和外壳之间的空隙；优选的，灌封料为高温酸酐型环氧树脂层。外壳为阻燃PBT外壳，以增强低阻抗桥接金属化薄膜电容器的安全性能。壳体12可以为圆柱形、边缘平滑过渡的长方体或正方体。本技术涉及的“第一”、“第二”仅用于区别不同部本文档来自技高网...

【技术保护点】
低阻抗桥接金属化薄膜电容器，其特征在于：包括本体和端子，所述本体包括电容芯子和壳体，所述电容芯子的一个端面与一端子电性连接，另一端面与另一端子电性连接；所述电容芯子由芯子叠材卷绕而成，所述芯子叠材包括双面桥接金属化膜和光膜，所述双面桥接金属化膜和光膜数量相等，所述双面桥接金属化膜和光膜相邻设置；所述双面桥接金属化膜包括基层，所述基层上设有第一极金属层和第二极金属层，所述第一极金属层包括第一极主体和第一极桥体，所述第二极金属层包括第二极主体和第二极桥体；所述第一极桥体和第二极桥体的宽度均为0.5‑5毫米；所述第一极桥体和第二极主体位于所述基层的一面，且所述第一极桥体和第二极主体之间设有第一间隔；所述第一极主体和第二极桥体位于所述基层的另一面，且所述第一极主体和第二极桥体之间设有第二间隔。

【技术特征摘要】
1.低阻抗桥接金属化薄膜电容器，其特征在于：包括本体和端子，所述本体包括电容芯子和壳体，所述电容芯子的一个端面与一端子电性连接，另一端面与另一端子电性连接；所述电容芯子由芯子叠材卷绕而成，所述芯子叠材包括双面桥接金属化膜和光膜，所述双面桥接金属化膜和光膜数量相等，所述双面桥接金属化膜和光膜相邻设置；所述双面桥接金属化膜包括基层，所述基层上设有第一极金属层和第二极金属层，所述第一极金属层包括第一极主体和第一极桥体，所述第二极金属层包括第二极主体和第二极桥体；所述第一极桥体和第二极桥体的宽度均为0.5-5毫米；所述第一极桥体和第二极主体位于所述基层的一面，且所述第一极桥体和第二极主体之间设有第一间隔；所述第一极主体和第二极桥体位于所述基层的另一面，且所述第一极主体和第二极桥体之间设有第二间隔。2.如权利要求1所述的低阻抗桥接金属化薄膜电容器，其特征在于：所述第一间隔和第二间隔的宽度为1-5毫米。3.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶文涛，
申请(专利权)人：东莞市纬迪实业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44