LED驱动超薄变压器制造技术

技术编号:15788727 阅读:145 留言:0更新日期:2017-07-09 15:38
一种LED驱动超薄变压器,该LED驱动超薄变压器包括磁芯和骨架,磁芯为扁平结构,磁芯包括下盖及上盖,下盖设置有第一半封闭容槽及第一中柱,上盖设置有第二半封闭容槽及第二中柱,第一中柱与第二中柱抵接并形成有导磁柱,第一半封闭容槽和第二半封闭容槽之间形成有容置空间;骨架包括架体及两引脚,架体设置有中孔和绕线槽,架体嵌入容置空间中,导磁柱穿设于中孔内,上盖及下盖分别与架体连接。上述LED驱动超薄变压器,整体的高度得到显著地降低,与此同时增强了磁芯的磁导率,减小了电磁干扰,提升了能量转换效率,并且具有良好散热效果,绝缘性能也得到了进一步的增强。

【技术实现步骤摘要】
LED驱动超薄变压器
本技术涉及变压器
,特别是涉及一种LED驱动超薄变压器。
技术介绍
随着电子技术的迅速发展,人们对电子产品的要求越来越高,就目前来讲,大部分的电子产品正朝着高性价比、小型化、薄型化方向发展,而超薄变压器的出现为电子产品的小型化及薄型化发展提供了可能。然而,现今市面上的一些超薄变压器还是不能满足社会的需求,如超薄型的LED灯具等,这些灯具希望能更薄、成本更低、功能更强大,因此也对超薄变压器有了更高的要求。
技术实现思路
基于此,有必要针对如何使产品体积更薄、功率密度更高的技术问题,提供一种LED驱动超薄变压器。一种LED驱动超薄变压器,该LED驱动超薄变压器包括磁芯和骨架,所述磁芯为扁平结构,所述磁芯包括对称设置的下盖及上盖,所述下盖设置有第一半封闭容槽及第一中柱,所述上盖设置有第二半封闭容槽及第二中柱,所述第一中柱位于所述第一半封闭容槽中,所述第二中柱位于所述第二半封闭容槽中,所述第一中柱与所述第二中柱抵接并形成有导磁柱,所述第一半封闭容槽和所述第二半封闭容槽之间形成有容置空间;所述骨架包括架体及与所述架体连接的两引脚,所述架体设置有中孔和绕线槽,所述绕线槽围绕所述中孔设置,所述绕线槽中盘绕有第一导线以形成初级线圈,所述绕线槽中盘绕有第二导线以形成次级线圈,所述架体嵌入所述容置空间中,所述导磁柱穿设于所述中孔内,所述上盖及所述下盖分别与所述架体连接,一所述引脚与所述初级线圈连接并外露于所述容置空间,另一所述引脚与所述次级线圈连接并外露于所述容置空间。在其中一个实施例中,所述第一中柱位于所述第一半封闭容槽的中部区域。在其中一个实施例中,所述第二中柱位于所述第二半封闭容槽的中部区域。在其中一个实施例中,两所述引脚设置于所述架体的相异位置。在其中一个实施例中,两所述引脚对称设置于所述架体的两侧壁上。在其中一个实施例中,所述下盖一体成型设置所述第一中柱。在其中一个实施例中,所述下盖一体成型设置所述第二中柱。在其中一个实施例中,所述第一中柱的轴线与所述第二中柱的轴线共线设置。在其中一个实施例中,所述导磁柱位于所述容置空间的中部区域。在其中一个实施例中,所述中孔的横截面的形状结构等于所述导磁柱的横截面的形状结构。上述LED驱动超薄变压器,整体的高度得到显著地降低,与此同时增强了磁芯的磁导率,减小了电磁干扰,提升了能量转换效率,并且具有良好散热效果,绝缘性能也得到了进一步的增强,对于电源小型化、薄型化,对提高电源的功率密度及提升电源的效率有着突出的贡献。附图说明图1为一个实施例中LED驱动超薄变压器的结构示意图;图2为另一个实施例中LED驱动超薄变压器的结构示意图;图3为一个实施例中上盖的结构示意图;图4为一个实施例中下盖的结构示意图;图5为一个实施例中上盖与下盖的连接结构示意图;图6为另一个实施例中磁芯的结构示意图;图7为另一个实施例中磁芯的结构示意图;图8为另一个实施例中下盖的结构示意图;图9为一个实施例中骨架的结构示意图;图10为另一个实施例中骨架的结构示意图;图11为另一个实施例中骨架的结构示意图。具体实施方式为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进,因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。在本技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。在本技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。请参阅图1,例如,一种LED驱动超薄变压器10包括磁芯110及骨架120,骨架120设置于磁芯110中。例如,由电磁感应原理以及传统的变压器的结构类推可知,磁芯110用于产生电滋力并引导磁场的分布。例如,骨架120用于设置电源变压用的线圈,以升高输入的电压或者降低输入的电压。例如,磁芯110为由各种氧化铁混合物组成的烧结磁性金属氧化物。例如,磁芯110为锰-锌铁氧体材料制成;又如,磁芯110为镍-锌铁氧体材料制成,以利用其高磁导率和高磁通密度的特点降低对电磁场的损耗。本实施例中,磁芯110为扁平结构。也就是说,磁芯110在整体上呈现出扁平的形状结构,以满足电子产品的小型化及薄型化的发展需求,可以理解,扁平结构的磁芯110可以降低电子产品的体积,使得电子产品也趋向于小型化及薄型化。例如,磁芯110为扁平的规则形状结构。一实施例中,磁芯110为扁平的正方形结构。一实施例中,磁芯110为扁平的长方形结构。同理的,例如,骨架120为扁平结构。也就是说,骨架120在整体上呈现出扁平的形状结构,以满足电子产品的小型化及薄型化的发展需求。可以理解,由于磁芯110为扁平结构,骨架120设置于磁芯110中,因此骨架120也应为扁平结构,以使得LED驱动超薄变压器整体为扁平的结构。请一并参阅图2、图3和图4,例如,磁芯110包括上盖111及下盖112。本实施例中,下盖112及上盖111对称设置。下盖112设置有第一半封闭容槽113及第一中柱114本文档来自技高网...
LED驱动超薄变压器

【技术保护点】
一种LED驱动超薄变压器,其特征在于,包括:磁芯,所述磁芯为扁平结构,所述磁芯包括对称设置的下盖及上盖,所述下盖设置有第一半封闭容槽及第一中柱,所述上盖设置有第二半封闭容槽及第二中柱,所述第一中柱位于所述第一半封闭容槽中,所述第二中柱位于所述第二半封闭容槽中,所述第一中柱与所述第二中柱抵接并形成有导磁柱,所述第一半封闭容槽和所述第二半封闭容槽之间形成有容置空间;骨架,所述骨架包括架体及与所述架体连接的两引脚,所述架体设置有中孔和绕线槽,所述绕线槽围绕所述中孔设置,所述绕线槽中盘绕有第一导线以形成初级线圈,所述绕线槽中盘绕有第二导线以形成次级线圈,所述架体嵌入所述容置空间中,所述导磁柱穿设于所述中孔内,所述上盖及所述下盖分别与所述架体连接,一所述引脚与所述初级线圈连接并外露于所述容置空间,另一所述引脚与所述次级线圈连接并外露于所述容置空间。

【技术特征摘要】
1.一种LED驱动超薄变压器,其特征在于,包括:磁芯,所述磁芯为扁平结构,所述磁芯包括对称设置的下盖及上盖,所述下盖设置有第一半封闭容槽及第一中柱,所述上盖设置有第二半封闭容槽及第二中柱,所述第一中柱位于所述第一半封闭容槽中,所述第二中柱位于所述第二半封闭容槽中,所述第一中柱与所述第二中柱抵接并形成有导磁柱,所述第一半封闭容槽和所述第二半封闭容槽之间形成有容置空间;骨架,所述骨架包括架体及与所述架体连接的两引脚,所述架体设置有中孔和绕线槽,所述绕线槽围绕所述中孔设置,所述绕线槽中盘绕有第一导线以形成初级线圈,所述绕线槽中盘绕有第二导线以形成次级线圈,所述架体嵌入所述容置空间中,所述导磁柱穿设于所述中孔内,所述上盖及所述下盖分别与所述架体连接,一所述引脚与所述初级线圈连接并外露于所述容置空间,另一所述引脚与所述次级线圈连接并外露于所述容置空间。2.根据权利要求1所述的LED驱动超薄变压器,其特征在于,所述第一中柱位于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟少强叶飞文
申请(专利权)人:惠州TCL照明电器有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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