一种光源模组和使用所述光源模组的照明装置，通过调整光源模组所发出照射光中蓝光、红光和绿光的峰值波长、峰值强度和色坐标至预设范围内，使得光源模组所发出照射光具有特定的光谱分布，不仅考虑了颜色理论对照明效果的评价，还考虑光谱对实际照明效果的影响，同时考虑了发光材料对光谱影响，得到了一种被照物喜好性高和鲜艳度高的，高显色指数和高色域指数，与陶瓷金卤灯比较，效果相近的光源。
【技术实现步骤摘要】
一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
本专利技术涉及一种光源模组及包括该光源模组的照明装置。
技术介绍
随着第三次照明技术革命的到来和发展，LED照明器具被广泛的使用，而人们对LED照明的光品质也越来越高。一直以来，对于光品质的研究都集中在CRI这单一指标上，并未有更深层次的研究。然而，照明界发现CRIRa对LED光源的显色评价与视觉感受不相符合；而且对色彩饱和度较高的环境，CRI数值也往往与人的视觉感受不相符合。[2007年CIE的报告也中指出CRIRa不适宜用来评价LED光源的显色性。]CIE及IES等组织相继推出了GAI、CQS等光源显色能力评价方法，以补充CRI的不足。北美照明学会（IES）在2015年5月18日正式发布了对于光源显色能力的新的评价方法——IESTM-30-15IESMethodforEvaluatingLightSourceColorRendition。各家芯片封装厂商与应用厂商也纷纷推出除CRI指标外，更高GAI指标、更高CQS指数，或更好的TM30-15指数的产品，但具体指标与产品的视觉表现之间关系仍有待验证。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述问题，针对CRI、GAI、CQS、TM30-15等指标，寻求一种鲜艳度更高的LED光源。本专利技术为实现上述功能，所采用的技术方案是提供一种光源模组，其特征在于，包括：蓝光发生部，用于发出蓝光；绿光发生部，用于发出绿光；红光发生部，用于发出红光；所述蓝光的峰值波长在430~470nm范围内,发射光谱的半宽度在15~35nm范围内；所述红光的峰值波长在620~660nm范围内，发射光谱的半宽度在70~105nm范围内，所述蓝光的峰值强度为所述红光的峰值强度的40%~60%；所述绿光在510~580nm范围内光谱以5nm为一个测量区间，相邻5nm波长宽度内的光谱强度相对差小于15%；所述光源模组所发出照射光符合CIE1931色坐标系中的如下条件：横坐标X在0.410~0.450范围内；所述纵坐标Y在0.375~0.415范围内。进一步的，所述光源模组所发出的光还满足如下条件：在同一波长下，所述光源模组发光光谱其相邻波长光谱强度的变化率A1(λ)，和所述光源模组色温相同的普朗克黑体辐射热辐射光谱的相邻波长光谱强度的变化率A2(λ)之间的差值A(λ)在[-3.0,3.0]区间内。进一步的，所述A(λ)在[-1.5,1.5]区间内。进一步的，所述红光的发射光谱的半宽度在70~85nm或95~105nm范围内。进一步的，所述蓝光发生部为蓝光LED芯片。进一步的，所述绿光发生部包含吸收所述蓝光发生部所发出的光并通过波长转换而发出绿光的绿光荧光体。进一步的，所述红光发生部包含吸收所述蓝光发生部所发出的光并通过波长转换而发出红光的红光荧光体。进一步的，所述蓝光发生部、绿光发生部、红光发生部封装成为一体，其中蓝光发生部为蓝光LED，绿光发生部为吸收所述蓝光发生部所发出的光并通过波长转换而发出绿光的绿光荧光体，红光发生部为吸收所述蓝光发生部所发出的光并通过波长转换而发出红光的红光荧光体。进一步的，所述绿光荧光体为铝酸盐体系，或者硅酸盐体系，或者氮化物体系，或者氮氧化物体系，或以上任意两种的组合。进一步的，所述红光荧光体为氮化物体系，或硅酸盐体系，或为以上两者的组合。进一步的，横坐标X在0.420~0.440范围内；所述纵坐标Y在0.385~0.405范围内。进一步的，横坐标X在0.425~0.435范围内；所述纵坐标Y在0.390~0.400范围内。进一步的，所述光源模组所发出的光的色温在2500K~3600K这一范围内。进一步的，所述光源模组所发出的光的显色性参数CRI大于90。进一步的，所述光源模组所发出的光的显色指数Rf大于90。进一步的，所述光源模组所发出的光的显色指数R9大于70。进一步的，所述光源模组所发出的光的色域指数Rg大于100。本专利技术还提供一种照明装置，其特征在于，包括：如上所述的光源模组；电源模组，连接所述光源模组，为所述光源模组提供工作所需电力。进一步的，所述照明装置还包括控制器，所述控制器连接所述光源模组，用于调整所述光源模组所发出照射光。本专利技术所提供的光源模组具有特定的光谱分布，不仅考虑了颜色理论对照明效果的评价，还考虑光谱对实际照明效果的影响，同时考虑了发光材料对光谱影响，得到了一种被照物喜好性高和鲜艳度高的，高显色指数和高色域指数，与陶瓷金卤灯比较，效果相近的光源。附图说明图1是本专利技术照明装置的结构示意图；图2是本专利技术实施例1的相对光谱能量分布图；图3是本专利技术实施例1中A（λ）的分布图；图4是本专利技术实施例2的相对光谱能量分布图；图5是本专利技术实施例2中A（λ）的分布图；图6是本专利技术实施例3的相对光谱能量分布图；图7是本专利技术实施例3中A（λ）的分布图；图8是本专利技术实施例4的相对光谱能量分布图；图9是本专利技术实施例4中A（λ）的分布图；图10是本专利技术实施例5的相对光谱能量分布图；图11是本专利技术实施例5中A（λ）的分布图；图12是本专利技术实施1~6的CIE1931色坐标图；图13是本专利技术光源模组的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种光源模组及照明装置作进一步详细的说明。本专利技术提供的光源模组是色温在2500K~3600K之间的暖白光源，其可应用于如图1所示照明灯具101中用以日常照明。照明灯具101包括电源驱动器（未图示）和控制器102、散热装置103、照明模组104和灯罩105等。控制器可用于调整照明模组104的光色及光强，而灯罩105在其他实施例中可以根据灯具的设计替换成为其他光学元件，如透镜、扩散元件、光导等，其中也可以不包括散热器。其中光源模组104包括输出蓝色光成分的蓝光发生部、输出黄绿色光成分的绿色光发生部、输出红色光成分的红光发生部。光源模组104中的这些不同色光的发光部可以是LED芯片或者是可以将光的波长进行转换的荧光体材料，或者为LED芯片和荧光体材料的组合，荧光体材料可以根据发出的光色不同选择不同体系的荧光粉。对于蓝光发生部，可以采用单色LED芯片，这里所指的单色LED芯片是指由半导体材料直接激发发光，不带有荧光体的LED芯片，另外蓝光发生部也可以采用LED芯片配合荧光体的模式，即蓝光发生部包含吸收半导体发光元件（LED芯片）所发出的光并通过波长转换而发出蓝光的蓝光荧光体，这里的半导体发光元件可以为发出紫外光的单色LED芯片。红光发生部与蓝光发生部类似，其可以采用单色的LED芯片，不过在一个优选的方案中红光发生部包含吸收半导体发光元件所发出的光并通过波长转换而发出红光的红光荧光体。而绿光发生部包括吸收半导体发光元件所发出的光并通过波长转换而发出绿光的绿光荧光体，绿光荧光体的种类包括铝酸盐体系，如YAG，Ga-YAG，Lu-AG，TbAG等，或者为硅酸盐体系、氮化物体系、氮氧化物体系灯。绿光发生部可以由一种荧光体激发产生绿光，也可以采用两种以上荧光体组合，甚至可以由多种峰值波长的荧光体组合而成，当由多种荧光体组合时，这些荧光体并不限定在一个元器件中，例如可以是两个白光LED中的不同的绿光荧光体，由他们产生的光谱叠加获得我们需要的510-580nm间的光谱强度。这种荧光体的组合并本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光源模组，其特征在于，包括：蓝光发生部，用于发出蓝光；绿光发生部，用于发出绿光；红光发生部，用于发出红光；所述蓝光的峰值波长在430~470nm范围内, 发射光谱的半宽度在15~35nm范围内；所述红光的峰值波长在620~660nm范围内，发射光谱的半宽度在70~105nm范围内，所述蓝光的峰值强度为所述红光的峰值强度的40%~60%；所述绿光在510~580nm范围内光谱以5nm为一个测量区间，相邻5nm波长宽度内的光谱强度相对差小于15%；所述光源模组所发出照射光符合CIE1931色坐标系中的如下条件：横坐标X在0.410~0.450范围内；所述纵坐标Y在0.375~0.415范围内。
【技术特征摘要】
1.一种光源模组，其特征在于，包括：蓝光发生部，用于发出蓝光；绿光发生部，用于发出绿光；红光发生部，用于发出红光；所述蓝光的峰值波长在430~470nm范围内,发射光谱的半宽度在15~35nm范围内；所述红光的峰值波长在620~660nm范围内，发射光谱的半宽度在70~105nm范围内，所述蓝光的峰值强度为所述红光的峰值强度的40%~60%；所述绿光在510~580nm范围内光谱以5nm为一个测量区间，相邻5nm波长宽度内的光谱强度相对差小于15%；所述光源模组所发出照射光符合CIE1931色坐标系中的如下条件：横坐标X在0.410~0.450范围内；所述纵坐标Y在0.375~0.415范围内。2.如权利要求1所述的光源模组，其特征在于，所述光源模组所发出的光还满足如下条件：在同一波长下，所述光源模组发光光谱其相邻波长光谱强度的变化率A1(λ)，和所述光源模组色温相同的普朗克黑体辐射热辐射光谱的相邻波长光谱强度的变化率A2(λ)之间的差值A(λ)在[-3.0,3.0]区间内。3.如权利要求2所述的光源模组，其特征在于，所述A(λ)在[-1.5,1.5]区间内。4.如权利要求2所述的光源模组，其特征在于，所述红光的发射光谱的半宽度在70~85nm或95~105nm范围内。5.如权利要求2所述的光源模组，其特征在于，所述蓝光发生部为蓝光LED芯片。6.如权利要求2所述的光源模组，其特征在于，所述绿光发生部包含吸收所述蓝光发生部所发出的光并通过波长转换而发出绿光的绿光荧光体。7.如权利要求2所述的光源模组，其特征在于，所述红光发生部包含吸收所述蓝光发生部所发出的光并通过波长转换而发出红光的红光荧光体。8.如权利要求2所述的光源模组，其特征在于，所述蓝光发生部、绿光发生部、...
【专利技术属性】
技术研发人员：周志贤，强洁，
申请(专利权)人：欧普照明股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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