The invention discloses an anodic oxidation polishing system comprises a control part and a work part, the control part comprises a power supply, the work consists of the motion platform, motion platform is arranged on the output sample, sample anode connected to the power supply, the sample is installed above the container, a polishing liquid in the container, the polishing liquid and polishing liquid samples can contact the cathode connected to the power supply, the polishing liquid is also provided with a polishing head, a polishing pad is installed at the bottom of the polishing head and the polishing head is connected with the ball spline, the ball spline connecting the upper level synchronous belt, synchronous belt output end is also connected with the motor, the top of the ball spline connection load, load weights provided on a spring sheet is installed above the weight. One end of a spring piece is connected with a fulcrum, the fulcrum of the other end is connected with the counterweight; the system of the invention can facilitate the replacement of the electrolyte, the electrolyte concentration is easy to adjust The oxidation voltage can be adjusted, and the current change in the oxidation process can be monitored.
【技术实现步骤摘要】
一种阳极氧化抛光系统及方法
本专利技术属于阳极氧化抛光
,涉及一种阳极氧化抛光系统及方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)作为光学零件应用的研究始于上世纪70年代,由于具有机械硬度高、化学稳定性强、热稳定性好、表面质量高、比刚度大、热变形系数小、热膨胀系数小、尺寸稳定性好、光学可加工性好、抗辐照性能好等优点,在光学领域尤其是空间光学系统中得到广泛应用,其加工技术已经成为光学镜面加工领域的研究热点之一。按照制备工艺可以将常用的SiC材料分为4种:热压烧结SiC(HP-SiC)、常压烧结SiC(S-SiC)、反应烧结SiC(RB-SiC)和化学气相沉积SiC(CVD-SiC)。在这4种材料中,HP-SiC由于不能制成形状复杂的镜坯,其在光学系统中的应用受到限制。传统的S-SiC制备工艺复杂,材料收缩率大,所需设备成本十分昂贵,制约了其制备技术的发展。CVD-SiC材料虽然致密均匀,加工性能较好,但其制备速度非常缓慢,不能制备出形状复杂、结构轻量化的坯体,因此主要用在SiC镜体的表面改性上。利用RB-SiC可以直接制备出结构复杂、轻量化程度高的大尺寸镜坯而无需额外的轻量化加工,而且材料收缩率仅为1%-2%,是一种近净尺寸成型工艺,并且制造和加工成本较低,是适用性最强的SiC光学材料。RB-SiC作为典型的难加工材料,首先是因为材料硬度大,导致加工去除效率低。RB-SiC的硬度次于金刚石,高于常用的抛光材料,导致其加工过程中材料去除效率低,尤其是在抛光阶段,由于不存在水解作用,其加工效率往往低于玻璃的十分之一。RB-SiC难加工还因为其构成组分多,导致加工表面质 ...
【技术保护点】
一种阳极氧化抛光系统,其特征在于,所述系统包括控制部分和工作部分,所述控制部分包括电源(3),所述工作部分包括运动平台(17),所述运动平台(17)上设置样品(16),所述样品(16)连接电源(3)的输出阳极,所述样品(16)上方安装容器(15),所述容器(15)内盛有抛光液(13),所述抛光液(13)与样品(16)可接触,所述抛光液(13)连接电源(3)的阴极,所述抛光液(13)中还设有抛光头,所述抛光头底部安装有抛光垫(14),所述抛光头上方连接滚珠花键(9),所述滚珠花键(9)上部连接水平同步带(8),所述同步带(8)还连接电机(11)的输出端,所述滚珠花键(9)的顶部连接负载(7),所述负载(7)上设置有砝码(6),所述砝码(6)上方安装有弹簧片(18),所述弹簧片(18)连接支点(5)的一端,所述支点(5)的另一端连接配重块(4)。
【技术特征摘要】
1.一种阳极氧化抛光系统,其特征在于,所述系统包括控制部分和工作部分,所述控制部分包括电源(3),所述工作部分包括运动平台(17),所述运动平台(17)上设置样品(16),所述样品(16)连接电源(3)的输出阳极,所述样品(16)上方安装容器(15),所述容器(15)内盛有抛光液(13),所述抛光液(13)与样品(16)可接触,所述抛光液(13)连接电源(3)的阴极,所述抛光液(13)中还设有抛光头,所述抛光头底部安装有抛光垫(14),所述抛光头上方连接滚珠花键(9),所述滚珠花键(9)上部连接水平同步带(8),所述同步带(8)还连接电机(11)的输出端,所述滚珠花键(9)的顶部连接负载(7),所述负载(7)上设置有砝码(6),所述砝码(6)上方安装有弹簧片(18),所述弹簧片(18)连接支点(5)的一端,所述支点(5)的另一端连接配重块(4)。2.根据权利要求1所述的阳极氧化抛光系统,其特征在于,所述样品(16)为RB-SiC。3.根据权利要求1所述的阳极氧化抛光系统,其特征在于,所述电源(3)为高...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈新民,杨小翠,涂群章,张晓南,殷勤,王东,张蕉蕉,刘晴,李治中,王超,徐磊,
申请(专利权)人:中国人民解放军理工大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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