一种LED多芯片相变封装工矿灯制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED多芯片相变封装工矿灯，包括驱动电源、散热器、LED光源和反射器，所述驱动电源为恒流驱动电源，所述LED光源为集成式LED多芯片平面相变封装光源，所述散热器为放射状铝型材散热器，所述反射器为利用EFFL算法设计的高透光硅胶透镜，本实用新提供的工况灯，具有较高光源强度的白光，具有较好的散热系统，使用寿命较长。

LED multi chip phase change package industrial and mining lamp

The utility model discloses a multi chip LED package phase mining lamp, which comprises a drive power source, the radiator and the LED light source and a reflector, the driving power supply is a constant current drive power, the LED light source for integrated LED multi chip package planar phase change light source, the radiator for radiating aluminum radiator, the reflector for the use of EFFL algorithm to design the high transparent silicone lens, working lamp provided by the utility, with high light intensity of white light, with good heat dissipation system, long service life.

【技术实现步骤摘要】
一种LED多芯片相变封装工矿灯
本技术涉及一种灯具，尤其涉及一种LED多芯片相变封装工矿灯。
技术介绍
近年来，基于节能环保、效率高、小体积、长寿命等特点，LED灯越来越受到消费者的青睐，替代传统的白炽灯和荧光灯已经成为一种必然趋势。但是目前的LED灯具普遍存在功率较小、散热效果不佳、出光效率不高、光源颜色为白光较少等缺陷。
技术实现思路
本技术的的目的在于克服现有技术的缺陷，提供了一种LED多芯片相变封装工矿灯，包括驱动电源、散热器、LED光源和反射器，所述驱动电源为恒流驱动电源，所述LED光源为集成式LED多芯片平面相变封装光源，所述散热器为放射状铝型材散热器，所述反射器为利用EFFL算法设计的高透光硅胶透镜。所述集成式LED多芯片平面相变封装光源包括相变封装引线框架，集成式LED芯片和封装材料，所述集成式LED芯片是由42颗0.9mm×0.9mm大功率GaN蓝光芯片通过银浆固定在所述基于相变热沉的端面的芯片安装区上，组成6串7并的电器连接方式，最后在芯片安装区覆盖高透光率的封装胶体，并在所述的封装胶体内部掺入YAG:Ce荧光粉用于实现白光照明。所述散热器为基于相变热沉的散热器，包括散热装置和散热器件，所述散热装置包括热沉前端盖、热沉壳体、端盖毛细吸液芯、蒸汽通道、蒸汽通道毛细吸液芯以及真空密封后盖，散热装置外面套覆着铝型材散热器件，所述散热装置的热沉壳体为铜质圆形管状结构，所述吸液芯材料为球状紫铜粉经多孔烧结而成，所述吸液芯内部充满纯水液体。所述集成式LED多芯片平面相变封装光源和散热器的热沉壳体经过盈配合装配在所述放射状铝型材散热器中心孔内。所述的散热器表面经过阳极氧化处理后，所述驱动电源安装于所述的散热器端部。本技术的有意效果如下：1、光源结构采用集成式LED多芯片平面相变封装光源，含有若干LED芯片以串并联形式连接，实现LED芯片的大功率化，并在封装胶体中掺入YAG:Ce荧光粉，加上封装胶体本身的高透光性，可实现透光度较高的白光照明。2、散热装置采用基于相变热沉的散热器，运用热管技术，相对于传统的散热系统具有更快的启动性能，随着加热功率的增加，其热阻逐渐减小，并低于传统的实体热沉系统，同时在高功率条件下，仍能保持良好的均热性能和轴向导热性能。3、所述反射器采用基于EFFL算法设计的高透光硅胶透镜，利用均匀光斑与均匀光斑的叠加，在目标面上形成均匀照射效果，合理利用LED芯片的安装距离，消除芯片件的照明暗区，从而实现光源的均匀照明。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细说明，实施例仅是本技术的一个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据附图获取其他的实施例，也在本专利技术的保护范围之内。图1为本技术LED多芯片相变封装工矿灯的结构示意图；图2为本技术LED多芯片相变封装工矿灯的散热器和LED光源组件结构示意图；图3为本技术LED多芯片相变封装工矿灯的散热器的散热装置的结构示意图。附图标记：1-驱动电源，2-散热器，21-真空密封后盖，22-热沉壳体，23-蒸汽通道毛细吸液芯，24-蒸汽通道，25-端盖毛细吸液芯，26-热沉前端盖，27-散热器件，3-LED光源，31-相变封装引线框架，32-集成式LED芯片，33-封装材料，4-反射器。具体实施方式如图1~图3所示，本技术所揭示的一种LED多芯片相变封装工矿灯，包括驱动电源1、散热器2、LED光源3和反射器4，驱动电源1为恒流驱动电源，LED光源3为集成式LED多芯片平面相变封装光源，散热器2为放射状铝型材散热器，反射器4为利用EFFL算法设计的高透光硅胶透镜。集成式LED多芯片平面相变封装光源3包括相变封装引线框架31，集成式LED芯片32和封装材料33，集成式LED芯片32是由42颗0.9mm×0.9mm大功率GaN蓝光芯片通过银浆固定在所述基于相变热沉的端面的芯片安装区上，组成6串7并的电器连接方式，最后在芯片安装区覆盖高透光率的封装胶体33，并在封装胶体内部掺入YAG:Ce荧光粉用于实现白光照明。散热器2为基于相变热沉的散热器，包括散热装置和散热器件27，散热装置包括热沉前端盖26、热沉壳体22、端盖毛细吸液芯25、蒸汽通道24、蒸汽通道毛细吸液芯23以及真空密封后盖21，散热器件27套覆在散热装置外面，散热装置的热沉壳体22为铜质圆形管状结构，吸液芯25和23材料为球状紫铜粉经多孔烧结而成，吸液芯内部充满纯水液体。集成式LED多芯片平面相变封装光源3和散热器2的热沉壳体22经过盈配合装配在放射状铝型材散热器2中心孔内。散热器2表面经过阳极氧化处理后，驱动电源1安装于散热器2端部。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED多芯片相变封装工矿灯，其特征在于：包括驱动电源、散热器、LED光源和反射器，所述驱动电源为恒流驱动电源，所述LED光源为集成式LED多芯片平面相变封装光源，所述散热器为放射状铝型材散热器，所述反射器为利用EFFL算法设计的高透光硅胶透镜；所述集成式LED多芯片平面相变封装光源包括相变封装引线框架，集成式LED芯片和封装材料，所述集成式LED芯片是由42颗0.9mm×0.9mm大功率GaN蓝光芯片通过银浆固定在所述基于相变热沉的端面的芯片安装区上，组成6串7并的电器连接方式，最后在芯片安装区覆盖高透光率的封装胶体，并在所述的封装胶体内部掺入YAG:Ce荧光粉用于实现白光照明；所述散热器为基于相变热沉的散热器，包括散热装置和散热器件，所述散热装置包括热沉前端盖、热沉壳体、端盖毛细吸液芯、蒸汽通道、蒸汽通道毛细吸液芯以及真空密封后盖，散热装置外面套覆着铝型材散热器件，所述散热装置的热沉壳体为铜质圆形管状结构，所述吸液芯材料为球状紫铜粉经多孔烧结而成，所述吸液芯内部充满纯水液体；所述集成式LED多芯片平面相变封装光源和散热器的热沉壳体经过盈配合装配在所述放射状铝型材散热器中心孔内；所述的散热器表面经过阳极氧化处理后，所述驱动电源安装于所述的散热器端部。...

【技术特征摘要】
1.一种LED多芯片相变封装工矿灯，其特征在于：包括驱动电源、散热器、LED光源和反射器，所述驱动电源为恒流驱动电源，所述LED光源为集成式LED多芯片平面相变封装光源，所述散热器为放射状铝型材散热器，所述反射器为利用EFFL算法设计的高透光硅胶透镜；所述集成式LED多芯片平面相变封装光源包括相变封装引线框架，集成式LED芯片和封装材料，所述集成式LED芯片是由42颗0.9mm×0.9mm大功率GaN蓝光芯片通过银浆固定在所述基于相变热沉的端面的芯片安装区上，组成6串7并的电器连接方式，最后在芯片安装区覆盖高透光率的封装胶体，并在...

【专利技术属性】
技术研发人员：林明珠，
申请(专利权)人：林明珠，
类型：新型
国别省市：福建,35