转印基板及其制作方法、OLED器件制作方法技术

本发明专利技术公开了一种转印基板及其制作方法、OLED器件制作方法，属于显示器领域。所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，所述转印基板包括透光基板和光热转化层；所述光热转化层包括阵列排布的多个凸起，所述凸起包括平行设置的底面和顶面，所述底面设置在所述透光基板上，每个所述凸起的顶面用于设置一个待转印的电极块。使用该转印基板实现OLED的阴极制作，避免现有溅射工艺生成透明阴极时，对OLED有机薄膜层造成严重损伤的问题，从而可以提高器件的性能和寿命。

Transfer substrate, method for manufacturing the same, and method for manufacturing OLED device

The invention discloses a transfer substrate and a manufacturing method thereof, and a method for manufacturing a OLED device, belonging to the display field. The transfer substrate electrode for heat transfer of OLED devices, the transfer substrate includes a transparent substrate and a photothermal conversion layer; the photothermal conversion layer includes a plurality of convex array arrangement, the bulges are arranged in parallel including the bottom surface and the top surface, the bottom surface is arranged on the top surface of the transparent substrate. Each of the convex set for a transfer to the electrode block. The cathode of the OLED is fabricated by using the transfer substrate, and the damage of the OLED organic film layer caused by the existing sputtering process when the transparent cathode is generated is avoided, so that the performance and the service life of the device can be improved.

【技术实现步骤摘要】
转印基板及其制作方法、OLED器件制作方法
本专利技术涉及显示器领域，特别涉及一种转印基板及其制作方法、OLED器件制作方法。
技术介绍
目前，常用的显示器主要包括有机电致发光显示器(英文OrganicLight-EmittingDisplay，简称OLED)和液晶显示器(英文LiquidCrystalDisplay，简称LCD)两大类。其中，OLED的显示面板主要包括基板和盖板，基板上设置有OLED发光单元，盖板盖合在基板上的OLED发光单元上方。OLED发光单元包括依次形成于基板上的阳极、有机薄膜层和阴极，有机薄膜层主要包括空穴层、电子层以及二者之间的发光层。OLED按照出光方向可以分为三种类型：底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。底发射OLED是指光从基板一侧射出的OLED，顶发射OLED是指光从盖板一侧射出的OLED，双面发射OLED是指光同时从基板一侧和盖板一侧射出的OLED。其中，顶发射OLED(或双面发射OLED)为了能保证光从器件顶部射出，要求阴极是透明的，通常采用ITO、IZO等材料制成。透明阴极在制备过程中，通常采用溅射(sputter)工艺将ITO或IZO沉积到有机薄膜层上，为了获得厚度较小的透明阴极(透明度性能好)，制作时溅出的粒子动能较高，具有较高动能的粒子会对有机薄膜层造成严重损伤，降低OLED的性能，减少OLED的寿命。
技术实现思路
为了解决现有溅射工艺生成透明阴极时，会对有机薄膜层造成严重损伤，降低OLED性能，减少OLED的寿命的问题，本专利技术实施例提供了一种转印基板及其制作方法、OLED器件制作方法。所述技术方案如下：第一方面，本专利技术实施例提供了一种转印基板，所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，所述转印基板包括透光基板和光热转化层；所述光热转化层包括阵列排布的多个凸起，所述凸起包括平行设置的底面和顶面，所述底面设置在所述透光基板上，每个所述凸起的顶面用于设置一个待转印的电极块。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述底面位于所述顶面在所述透光基板上的正投影内，或者所述底面与所述顶面在所述透光基板上的正投影重合。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述光热转化层采用吸热树脂、染料、碳、金属或者上述材料中至少两种形成的复合材料制成。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述转印基板还包括位于所述光热转化层和所述透光基板之间的隔热透光层。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述转印基板还包括设置在所述凸起的顶面与所述待转印的电极块之间的过渡层，所述过渡层与所述光热转化层之间的粘合力小于所述待转印的电极块与所述光热转化层之间的粘合力。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种转印基板制作方法，所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，所述方法包括：提供一透光基板；在所述透光基板上制作光热转化层，所述光热转化层包括阵列排布的多个凸起，所述凸起包括平行设置的底面和顶面，所述底面设置在所述透光基板上，每个所述凸起的顶面分别用于设置一个待转印的电极块。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述底面位于所述顶面在所述透光基板上的正投影内，或者所述底面与所述顶面在所述透光基板上的正投影重合。在本专利技术实施例的另一种实现方式中，所述在透光基板上制作光热转化层，包括：在所述透光基板上制备一膜层；对所述膜层进行图形化处理，得到所述光热转化层；或者，所述在透光基板上制作光热转化层，包括：在所述透光基板上制备金属层，金属层设有镂空结构；在具有所述金属层的所述透光基板上制备一膜层；对所述膜层进行图形化处理，以去除所述金属层上的所述膜层；去除所述金属层，得到所述光热转化层。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种OLED器件制作方法，所述方法包括：提供一待生长电极的OLED基板；在第一方面任一所述的转印基板上制作电极块；将所述转印基板上的电极块采用热转印工艺转移到所述OLED基板上，以在所述OLED基板上形成电极。在本专利技术实施例的一种实现方式中，所述待生长电极为顶发射OLED器件或者双面发射OLED器件的阴极。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术提供的转印基板在使用时，光通过透光基板照射在光热转化层上，产生热量，实现电极块的转印；具体地，光热转化层包括按阵列分布的多个凸起，凸起的顶面用于设置需要转印的电极块，从而能够在转印时将分布在多个凸起上的电极块转印到OLED器件上；使用该转印基板实现OLED的阴极制作，可以避免对OLED有机薄膜层造成严重损伤，从而可以提高器件的性能和寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种转印基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种转印基板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的另一种转印基板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的另一种转印基板的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种转印基板制作方法的流程图；图6是本专利技术实施例提供的转印基板使用过程示意图；图7-14是本专利技术实施例提供的转印基板制作过程中转印基板的结构示意图；图15是本专利技术实施例提供的一种OLED器件制作方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种转印基板的结构示意图，转印基板用于OLED器件的电极热转印，转印基板包括透光基板10和光热转化层11；光热转化层11包括阵列排布的多个凸起101，凸起101包括平行设置的底面和顶面，底面设置在透光基板10上，每个凸起101的顶面用于设置一个待转印的电极块。本专利技术提供的转印基板在使用时，光通过透光基板10照射在光热转化层11上，产生热量，实现电极块的转印；具体地，光热转化层11包括按阵列分布的多个凸起101，凸起101的顶面用于设置需要转印的电极块，从而能够在转印时将分布在多个凸起101上的电极块转印到OLED器件上；使用该转印基板实现OLED的阴极制作，可以避免对OLED有机薄膜层造成严重损伤，从而可以提高器件的性能和寿命。在本专利技术实施例中，多个凸起101的排布方式与OLED器件的像素排布一致，每个凸起101的顶面大小与OLED器件的像素大小一致。在本专利技术实施例中，透光基板10可以为透明基板，该透明基板整面均透光，透明基板可以为玻璃基板、石英基板、金属基板、树脂基板等。透光基板10还可以为部分透光的基板，例如该基板对应凸起101的部分透光，使得光照时能够使光热转化层11进行光热转换，具体可以在透明基板上设置挡光膜层来挡住不设置凸起的部分。在本专利技术实施例的一种实现方式中，底面位于顶面在透光基板10上的正投影内；在本专利技术实施例的另一种实现方式中，底面与顶面在透光基板10上的正投影重合。凸起101的底面位于顶面在透光基板10上的投影内，或者底面与顶面在透光基板10上的投影重合，使得该凸起101在透光基板10上呈倒置的棱台(其截面为倒梯形，如图1所示)或者长方体(附图未示出)，这样在形成电极时，由于凸起101的边缘与透光基板10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种转印基板，所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，其特征在于，所述转印基板包括透光基板和光热转化层；所述光热转化层包括阵列排布的多个凸起，所述凸起包括平行设置的底面和顶面，所述底面设置在所述透光基板上，每个所述凸起的顶面用于设置一个待转印的电极块。

【技术特征摘要】
1.一种转印基板，所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，其特征在于，所述转印基板包括透光基板和光热转化层；所述光热转化层包括阵列排布的多个凸起，所述凸起包括平行设置的底面和顶面，所述底面设置在所述透光基板上，每个所述凸起的顶面用于设置一个待转印的电极块。2.根据权利要求1所述的转印基板，其特征在于，所述底面位于所述顶面在所述透光基板上的正投影内，或者所述底面与所述顶面在所述透光基板上的正投影重合。3.根据权利要求1或2所述的转印基板，其特征在于，所述光热转化层采用吸热树脂、染料、碳、金属或者上述材料中至少两种形成的复合材料制成。4.根据权利要求1或2所述的转印基板，其特征在于，所述转印基板还包括位于所述光热转化层和所述透光基板之间的隔热透光层。5.根据权利要求1或2所述的转印基板，其特征在于，所述转印基板还包括设置在所述凸起的顶面与所述待转印的电极块之间的过渡层，所述过渡层与所述光热转化层之间的粘合力小于所述待转印的电极块与所述光热转化层之间的粘合力。6.一种转印基板制作方法，所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，其特征在于，所述方法包括：提供一透光基板；在所述透光基板上制作光热转化层，所述光热...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯文军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11