一种阵列基板及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种阵列基板及显示面板，通过在贯穿第一缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的过孔的侧壁上至少与第一绝缘层对应的位置形成保护膜层，可以避免在过孔的底部产生底切倒角，从而保证通过过孔连接的两个层结构之间的电连接性能，提高阵列基板与显示面板的产品良率和显示效果。

Array substrate and display panel

The utility model provides an array substrate and a display panel, by penetrating the first insulating layer, the second side walls of the insulating layer and the third insulating layer on the through hole and at least a first insulating layer corresponding to the location of the formation of protective film, can avoid the occurrence of bottom chamfer cutting in the bottom of the hole, in which through the electrical connection the performance between the two layer hole connection structure, improve the array substrate of the display panel and the yield rate of the product and display effect.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示面板
本技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
在阵列基板制备过程中，顶部的钝化保护层制作完成后，需要先利用干法刻蚀技术在钝化层上形成过孔，然后在钝化层表面形成ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)层，以使ITO层与源漏电极层电连接。结合图1a和图1b所示，传统阵列基板制备过程中，制作钝化层1的材质通常会选择SiNx，并且钝化层1分为三层，包括钝化过渡层11、钝化主体层12和钝化顶层13，钝化过渡层11的作用是避免钝化主体层12与ITO层3直接接触产生黑点不良。钝化顶层13是等离子体刻蚀的缓冲层，主要作用是使过孔2达到一定的坡度角和尺寸。一般情况下，钝化过渡层11的密度小于钝化主体层12和钝化顶层13的密度，而钝化过渡层11的刻蚀速率大于钝化主体层12的刻蚀速率。当采用活性等离子体进行刻蚀时，钝化顶层13较为疏松，等离子体比较容易进入。当刻蚀到钝化过渡层11时，如图1a所示，由于钝化过渡层11的刻蚀速率大于钝化主体层12的刻蚀速率，在钝化过渡层11会产生缩进，即在过孔2的底部产生底切倒角21。如图1b所示，若过孔2的底部产生底切倒角21，则在形成ITO层3时，底切倒角21会造成ITO层3与源漏电极层4之间接触跨断(即接触不良)，导致该阵列基板显示异常，降低产品良率。因此，亟需一种阵列基板及显示面板以解决上述技术问题。
技术实现思路
本技术针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板及显示面板，用以部分解决在绝缘层过孔过程中，过孔底部产生底切倒角的问题。本技术提供一种阵列基板，包括依次形成于基底上的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，以及贯穿所述第一缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的过孔，所述过孔的侧壁上至少与所述第一绝缘层对应的位置覆盖有保护膜层。优选的，所述保护膜层还覆盖在所述过孔的侧壁上与所述第二绝缘层和第三绝缘层对应的位置。优选的，所述保护膜层的材料为高分子聚合物。优选的，所述保护膜层的材料为碳氟聚合物。进一步的，所述阵列基板还包括形成于所述基底上的第一膜层，所述第一膜层位于所述基底和所述第一绝缘层之间。优选的，所述第一膜层为源漏电极层，所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层形成钝化层，所述第一绝缘层为钝化过渡层，所述第二绝缘层为钝化主体层，所述第三绝缘层为钝化顶层。本技术还提供一种显示面板，包括如前所述的阵列基板。本技术具有如下有益效果：由于第一绝缘层的刻蚀速率大于其他绝缘层的刻蚀速率，本技术通过在贯穿第一缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的过孔的侧壁上至少与第一绝缘层对应的位置形成保护膜层，可以避免在过孔的底部产生底切倒角，从而保证通过过孔连接的两个层结构之间的电连接性能，提高阵列基板与显示面板的产品良率和显示效果。附图说明图1a为现有阵列基板制备过程中过孔产生底切倒角的示意图；图1b为图1a的阵列基板的ITO层与源漏电极层发生接触跨断的示意图；图2为本技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图3a-3e为本技术实施例的阵列基板制备流程示意图。附图标记：1、钝化层2、过孔3、ITO层4、源漏电极层11、钝化过渡层12、钝化主体层13、钝化顶层21、底切倒角61、第一绝缘层62、第二绝缘层63、第三绝缘层5、保护膜层6、钝化层7、第一膜层8、光刻胶掩膜图案具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细描述。以下结合图2，详细说明本技术的阵列基板的结构。如图2示，本技术提供一种阵列基板，包括基底(图中未绘示)、第一绝缘层61、第二绝缘层62、第三绝缘层63以及贯穿第一缘层61、第二绝缘层62和第三绝缘层63的过孔2。第一绝缘层61、第二绝缘层62和第三绝缘层63依次形成于基底上，即第一绝缘层61更为邻近基底，第三绝缘层63远离基底，第二绝缘层62位于第一绝缘层61和第二绝缘层63之间。过孔2的侧壁上至少与第一绝缘层61对应的位置覆盖有保护膜层5。由于第一绝缘层的刻蚀速率大于其他绝缘层的刻蚀速率，因此，通过在贯穿第一缘层61、第二绝缘层62和第三绝缘层63的过孔2的侧壁上至少与第一绝缘层61对应的位置形成保护膜层5，可以避免在过孔2的底部产生底切倒角，从而保证通过过孔2连接的两个层结构之间的电连接性能，提高阵列基板与显示面板的产品良率和显示效果。进一步的，如图2所示，所述阵列基板还包括形成于基底上的第一膜层7，第一膜层7位于所述基底和第一绝缘层61之间。优选的，第一膜层7为源漏电极层，第一绝缘层61、第二绝缘层62和第三绝缘层63形成钝化层6，第一绝缘层61为钝化过渡层，第二绝缘层62为钝化主体层，第三绝缘层63为钝化顶层，制作钝化层6的材料通常为SiNx。需要说明的是，由于保护膜层5是在刻蚀过孔2的过程中形成的，因此，保护膜层5一般会覆盖过孔2的整个侧壁，即保护膜层5还覆盖在过孔2的侧壁上与第二绝缘层62和第三绝缘层63对应的位置，也就是说，在过孔2的侧壁上对应第三绝缘层63、第二绝缘层62和第一绝缘层61的位置均覆盖有保护膜层5。保护膜层5的材料为高分子聚合物，优选为碳氟聚合物(CF2)n。本技术的另一实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括如前所述的阵列基板。通过在贯穿第一缘层61、第二绝缘层62和第三绝缘层63的过孔2的侧壁上至少与第一绝缘层61对应的位置形成保护膜层5，，因此，至少在过孔2的侧壁上与第一绝缘层61相对应的位置形成保护膜层5，可以避免第一绝缘层61的刻蚀速率大于其他绝缘层的刻蚀速率带来的在过孔2底部产生底切倒角的问题，从而保证通过过孔2连接的两个层结构之间的电连接性能，提高阵列基板与显示面板的产品良率和显示效果。以下结合图2、图3a-3e，详细说明所述阵列基板的制备方法，所述方法用于在如前述的阵列基板上刻蚀过孔，所述阵列基板包括依次形成于基底上第一绝缘层61、第二绝缘层62和第三绝缘层63。需要说明的是，在刻蚀过孔之前，如图3a所示，需要在阵列基板的基底上按照传统工艺依次制备第一膜层7、第一绝缘层61、第二绝缘层62和第三绝缘层63，并在第三绝缘层63上经过曝光显影制作出用于刻蚀贯穿钝化层6的过孔的光刻胶掩膜图案8，第三绝缘层63上未涂覆光刻胶的位置即为待形成过孔的位置。所述刻蚀过孔的过程分为第一阶段和第二阶段，其中，第一阶段具体包括以下步骤：步骤11，向刻蚀设备内通入刻蚀气体，利用刻蚀气体依次刻蚀所述第三绝缘层和第二绝缘层，以形成贯穿所述第三绝缘层和第二绝缘层的过孔。优选的，可以选用ICP(等离子体光电直读光谱仪)作为刻蚀设备。具体的，首先，将事先形成有第一膜层7、第一绝缘层61、第二绝缘层62和第三绝缘层63和光刻胶掩膜图案8的基底传输至刻蚀设备的腔室内。然后，向刻蚀设备的上电极加载第一功率，向刻蚀设备的下电极加载第二功率，并向刻蚀设备内通入第一流量的刻蚀气体。优选的，刻蚀气体可以为SF6，第一功率可以为8000W，第二功率可以为2000W，第一流量可以为1200sccm。为了加快刻蚀速率，进一步的，在所述第一阶段，还可以向刻蚀设备内通入反应气体，优选的，反应气体可以为O2，O2的流量可以为1500sc本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括依次形成于基底上的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，以及贯穿所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的过孔，其特征在于，所述过孔的侧壁上至少与所述第一绝缘层对应的位置覆盖有保护膜层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括依次形成于基底上的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，以及贯穿所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的过孔，其特征在于，所述过孔的侧壁上至少与所述第一绝缘层对应的位置覆盖有保护膜层。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护膜层还覆盖在所述过孔的侧壁上与所述第二绝缘层和第三绝缘层对应的位置。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护膜层的材料为高分子聚合物。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34