The invention provides a high linearity broadband mixer, including transconductance unit, load level and unit level switch unit; transconductance unit is used to improve the linearity; switch level unit bias in the switch state the best load; single can increase the bandwidth and improves the gain; differential signal after amplifying transconductance element in the switch level unit and the signal mixing, finally the differential output of the RF signal between the load level and unit level switch unit. The invention adopts capacitor cross coupled common gate of the main road and transconductance load source degeneration inductor common source of the two roads combined with the structure of transconductance transconductance, three order nonlinear transconductance offset transconductance, improve linearity at the same time, but also improve the gain. The main road with a common gate input signal, the auxiliary road by loading the source degeneration inductor common source, can improve the efficiency of the input output by intermediate frequency bandwidth, inductive load, optimizing the quality factor of the output inductor, can obtain larger output RF bandwidth.
【技术实现步骤摘要】
高线性度宽带上混频器
本专利技术属于无线通信
,涉及无线发射机中的变频电路,特别是关于一种高线性宽带上混频器。
技术介绍
近年以来,随着无线通信技术的不断发展,各种无线收发机都在向更高的工作频段发展。从低频到毫米波到太赫兹频段,分布着多个不同的通信标准及应用,而随着系统的发展和融合,要求无线收发机系统需要同时满足多个不同的频段和多个不同的通信标准,这就对无线收发机系统的工作带宽提出了更高的要求。同时为了满足高数据传输速率的需求,就需要用更高级的调制技术(64QAM、256QAM等),这些都要求无线收发机有很高的线性度。而上混频器作为无线发射机的变频模块,其作用是将低频信号变换为无线发射的高频信号,在无线发射机中起着至关重要的作用。因此基于现代通信的发展要求,设计一款高线性度宽带的上混频器具有广泛应用前景和价值。目前传统的双平衡吉尔伯特混频器被广泛应用于无线发射机中,其电路图如图1。这种结构具有较好的增益以及端口隔离度,但是其工作带宽极为有限,并且要得到较高的线性度有一定的困难。
技术实现思路
本专利技术的目的是要解决传统吉尔伯特上混频器在工作带宽和线性度上的问题,提出了一种高线性度宽带上混频器,能够在其他性能不降低的同时,增加上混频器的带宽,提升线性度。一种高线性度宽带上混频器,其特征在于,包括:跨导级单元、开关级单元和负载级单元;所述跨导级单元用以提高线性度;所述开关级单元偏置在最佳的开关状态;所述负载级单能够增大带宽并能提高增益;差分中频信号经过跨导级单元的放大,在开关级单元与本征信号进行混频,最后差分射频信号在负载级单元和开关级单元之间输出。·进一 ...
【技术保护点】
一种高线性度宽带上混频器,其特征在于,包括:跨导级单元、开关级单元和负载级单元;所述跨导级单元用以提高线性度;所述开关级单元偏置在最佳的开关状态;所述负载级单能够增大带宽并能提高增益;差分中频信号经过跨导级单元的放大,在开关级单元与本征信号进行混频,最后差分射频信号在负载级单元和开关级单元之间输出。·
【技术特征摘要】
1.一种高线性度宽带上混频器,其特征在于,包括:跨导级单元、开关级单元和负载级单元;所述跨导级单元用以提高线性度;所述开关级单元偏置在最佳的开关状态;所述负载级单能够增大带宽并能提高增益;差分中频信号经过跨导级单元的放大,在开关级单元与本征信号进行混频,最后差分射频信号在负载级单元和开关级单元之间输出。·2.如权利要求1所述高线性度宽带上混频器,其特征在于,所述跨导级单元包括主路跨导和辅路跨导;所述主路跨导由差分NMOS管M1、NMOS管M2、电阻R1、、电阻R2、电感L1、电感L2和电容C1、电容C2构成电容交叉耦合共栅级结构;所述主路跨导NMOS管M1源极分别接电感L1,以及中频信号的正输入端,NMOS管M2源极分别接电感L2,以及中频信号的负输入端,NMOS管M1栅极分别通过R1电阻接偏置电压Vm,通过电容C1连接NMOS管M2的源极,NMOS管M2栅极分别通过R2电阻接偏置电压Vm,通过电容C2连接NMOS管M1的源极,形成电容交叉耦合共栅极结构。3.如权利要求2所述高线性度宽带上混频器,其特征在于,所述电感L1=电感L2、电容C2=电容C1。4.如权利要求3所述所述高线性度宽带上混频器,其特征在于,所述辅路跨导由差分NMOS管M3、NMOS管M4、电阻R3、电阻R4、电感L3、电感L4和电容C3、电容C4构成加载源退化电感的共源极结构;所述NMOS管M3和NMOS管M4源极分别接电感L3和电感L4,NMOS管M3栅极分别通过电阻R3接偏置电压Va,通过电容C3连接中频信号的负输入端,NMOS管M4栅极分别通过电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员:伍晶,陈志林,康凯,刘辉华,赵晨曦,
申请(专利权)人:成都通量科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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